外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响

综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理.研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等.结果表明,相对于无电场时,适当3强度的电场可显著加快金属诱导横向结晶的速率,场强超过某一临界值则降低该速率,并基于电迁移效应作了较好的解释.对Cu诱导a-Si薄膜横向结晶,在同样条件下,直交流混合电场比单纯的直流电场能引发更高的结晶速率.     

电场增强Ni诱导非晶硅横向结晶及其电迁移效应

在外加直流电场作用下,Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜发生横向结晶.影响Ni诱导a-Si薄膜横向结晶的因素有很多,如场强、反应以及退火条件等.适当强度的电场能显著加快Ni横向诱导a-Si结晶速率,当场强超过某一临界值,则该速率降低.基于电迁移效应,给出较为合理的解释.     

金属诱导非晶硅横向结晶机理研究

本文主要研究金属诱导横向结晶速度与工艺条件的关系,探讨隐含在这些关系背后的制约因素.研究发现金属诱导横向结晶速度在长时间退火过程中下降;非晶硅本身在长时间退火过程中的变化是结晶速度下降的一个原因,而另外一个原因是在横向结晶过程中结晶前锋需要不断从镍覆盖区补充镍元素,而镍在硅中的扩散速度是有限的,因此,当结晶前锋离镍覆盖区距离远时,这种补充过程就开始制约横向生长速度.通过对这些结果的分析提出了金属诱导结晶的理论.     

Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶

采用Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶SiGe薄膜.通过X射线衍射(XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶SiGe薄膜特性进行了表征,并对退火气氛中氧的存在对非晶SiGe结晶的影响进行了研究.研究表明Ni的参与可以显著降低非晶SiGe薄膜的结晶时间以及结晶温度;退火气氛中氧的存在对非晶SiGe结晶有明显阻碍作用;采用先在高纯N2(99.99%)气氛下快速热退火(RTA)预处理,再在普通退火炉中长时间退火的方法可以明显改善非晶SiGe薄膜的结晶情况.     

Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶

采用Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶SiGe薄膜.通过X射线衍射(XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶SiGe薄膜特性进行了表征,并对退火气氛中氧的存在对非晶SiGe结晶的影响进行了研究.研究表明Ni的参与可以显著降低非晶SiGe薄膜的结晶时间以及结晶温度;退火气氛中氧的存在对非晶SiGe结晶有明显阻碍作用;采用先在高纯N2(99.99%)气氛下快速热退火(RTA)预处理,再在普通退火炉中长时间退火的方法可以明显改善非晶SiGe薄膜的结晶情况     

Ni金属诱导晶化非晶硅(a-Si:H)薄膜

对在氢化非晶硅薄膜（a-Si：H）上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化（MIC）／金属诱导横向晶化（MILC），制备多晶硅薄膜（p-Si）的上艺及薄膜特性进行了研究。XRD测最结果表明非晶硅在500℃退火1h后就已经全部晶化。金属诱导晶化的优选晶向为（220）．而且晶粒随退火时间的延长而长大。非晶硅薄膜样品500℃下退火6h后的扫描电镜照片显示，原金属镍覆盖区非晶硅全部晶化．晶粒均匀．平均晶粒大小约为0．3μm，而且已经发生横向晶化。EDS测试Ni在晶化的非晶硅薄膜中的原子百分含量分析表明，金属Ni在MILC过程中的作用只是催化晶化．除了少量残留在MILC多晶硅中外．其余的Ni原子都迁移至晶化的前沿。500℃下退火20h后样品的Raman测试结果也表明．金属离子向周边薄膜扩散．横向晶化了非晶硅薄膜。     

MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管

金属诱导横向结晶技术制备的多晶硅薄膜具有晶粒尺寸大且不随薄膜厚度而减小的特点,本文根据这一特点提出利用超薄沟道结构提高薄膜晶体管性能.采用超薄结构后,成功地将金属诱导结晶薄膜晶体管的漏电降到10-13A/μm以下;开关比提高了近100倍达到3×107以上;场效应迁移率从普通结构晶体管的80cm2/Vs(NMOS)与51cm2/Vs(PMOS)分别提高到110cm2/Vs与68cm2/Vs;阈值及亚阈摆幅也有很大改善.文中还将金属诱导结晶与传统固相结晶所得薄膜晶体管的性能进行了比较,并对这些结果进行了讨论.     

金属诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅的生长研究

详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响。结果显示 ,晶化生长速度受温度影响较大 ,其最大生长速度在 6 2 5℃附近。在较高的温度下 ,非晶自发成核和晶化 ,从而限制了金属诱导晶体生长速度。镍诱导源的长度和厚度也对晶体生长有影响 ,文中对其影响机理进行了讨论     

金属诱导横向晶化非晶硅薄膜技术及新发展

金属诱导横向晶化技术(MILC)由于具有晶化温度低、晶化颗粒大等优点而获得了快速发展。阐述了金属诱导横向晶化非晶硅薄膜的晶化机理、晶化效果及影响晶化效果的主要参数,并介绍了基于多种辅助措施,如离子掺杂、电磁场辅助、微波退火、激光退火、氮硅化合物覆盖法和焦耳热升温法等方法,以优化金属诱导横向晶化非晶硅薄膜。辅助措施均有利于增强晶化效果,更易获得大面积无孪晶多晶硅薄膜,并具有较高的载流子迁移率。最后提出采用微纳金属阵列结构调控晶化能量,实现低温、高速、大晶粒直径的多晶硅薄膜制备新方法。     

耗尽区调制对氢化MILC Poly-Si TFT热产生漏电的影响

研究了热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.从理论上论证了热载流子应力下氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电中的耗尽区调制效应的存在.并利用正、反向测量模式,从实验上进一步确认这种效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.发现在热载流子应力下,正、反向测量模式时,氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电均随应力时间的增加而减小.但由于漏极和源极附近沟道区的表面势受热空穴注入影响的程度不同,热载流子应力下,正、反向测量模式的热产生漏电减小程度不同.理解热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响,有助于成功设计电路.     

用微硅层析法制作的微型硅传感器

主要介绍1种用硅的微机械加工技术研制的硅电容式传感器，采用电容层析法(ECT)技术可检测尺寸为50μm左右的微小粒子。其中的主要技术有硅材料的微机械加工技术，特厚光刻胶的匀胶曝光技术，微集成电镀技术。     

Silicon Microrefrigerator

We fabricated a silicon microrefrigerator on a 500-$mu$m-thick substrate with the standard integrated circuit (IC) fabrication process. The cooler achieves a maximum cooling of 1$^circ$C below ambient at room temperature. Simulations show that the cooling power density for a$hbox40times hbox40 muhboxm^2$device exceeds 500$hboxW/cm^2$. The unique three-dimensional (3-D) geometry, current and heat spreading, different from conventional one-dimensional (1-D) thermoelectric device, contribute to this large cooling power density. A 3-D finite element electrothermal model is used to analyze non-ideal factors inside the device and predict its limits. The simulation results show that in the ideal situation, with low contact resistance, bulk silicon with 3-D geometry could cool$sim hbox20 , ^circhboxC$with a cooling power density of 1000$hboxW/cm^2$despite the low thermoelectric figure-of-merit (ZT) of the material. The large cooling power density is due to the geometry dependent heat and current spreading in the device. The non-uniformity of current and Joule heating inside the substrate also contributes to the maximum cooling of silicon microrefrigerator, exceeding 30% limit given in one–dimensional thermoelectric theory$DeltaT_max=hbox0.5hboxZT_c^2$, where$T_c$is the cold side temperature. These devices can be used to remove hot spots on a chip.     

Silicon optics

Arroyo Optics, a flexible wavelength management solution manufacturer, and Lightcross Inc, a manufacturer of integrated, silicon-based optical products for telecoms equipment have agreed to merge. Arroyo Optics, the resulting company, will comprise technologies and products developed with over $50m of combined R&D capital provided by private equity investors. Both companies focus on products targeting fibre optics infrastructure applications.Visit www.three-fives.com for the latest advanced semiconductor industry news     

Silicon CREATiONS

正About SilicoN Creations Silicon Creations provides world class silicon IP for precision and general purpose timing(PLLs),SerDes and high-speed differential IOs.We have a deep commitment to our customer's success and to providing complete support.Our careful development procedures and strong QA result in robust and correct designs.And in our labs we comprehensively test all key blocks.As a     

Silicon Photonics

After dominating the electronics industry for decades, silicon is on the verge of becoming the material of choice for the photonics industry: the traditional stronghold of III-V semiconductors. Stimulated by a series of recent breakthroughs and propelled by increasing investments by governments and the private sector, silicon photonics is now the most active discipline within the field of integrated optics. This paper provides an overview of the state of the art in silicon photonics and outlines challenges that must be overcome before large-scale commercialization can occur. In particular, for realization of integration with CMOS very large scale integration (VLSI), silicon photonics must be compatible with the economics of silicon manufacturing and must operate within thermal constraints of VLSI chips. The impact of silicon photonics will reach beyond optical communication-its traditionally anticipated application. Silicon has excellent linear and nonlinear optical properties in the midwave infrared (IR) spectrum. These properties, along with silicon's excellent thermal conductivity and optical damage threshold, open up the possibility for a new class of mid-IR photonic devices     

硅光子学

硅光子学有六个主要研究领域,包括产生光、在硅中选择地引导和传输光、编码光、探测光、包装器件和智能地控制这一切光子功能。综述了以上各领域的研究进展。     

标准单元ASIC／FPGA的权衡与结构化ASIC

看来您已认定,采取购买并组装现成的专用标准产品(ASSP),如嵌入式控制器、外设芯片等,然后再编写您自己的软件这种做法将不能使您设计的产品与您竞争对手的产品有足够大的差别.因此,您会决定选择芯片级设计.两大硅平台竞争对手及其各自的折衷方案已经在各种工业论坛上引起广泛的争论.不过如果您刚涉足这场争论,则很有必要了解下述有关争论的概要.