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高分辨二次电子像中的成份衬度徐军陈文雄张会珍(北京大学电镜实验室,北京100871)在传统的扫描电子显微学的概念中,二次电子像中包含的是形貌衬度,而背散射电子像中包含的是成份衬度。但实际上二次电子的产额是和样品的成份有关的,不过样品表面极易玷污,样品... 相似文献
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本文详细评述和介绍了近几年来国际上关于扫描电镜二次电子像中的掺杂衬度方面的实验和理论研究成果,总结了实验中发现的各种现象,并用电离能的观点对所有这些现象作出了理论上的解释,并指出了这种技术的应用前景。 相似文献
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高分辩二次电子像中的成分衬度 总被引:2,自引:1,他引:1
从理论上阐明了获得高分辩二次电子成分衬底像的原理,条件和方法,并作了细致的实验验证,空间分辩率为3.3nm,原子序数分辩率为0.03Z。实验研究样品为分子束外延AlGaAs量子阱顺,其分层结构的最小层宽为7nm,测得的层宽和透射电镜测量结果相吻合,由于透射电镜制样的复杂和困难,高分辩扫描电镜二次电子成分衬度像观测方法具有重要的理论意义和实用价值。 相似文献
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Monte Carlo方法可用于模拟计算扫描电子显微学中材料的表面形貌像衬度,通过模拟电子在试样内部和表面附近的散射和输运过程,从而得到二次电子和背散射电子的信号,它们既反映了试样的表面形貌特征,在一定程度上还表征了试样的内部成分和结构差异。 相似文献
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采用湿法腐蚀对不同电阻率的4H-SiC衬底进行腐蚀。观察发现,对于同一类型缺陷,低电阻率衬底的缺陷腐蚀坑尺寸比高电阻率衬底的小1~2倍,证明氮元素掺杂的低电阻率SiC衬底的腐蚀速率更低。通过显微镜观察腐蚀后的衬底,对六边形的螺位错(TSD)、近圆形的刃位错(TED)和贝壳形的基平面位错(BPD)腐蚀坑进行了分析。对比了TSD与微管腐蚀坑形貌的区别,虽然两种缺陷腐蚀坑都具有六边形形貌,但微管腐蚀坑尺寸比TSD腐蚀坑大1.4倍左右。通过对位错密度的统计,发现目前4H-SiC衬底中主要的位错为TED和BPD,而TSD密度相对较低,仅为420 cm-2。 相似文献
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为了分析物理气相传输法碳化硅单晶生长系统中的温度分布,采用Matlab软件对PVT工艺中的热场进行了模拟。以能量方程为基础分析了由传导和辐射这两种传热方式所决定的系统的热量分配;采用有限元素法对所建立的描述连续函数的偏微分方程进行数值化离散;应用迦辽金加权残值法对由近似函数表征的离散方程转化为矩阵方程的形式;设计了平均算法计算出了系统的温度分布。更好地了解了碳化硅晶体生长过程的物理实质,以便更有效地改进生长系统,优化工艺参数。 相似文献
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Based on the physical vapor transport (PVT) method, the growth of large-size CdS crystals inside a vertical semi-closed tube is studied. Firstly, in order to ensure 1D diffusion-advection transport, multi-thin tubes are used in the growth tube. The XRD spectra of the CdS crystal grown in this configuration indicates that the crystal quality has clearly been improved, where the FWHM is 58.5 arcsec. Secondly, theoretical and experimental growth rates under different total pressures are compared; the results show that the experiential growth rate equation is valid for our semi-tube growth, and it could be used to estimate the growth rate and maximum growth time under different total pressures. 相似文献
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实现了熔融KOH进行SiC体单晶择优腐蚀估测缺陷密度的方法.本文报道了采用该技术对体SiC单晶缺陷密度估测的结果.腐蚀会在Si面形成六边形腐蚀坑,在C面形成圆形腐蚀坑.腐蚀速率和蚀坑形状与SiC生长工艺有关.对在高生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品,其刃位错、螺位错与微管密度分别为2.82×105,94和38cm-2;对在低生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品,其上述缺陷密度分别为9.34×105,2和29cm-2.结果表明:随着生长气体流量的增加,由于避免了N2掺杂,刃位错密度下降. 相似文献
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实现了熔融KOH进行SiC体单晶择优腐蚀估测缺陷密度的方法.本文报道了采用该技术对体SiC单晶缺陷密度估测的结果.腐蚀会在Si面形成六边形腐蚀坑,在C面形成圆形腐蚀坑.腐蚀速率和蚀坑形状与SiC生长工艺有关.对在高生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品,其刃位错、螺位错与微管密度分别为2.82×105,94和38cm-2;对在低生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品,其上述缺陷密度分别为9.34×105,2和29cm-2.结果表明:随着生长气体流量的增加,由于避免了N2掺杂,刃位错密度下降. 相似文献
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B.P. Wagner N.B. Singh A. Berghmans D.J. Knuteson D. Kahler S. McLaughlin J. Hawkins J. Golombeck 《Journal of Electronic Materials》2008,37(4):379-383
Epitaxial SiC films were deposited on on-axis Si-face 4H-SiC(0001) substrates by the physical vapor transport (PVT) method
from a SiC powder. Scanning electron microscopy (SEM) showed a surface morphology which did not have any observable growth
defects or cracking. We observed hexagonal growth morphology, a typical characteristic of diffusional growth. River patterns,
free from microbubbles and microvoids, were observed on the as-grown surface. Morphology observed at 45° tilt in SEM revealed
growth steps and coarsening of grains. An X-ray diffraction (XRD) rocking curve measured the full-width at half-maximum (FWHM)
as 51.0 arc seconds and a reciprocal space map showed a singular intense region that is attributed to the high-quality homoepitaxial
SiC film. 相似文献
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为了获得高质量AlN晶体,通过物理气相传输(PVT)法,采用AlN籽晶进行AlN晶体生长,并通过双温区加热装置对衬底与原料之间的温差进行调节。研究结果表明,籽晶形核阶段,随着AlN籽晶与原料顶温差的减小,AlN的形核机制呈现三种模式,分别为岛生长模式、畴生长模式和螺旋位错生长模式;晶体生长阶段,通过增加AlN籽晶与原料顶温差来提高晶体生长速率,采用10℃/h的变温速率将温差从10℃增加为30℃时,AlN晶体生长模式不变,仍然保持螺旋位错生长模式,该生长模式下获得的AlN晶体结晶质量最高,(0002)面摇摆曲线半峰宽(FWHM)约为55 arcsec。 相似文献
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在研究低能电子束照射绝缘物时在二次电子返回特性的基础上,通过绝缘物表面照射微区和衬底之间的有效电容,获得了表面电位和二次电子信号电流在表面电荷积累过渡过程中随照射条件的变化关系,建立了电子束照射覆盖有绝缘膜的IC芯片时形成静态电容衬度的理论模型.从理论上分析了电子束照射条件和芯片内部形貌、材料参数对静态电容衬度的影响,解释了在扫描电镜实验中的最大衬度现象及其对应的最佳电子照射条件. 相似文献
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关于Tau变分法研究电子光学成像系统的时间像差理论 总被引:1,自引:1,他引:1
本文采用新的时间像差定义,考察了"Tau变分法"研究电子光学成像系统的时间像差理论.本文表明,"Tau变分法"所给出的以微分方程形式表示的几何时间像差系数,亦可获得积分形式的表示式,证明了"直接积分法"与"Tau变分法"这两条途径殊途同归. 相似文献