时间分辨热透镜法研究多原子分子的振动弛豫

本文用时间分辨热透镜技术研究多原子分子的 V-T/R 弛豫过程。选频的脉冲 TEA CO_2激光器用作激发光源,单模稳频 He—Ne 激光器用作探测光源,实验得到以下结果:1.测得 C_2H_4在高振动激发时的总包 V—T/R 弛豫速率和低振动激发时的弛豫速率在误差范围内无差异。表明高振动激发的 C_2H_4分子对总包 V—T/R 弛豫影响不大。2.激发 C-2H_4(v_7,949cm~(-1)),CCl_2F_2(v_6,922cm~(-1)),C_2Cl_3F_3(v_(16),1046cm~(-1),CH_3OH(v_4,1034cm~(-1))分子,测出它们的 V—T/R 弛豫速率分别为7.9ms~(-1)·torr~(-1)(±15%),21.4ms~(-1)·torr~(-1)(±15%),196ms~(-1)·torr~(-1)(±25%)和206ms~(-1)·torr~(-1)(±25%)。弛豫速率间的     

高精度温度传感器

日本村田制造公司研制出一种低成本薄膜温度传感器.这种温度传感器是通过把1～2微米厚的白金电阻图形印在高纯度氧化铝基片上制成的.其工作温度范围为-50℃～+600℃.允许电阻值误差为±0.06%(A级)和±0.12%(B级),电阻温度系数为为3850±5ppm/(A级)和3850±12ppm/C(B级).线性为0.6℃     

印刷用分子银电极浆料的研制

采用高效的球磨制浆工艺制备分子银印刷电极浆料,使制浆耗时缩短到传统球磨工艺的1/40～1/50。浆料均匀、细滑,粘度为25±5Pa·s(25℃),印刷时丝网不粘片,“堆烧”时瓷片间不粘附,烧渗后的银层厚度(5～7μm)适中,表面平整光亮、结构致密、可焊性好,当焊槽温度为230±5℃时,耐焊时间≥5s,表面焊锡光滑明亮,附着强度>9.8N/mm~2,且能与各种瓷料配合,完全满足了引进的陶瓷电容器生产线的工艺要求。经用户批量使用,确认可替代进口的同类产品。     

聚合物电光调制器行波电极系统

设计了20 GHz聚合物光波导电光调制器CPW电极系统。制作和测试了分别用 Si、石英、玻璃做衬底的CPW电极系统。结果表明,石英衬底CPW电极质量最好,在中心电极宽度 W=20μm、电极间距G=50μm和电极厚3μm条件下,其实测损耗系数α0=0.32 dB·cm-1·GHz-0.5,实测微波等效折射率Nm=1.689,与理论值符合。在偏离此α0 和 Nm±10%的情况下,对于互作用区电极长度为 L=23.7 mm的调制器,估算带宽仍大于37 GHz。讨论了Si衬底CPW电极传输损耗很大的原因。     

信息产业部电信研究院泰尔认证中心发布8种电信产品新标准认证实施要求

序号检验项目指标要求变更检测意见1热缩材料破裂强度RSBA、RSYA:≥2500N;RSBJA:≥2000R≥S2B A50、0R SYA:≥3000N;RSBJA:新标准指检标测降低,不必2热熔胶剥离强度试样在(60±2)℃下预处理30min试样在(60±2)℃下预处理20min检测3温度循环试样充气(40±2)kPa试样充气(35±2)kPa针对非气压型,检测4静负荷试样充气(40±2)kPa试样充气(35±2)kPa针对非气压型,检测5振动试样充气(40±2)kPa试样充气(35±2)kPa不必检测6弯曲试样充气(40±2)kPa试样充气(35±2)kPa不必检测7高温密封性试样充气(40±2)kPa试样充气(35±2)kPa针对非…     

Ni电极X8R多层陶瓷电容器的制备及性能

采用具有抗还原性的X8R瓷粉、镍内电极浆料和柔性导电端头浆料为原料,制备了Ni电极X8R多层陶瓷电容器(MLCC),研究了烧结升温速率以及柔性导电端头浆料对所制MLCC性能的影响。结果表明:最佳烧结升温速率为2℃/min,制备的Ni电极X8R-MLCC在-55～+150℃范围内,容量变化率≤±15%,电性能优良,可靠性高,适用于汽车电子等高温应用领域。     

无源与分立器件

Saelig公司表面贴装晶体Saelig公司推出x42系列表面贴装晶体,微型封装,尺寸为4×2.5×0.6毫米。频率范围从12到50MHz,该新型X42系列晶体采用镀金陶瓷基座和缝焊金属盖,性能稳定,老化效应很低。X42系列晶体是专门为小型手持通信设备如PDA、GPS和蓝牙产品等应用而设计的。在-10℃到+60℃温度范围内,频率稳定度±5ppm;在-30℃到+85℃温度范围内,频率稳定度为±10ppm。技术规格包括:AT-ct基频从12到50MHz,校准容限在25℃时为±5pp(m标准为±10,±20或±30ppm),25℃时老化小于每年±3ppm,最大驱动水平为100uW,寄生电容(CO)典型值为2到4pF…     

5G7650使用中应注意的问题

5G7650是采用 CMOS工艺制作的第四代集成运算放大器,又称斩波稳零运算放大器。一、5G7650简介 5G7650的特点是:1.极低的输入失调电压(1μV);2.极低的温漂(0.01μV/℃);3.极高的输入阻抗(≥10~(12)Ω);4.极高的共模抑制比(>120dB);5.较快的转换速率(2.5V/μs);6.在输入输出端只有极微小的斩波尖峰泄漏;7.工作电源电压范围为±3V～±8V;8.低成本。它的管脚排列如图1所示。图1(α)为8脚引出线TO-5型封装,图1(b)为14脚双列直插封装。图1(α)各引出脚说明如下:脚1为C_A,脚2为反相输入,脚3为同相输入,脚4为负电源,脚5为空脚,脚6为输出,脚7为正电源。脚8为C_B;     

BNT掺杂对0.95BaTiO_3-yNb_2O_5-(0.05y)Co_2O_3材料的影响

采用固相合成工艺制备了Bi0.5Na0.5TiO3(BNT),研究了BNT掺杂对符合X7R特性的0.95BaTiO3-yNb2O5-(0.05 y)Co2O3(BTNC)材料介电性能的影响。结果表明,掺入质量分数0.5%～2.0%的BNT的BTNC在–55～+150℃的容温变化率在±15%以内,且在室温和1 kHz下,其εr为2 615,tanδ为1.41×10–2,符合X8R特性。     

单列直插式电阻网络的研究

研制了一种高精度、低温度系数单列直插式电阻网络。通过优选电阻材料 ,改进工艺条件、激光调阻方法、包封工艺等解决了研制中出现的问题 ,使相对精度达到 0 0 3 % ,绝对精度达到± 0 0 2 % ,|α|≤ 7 61× 10 -6℃ -1,跟踪α≤ 5 0× 10 -6℃ -1,完全符合使用要求。     

金属氧化膜电阻器电阻温度系数的改善

导致金属氧化膜电阻器失效的主要因素是膜层结构变化、电解和接触部分老化。为了减少失效，改善电阻温度系数α，在生产实践中控制工艺参数及关键工序（镀膜、热处理、刻槽、涂漆）的质量，其中重点是镀膜。通过调整镀膜靶材，Ｈ靶：α从大于１５０×１０－６℃－１调整在±６０×１０－６℃－１之内；Ｆ靶：α从大于２００×１０－６℃－１调整在±１２０×１０－６℃－１之内，提高了金属氧化膜电阻器的可靠性。     

热作用致良性前列腺增生组织对激光的光穿透深度变化的比较研究

【摘要】 目的 研究热作用下人良性前列腺增生(BPH)组织对532, 670, 830和1064 nm的激光的光学特性的变化及其差异。方法 实验采用双积分球测量系统以及反向倍增法获取BPH组织的光学特性。结果 在20℃到80℃的温度范围内,BPH组织对532, 670, 830和1064 nm的光学穿透深度都是随着激光波长的增大而增大的,其对532, 670, 830和1064 nm的光学穿透深度都是随着热作用温度的变化而改变的,随着热作用温度的升高,BPH组织对1064 nm的光学穿透深度的变化显著地较其对532, 670, 830 nm的光学穿透深度的变化都要大得多(P﹤0.05),其对532, 670, 830和1064 nm的光学穿透深度的最大值分别在50, 50, 50和70, 70℃,其值分别为(0.404±0.010), (0.539±0.014), (0.699±0.018)和(5.917±0.148) mm,最小值分别在20, 20, 80和60℃,其值分别为(0.251±0.006), (0.449±0.011), (0.621±0.016)和(1.542±0.039) mm。结论 热作用下BPH组织对不同波长的激光的光学穿透深度的变化的测量结果可为的激光的光热治疗BPH提供一点有益的参考数据。     

ZnO对钙长石/莫来石复合材料性能的影响

以钙长石和莫来石等为主要原料,制备了与硅芯片相匹配的新型复合材料。研究了烧结助剂ZnO的加入量、烧结温度和显微结构等因素对材料性能的影响。结果表明:当w(ZnO)为8%时,该复合材料烧结温度为1000℃,其主要性能如下:在1MHz下εr为6.48,tanδ为4.00×10–3,抗折强度为76.29MPa,αl(25~500℃)为3.44×10–6℃–1。     

CSBT-BNT-NT系高介瓷料α_ε系列化的研究

进行了具有高介电常数的 (Ca,Sr,Ba) Ti O3(CSBT) - Ba6 - 3x Nd8+ 2 x Ti1 8O5 4 (BNT) - Nd2 Ti2 O7(NT)系瓷料介电常数温度系数 (αε)系列化的研究 ,采用多相混合控制技术 ,按李赫涅德凯混合法则 ,调整该三元系瓷料αε系列。研制的瓷料介电性能 :εr=90～ 15 0 ;tgδ( 2 0℃ ,1 MHz) ≤ (0 .5～ 5 .0 )× 10 - 4 ;αc( - 2 5～ + 85℃ ) =((0～ - 75 0 )± 6 0 )× 10 - 6℃ - 1 ;ρv( 2 0℃ ,DC 1 0 0 V) ≥ 10 1 2 Ω· cm。     

熔盐法合成α-Al_2O_3粉体的研究

以Al2(SO4)3·18H2O为原料,采用NaCl-KCl熔盐法合成了α-Al2O3粉体。研究了焙烧温度、熔盐含量、焙烧时间和添加晶种含量等对产物晶型和形貌的影响。结果表明:当熔盐与原料的摩尔比为3,在1000℃下焙烧3h,或添加质量分数5%的α-Al2O3晶种在900℃下焙烧3h,均可合成晶化程度高,团聚少,粒径分布均匀的α-Al2O3超细粉末。说明添加α-Al2O3晶种可明显促进Al2O3相变。     

(Sr,Pb)TiO_3系V形PTCR陶瓷材料的研制

研究了原材料、液相添加剂ＢＮ对Ｙ３＋掺杂的（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明,添加剂ＢＮ能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ２５和烧结温度。用常规的制备方法制得居里温度ＴＣ≈２１０℃、ρ２５≤５．０×１０３Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１３％℃－１、电阻率ρ突变比ρｍａｘ／ρｍｉｎ＞５．０×１０３的Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷材料。     

低温烧结锶系PTC材料的研制

为了降低(Ba,Sr)TiO3的烧结温度,以PbO、BN为矿化剂,采用固相反应法制备了样品。研究了ζ(PbO:BN)在低温烧结状态下对锶系PTC材料性能的影响。结果表明:当ζ(PbO:BN)为4:3时,样品在1182℃能半导化,且获得了特性较好的PTC材料:tC为64.9℃,R25为125Ω,ρmax/ρmin为2.553×105,温度系数α10/25为12.54%℃–1,耐电压Vb为696.7V。     

Structural effects of heating gold-based contacts to gallium phosphide

The formation of α′ AuGa was observed by X-ray diffraction in situ upon heating Au/Ni/Au-Ge/GaP(111) in nitrogen to ≥ 438 ± 12°C and subsequent cooling to 300°C. No AuGa phase formation was observed without cooling, suggesting that the reaction product was a liquid at the reaction temperature. The amount of α′ increased with increasing reaction temperature for the same reaction time. The peritectic transformation of α′ to α and liquid AuGa solution was observed reversibly upon subsequent heating to 388 ± 12°C. After the AuGa phase formation in Au/Ni/Au-Ge/GaP(111), scanning electron microscopy and X-ray spectroscopy revealed ～ 20 μm interconnected Au-rich islands and ～ 2μm Ni-rich islands in a matrix which was Ga- and P-rich. In Au/GaP, Au-Ga phase formation was observed ex situ after heating in hydrogen to ≥ 475 ± 25°C, and a change from Schottky to near ohmic behavior was observed ex situ after heating in hydrogen to ≥ 400°C; neither AuGa phase formation nor appreciable change in the Schottky characteristic was observed when heated in nitrogen up to 550°C.     

Zn-Zr共掺对0.95MgTiO_3-0.05CaTiO_3陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xZrx)O3介质陶瓷。研究了Zn-Zr共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷介电性能的影响。结果表明:Zn-Zr共掺杂能有效降低95MCT陶瓷的烧结温度至1 300℃,改善介电性能,并对介电常数温度系数αc具有调节作用。当Zn2+和Zr4+掺杂量均为摩尔分数0.02时,在1 300℃烧结2.5 h获得的95MCT陶瓷具有最佳介电性能:εr=22.02,tanδ=2.78×10-4,αc=2.98×10-6/℃。