金属外壳引线键合可靠性研究

本文简要介绍了引线键合工艺的基本原理,分析并比较了金属外壳镀覆结构、镀层厚度、内引线柱高度对键合可靠性的影响,提出了优化键合可靠性的外壳设计原则。     

发光二极管引线键合可靠性探讨

本文简要地描述发光二极管金丝引线键合过程,讨论分析了影响其键合可靠性的主要因素,说明了键合质量的评价方法,提出了增强键合可靠性的措施,以达到提高发光二极管寿命的目的.     

FP1510-02型金属外壳的研制

本文简要介绍了FP1510-02型金属外壳的结构设计，重点叙述了在低外形扁平外壳的设计制造中，为确保产品密封可靠性、内引线键合面平行度、内腔芯片安装面的平面度等技术要求的有效措施。     

对影响内引线键合可靠性的因素的分析与对策

简述了半导体器件内引线键合的机制及如何检测内引线的键合质量, 分析了影响内引线键合质量的因素, 重点分析了半导体器件最常见的失效模式——键合点脱落的因素, 并提出改进键合质量的几点措施     

集成电路内引线键合工艺材料失效机制及可靠性

引线键合是集成电路第一级组装的主流技术,也是30多年来电子器件得以迅速发展的一项关键技术。对引线键合技术和可能发生的失效现象进行了综述,对提高键合点长期储存／使用可靠性具有指导意义。     

对影响内引线键合可靠性的因素的分析与对策

简述了半导体器件内引线键合的机制及如何检测内引线的键合质量,分析了影响内引线键合质量的因素,重点分析了半导体器件最常见的失效模式－－键合点脱落的因素,并提出改进键合质量的几点措施。     

三维封装中引线键合技术的实现与可靠性

结合半导体封装的发展,研究了低线弧、叠层键合、引线上芯片、外悬芯片、长距离键合和双面键合6种引线互连封装技术;分析了各种引线键合的技术特点和可靠性.传统的引线键合技术通过不断地改进,成为三维高密度封装中的通用互连技术,新技术的出现随之会产生一些新的可靠性问题;同时,对相应的失效分析技术也提出了更高的要求.多种互连引线键合技术的综合应用,满足了半导体封装的发展需求;可靠性是技术应用后的首要技术问题.     

高温老化期间引线键合空洞形成探讨

在金-铝金属间化合物相中形成的空洞,降低了把金丝与焊盘键合的长期可靠性。在该文中,通过一系列微结构研究来评定引线键合中空洞的形成。把形成的空洞分为初始、环形和极小三种类型。形成初始空洞的主要原因是探测标记和铝焊蕊污染,初始空洞阻碍合会扩散并使金属间化合物生长减缓。环形空洞是由热超声引线键合的超声挤摔作用造成的,这些压焊缝隙可能成为腐蚀并降低引线键合的一类卤化物形成的途径。极小的空洞是住Au4l相阶段形成的。由于不同Au4l相形成的反应,或与金球表层上品粒界面影响的关系,在这些空洞中会出现两种Au4l相的纹理。     

高温老化期间引线键合空洞形成探讨

在金-铝金属间化合物相中形成的空洞,降低了把金丝与焊盘键合的长期可靠性。文中通过一系列微结构研究来评定引线键合中空洞的形成。把形成的空洞分为初始、环形和极小三种类型。形成初始空洞的主要原因是探测标记和铝焊盘污染,初始空洞阻碍合金扩散并使金属间化合物生长减缓。环形空洞是由热超声引线键合的超声挤榨作用造成的,这些压焊缝隙可能导致会腐蚀并降低引线键合的一类卤化物的形成。极小的空洞是在Au4Al相阶段形成的。由于不同Au4Al相形成的反应,或与金球表层上晶粒界面影响的关系,在这些空洞中会出现两种Au4Al相的纹理。     

军用元器件金属外壳镀层质量评价

国产军用电子元器件金属外壳经过镀层测试、耐湿试验，烧结前、后键合拉力试验，可焊性试验，反映出由于金属外壳镀层质量不合格而导致其耐蚀性能及健合拉力不到要求，通过研究采用防锈涂覆的方法，使不合格镀层的金属外壳增强了耐蚀能力，并选定了一个适合我所工艺生产能力的镀金层范围，以保证键合应力值符合GJB548A要求。     

引线键合在温度循环下的键合强度衰减研究

研究了18、25、30μm三种金丝和25、32、45μm三种硅铝丝键合引线在不同温度循环次数下的键合强度衰减规律,并研究了拉断模式的比例。结果表明,所有试验样品,无论是否经历温度循环,均达到了GJB548B-2005方法2011.1中的最小键合强度要求,均未出现焊点拉脱的现象。随着温度循环次数的增加,金丝键合强度先略微增大,后缓慢减小并趋于平缓。硅铝丝键合强度先较快减小,后缓慢减小,并趋于平缓。相比于金丝,硅铝丝在0～50次的温度循环下键合强度衰减较快。通过曲线拟合,获得不同丝径下的键合强度衰减变化方程。     

铜丝球键合工艺及可靠性机理

文章针对铜丝键合工艺在高密度及大电流集成电路封装应用中出现的一系列可靠性问题,对该领域目前相关的理论和研究成果进行了综述,介绍了铜丝球键合工艺、键合点组织结构及力学性能、IMC生长情况、可靠性机理及失效模式。针对铜丝球键合工艺中易氧化、硬度高等难点,对特定工艺进行了阐述,同时也从金属间化合物形成机理的角度重点阐述了铜丝球键合点可靠性优于金丝球键合点的原因。并对铜丝球键合及铜丝楔键合工艺前景进行了展望。     

功率器件封装中铝引线焊点剥离失效机制研究

比较回流焊前后两组器件样品的电学测量结果,并结合样品的失效分析,发现引线框架氧化也是导致焊点剥离失效的一个重要因素,而且回流焊工艺下的热机械效应,会加速原先潜在的焊点剥离失效的发生.样品的连接性测试发现,在低峰值交流测试电压下显示开路,而高峰值测试电压下显示正常,可以将其归结为典型的焊点剥离失效的测试现象.发现引线键合前的等离子清洗可以减少焊点剥离失效,并可使焊点的剪切强度提高25%.     

浅谈镀钯铜线的特性

随着金线价格一路上涨并创下历史新高,大型封装厂正在加大对铜线制程的投入。通过封装厂多年的摸索,发现镀钯铜线是金线很好的替代品。文章分析了镀钯铜线作为键合线材料本身的基本性质,镀钯铜线引线键合的特征和镀钯铜线PCT实验的可靠性。通过分析发现镀钯铜线材料本身有优良的导电和导热特性,同时还有很好的抗氧化性。镀钯铜线在键合过程中需要保护气体的保护,通过硬度实验发现镀钯铜线的硬度较大,因此需要在键合过程中防止弹坑的出现。通过PCT实验证实镀钯铜线具有较好的可靠性。     

Au线改Cu线的新发展及可靠性研究

Au线作为内引线一直占据着键合的主导地位,而由于Cu线具有优良的电性能和价格优势,随着键合技术的发展,以Cu丝代替Au丝作为键合用内引线已经成为现在的主要趋势。介绍了Cu线相对于Au线的优势、存在的可靠性问题,并对Cu引线键合新的发展趋势、如何进行可靠性验证等问题进行了研究。     

Cu丝超声球焊及楔焊焊点可靠性及失效机理研究

Cu丝由于具有优良的导热性能、机械性能以及低成本等优点使得用铜丝替代传统的Au丝和Al丝已经成为半导体工艺发展的必然方向.综述了Cu丝超声球焊以及楔焊焊点可靠性问题,对焊点的各种失效模式与机理进行探讨.     

铝线邦定的可靠性及其应用

通过对铝线邦定在芯片上的可靠性进行研究和试验．结果表明影响其可靠性的因素非常多，如邦定功率、压力以及时间等。本文引用了国际上数篇有关邦定论文的结论，从实际应用出发，阐述了它们的失效状态、干扰因素及控制方法。最后介绍了邦定线在实际应用中的判定方法和技术革新．从而使工程师们在实际应用中能够进一步了解其特性。     

IC封装中键合线传输结构的仿真分析

随着高频高速集成电路制造工艺的不断进步,电子封装技术的发展也登上了一个新高度。作为微电子器件制造过程中的重要步骤之一,封装中的传输线、过孔、键合线等互连结构都可能对电路的性能产生影响,因此先进的集成电路封装设计必须要进行信号完整性分析。介绍了一种键合线互连传输结构,采用全波分析软件对模型进行仿真,着重分析与总结了键合线材料、跨距、拱高以及微带线长度、宽度五种关键设计参数对封装系统中信号完整性的影响,仿真结果对封装设计具有实际的指导作用。     

压焊块结构设计对打线效果影响的研究

引起封装打线失效的原因有很多,首先是封装打线工艺的影响,但是芯片自身质量也有很大的关系。文章主要考虑芯片压焊块结构的设计因素,诸如压焊块区域膜层的组成、其上的孔阵列尺寸、铝层厚度等,对打线效果的好坏（脱铝、打穿）都有很密切的关系。文中对这几个因素进行研究,如压焊块上开孔的尺寸对打线粘附力的影响,不同clear rati...     

铜丝键合工艺研究

键合铜丝作为微电子工业的新型研发材料,已经成功替代键合金丝应用于IC后道封装中。随着IC封装键合工艺技术及设备的改进,铜丝应用从低端产品如DIP、SOP向中高端QFP、QFN、多层线、小间距焊盘产品领域扩展。因封装制程对键合铜丝的性能要求逐步提高,促进了铜丝生产商对铜丝工艺性能向趋近于金丝工艺性能发展,成为替代金丝封装的新型材料。本文首先讲述了铜丝键合的优点,列举了铜丝在键合工艺中制约制程的瓶颈因素有两个方面：一是铜丝储存条件对环境要求高,使用过程保护措施不当易氧化;二是铜丝材料特性选择、制具选择、设备键合参数设置不当在生产制造中易造成芯片焊盘铝挤出、破裂、弹坑等现象发生,最终导致产品电性能及可靠性问题而失效。本文通过对铜丝键合机理分析,提出解决、预防及管控措施,制定了具体的生产管控工艺方案,对实现铜丝键合工艺有很好的指导意义。