ALE ZnSe单晶薄膜的PL性质

最近,日本茨木电气技术研究所的 T.Yao 等人第一次报导了用原子层外延方法(ALE)生长的不掺杂 ZnSe 单晶薄膜的光致发光性质。光谱显示出很强的激子发射,并由此说明了薄膜质量。单晶薄膜生长所使用的衬底是(100)取向的 GaAs 片。ALE 生长采用 MBE 设备。     

LEC法生长GaAs单晶的一种新的磁场直拉设备

已经研究出了一种新的磁场LEC(MLEC)直拉设备,MLEC设备由超导磁场装置和本国改进的高压单晶炉组成,用超导磁体代替常规电磁体,能够对压力室内坩锅中心位置横向地施加300Oe的磁场(0.3wb/cm~3)。通过使用大于1250Oe磁场,使GaAs熔体的温度波动从18℃显著降低到0.1℃。用上述磁场,已经首次成功地生长出直径为2in的GaAs单晶。     

我国首台12英寸单晶炉研制成功

国家863计划项目“超大规模集成电路配套材料”重大专项中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”项目,日前在北京通过科技部验收。这标志着拥有自主知识产权核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用单晶硅生产设备,在我国首次研制成功。单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备     

产品博览

国产CCD控制单晶硅炉设备诞生国内最大的专业制造单晶炉基地企业、北京京运通真空设备厂于2005年11月28日用CCD等径控制法拉制一根6英寸,960mm长的单晶硅棒。此次是继2004年8英寸硅单晶炉研制成功,并投入批量生产后的又一大科学技术突破。此技术缩小了我国与国外单晶炉设备技术     

单晶炉不锈钢焊接工艺的探讨

单晶炉炉室壳体密闭性是衡量单晶炉设备性能好坏的重要因素。主要探讨在制造单晶炉炉室壳体过程中,采用恰当的不锈钢焊接工艺,提高单晶炉炉室壳体的抗腐蚀性能,改善密闭性,从而提高整台单晶炉设备的可靠性。     

太阳能级单晶炉热场的适应性改造研究

在JRDL-900型太阳能级单晶炉上安装自行设计的350 mm(14英寸)密闭式热场,替换原有的500 mm(20英寸)热场,使该单晶炉具备了半导体级75~150 mm(3~6英寸)常用硅单晶的生长条件。根据单晶炉实际情况,重新设定了单晶生长控制程序,实现半导体级硅单晶等径生长自动控制。在拉晶实验过程中,发现并解决了影响单晶生长的设备和技术问题,成功实现了半导体级100 mm(4英寸)硅单晶的生长,对单晶成品的相应参数测试表明,使用该类太阳能级单晶炉,通过炉体和热场的改进,能够实现半导体级产品的生产,可有效利用闲置设备和资源,并为今后该类型的大规模改造和生产奠定了技术基础。     

我国首台12英寸单晶炉研制成功

国家863计划项目“超大规模集成电路配套材料”重大专项中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”项目,日前在北京通过科技部验收。这标志着拥有自主知识产权核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用单晶硅生产设备,在我国首次研制成功。单晶炉是直接法制备硅单晶的关键技术装备,所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。西安理工大学与北京有色金属研究院从2003年起承担“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题的研发任务,经过三年多的攻关,取得了一系列创新性成果和关键技术。所研制的样机均由课题组自主设计和加工,已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。我国首台12英寸单晶炉研制成功$《集成电路通讯》编辑部     

设备材料

我国首台12英寸单晶炉研制成功国家863计划项目“超大规模集成电路配套材料”重大专项中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”项目,日前在北京通过科技部验收。这标志着拥有自主知识产权核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用单晶硅生产设备,在我国首次研制成功。     

国产CCD控制单晶硅炉设备诞生

国内最大的专业制造单晶炉基地企业、北京京运通真空设备厂于2005年11月28日用CCD等径控制法拉制一根6英寸,960mm长的单晶硅棒。此次是继2004年8英寸硅单晶炉研制成功,并投入批量生产后的又一大科学技术突破。此技术缩小了我国与国外单晶炉设备技术的距离,填补了国内的一项空白。国产CCD控制单晶硅炉设备诞生@刘广荣     

用静态升华法生长HgI_2大单晶体及其性质的观测

本文报道了用改进了的静态升华法生长大尺寸优质HgI_2单晶,并对晶体的完整性进行了观测,测量了晶体的透过率和光电特性.实验结果表明,采用这种方法生长HgI_2单晶,设备简单,便于控制成核和生长条件,有利于获得低位错密度大单晶体,是一种行之有效的方法.     

GaAs高压单晶炉框架式籽晶杆传动头的设计

GaAs高压单晶炉是生产GaAs单晶的设备 ;它主要包括机架 (底座 )、籽晶杆传动头、坩埚杆传动头、炉膛及电气控制部分。重点对籽晶杆传动头的框架结构设计和参数的确定进行了讨论。     

微波等离子增强型PVD低温溅射SiGe (C)薄膜

利用微波-电子回旋共振等离子(ECR)增强型PVD设备,低温外延生长了SiGe(C)薄膜。对所制备样品的结晶性、表面形貌和成分与衬底温度、衬底偏置电压的关系进行了讨论,采用反射式高能电子衍射仪(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜的晶体质量和表面形貌进行了分析。结果表明,用单靶制备Si(C)薄膜,在衬底温度为450℃时会得到质量较好的单晶薄膜。而利用双靶制备SiGe(C)薄膜,衬底温度为400℃、衬底偏置电压-15 V时会制备出更好的单晶薄膜。在衬底温度为400℃条件下,添加电流导入端子,在原有设备和衬底温度不变的条件下,当电流导入端子电压为-15 V时,制备的SiGe(C)单晶薄膜材料的AFM均方根粗糙度(Rrms)由原来的0.52 nm降低到0.41 nm。     

直拉法单晶制造中的直径检测技术

自动直径控制（ADC）是直拉法单晶制造中的重要环节，本文详细了直拉单晶的直径检测技术，分析其性能差异，对目前单晶炉设备的设计制造有参考作用。     

有机非线性光学晶体——二苯甲酮的研究

本文首次报道了有机非线性光学材料二苯甲酮(DPK)单晶生长条件和方法。采用降温法在乙醇溶液中培养出50mm×80mm×50mm大尺寸的单晶,对单晶进行了定向形貌分析,测定了红外光谱和质谱,用紫外光谱测试了晶体的透射波段,用1064nm的Nd~(3+):YAG激光辐射晶体产生532nm的倍频光,其倍频强度近似KDP单晶。     

热壁外延ZnSe单晶薄膜

介绍了一种结构更加简单的热壁外延装置,以及用该装置在GaAs(100)面上生长ZnSe单晶外延层的工艺。扫描电镜和X射线衍射分析表明用该装置生长的ZnSe单晶外延层是比较理想的。     

用SEM研究Y系超导单晶的生长习性

本文报道用SEM观察研究R-Ba-Cu-O(R为Y、Gd、Tm)超导单晶的形貌、生长习性、生长台阶,并讨论了单晶生长过程。这些结果对超导单晶生长研究具有重要意义。高温氧化物超导单晶RBa_2Cu_3O_x是用自助溶剂法生长的,Tc(zero)为91K。图1为充分发育的超导单晶的形貌照片。(a)为YBa_2Cu_3Ox(b)为GdBa_2Cu_3O_x,(c)为TmBa_2Cu_3O_x。可见,发育良好的Y系超导单晶外形的矩形片状,具有相交为90°的方角。晶体外形反映了晶体的对称性——正交结构。显露的晶面为(100),(010),(001)等。其中(001)面最大,说明晶体沿C轴方向生长速度最慢。图2为发育初期的晶体,     

蓝宝石晶体生长工艺及设备

介绍了蓝宝石单晶的性质和应用领域,对泡生法、VHGF法等蓝宝石单晶生长工艺进行了说明,对蓝宝石单晶生长工艺及设备的国内外发展趋势进行了探讨。     

水环式真空泵在直拉单晶炉上的应用

分析了采用滑阀式真空泵直拉单晶炉真空系统的缺点;通过改造真空系统,将水环式真空泵应用在直拉单晶炉设备上,提高了直拉单晶炉的整体性能.     

单晶钼酸铅超声光调制器

日本某工厂宣称制订了一套能大量生产在激光打印机上使用的超声光学调制器和用于其他设备上的单晶钼酸铅的生产工艺.单晶钼酸铅可作为超声光调制器用来调制激光光束.由于超声光调制器的温度特性优于常用的光调制装置,因此现已开始广泛用在激光     

SAW用的LiTaO_3单晶的生长

X切割112°YLiTaO_3单晶是用作TV-IF滤波器的最有用的基片材料之一。为了生长供SAW器件使用的LiTaO_3单晶,用提拉法研究了大直径低成本的LiTaO_3单晶的生长条件。用廉价的Pt-Rh坩埚成功地生长出了直径40—50毫米、长50—60毫米的大的LiTaO_3单晶。测量了室温下LiTaO_3单晶的弹性、压电和介电常数。