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一种锁定半导体激光器频率的新方法 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了一种实现半导体激光器频率锁定的新方法:通过交流磁场对法拉第反常色散光学滤波器(FADOF)的透射谱进行调制,将半导体激光器的频率锁定在FADOF的透射谱上。在B=1.76×10~(-2)T、T=120℃条件下,利用一阶导数稳频技术,测得1s和10s取样时间的频率稳定度分别为1.5×10~(-10)和5.8×10~(-11)。 相似文献
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周宗华 《高分子材料科学与工程》1988,(3)
本文研究了由聚酰胺酸制备聚酰胺酰亚胺薄膜的条件及其对薄膜性能的影响。研究结果表明:聚酰胺酸薄膜热处理温度、张力、升温速度等对酰亚胺化反应及其薄膜的性能都有影响。此聚酰胺酸薄膜试样在常压下,用2.94MPa的张力,以16℃/分的升温速度从室温逐步加热到330℃进行拉伸热处理,则可制得取向性好、机械强度高的耐热聚酰胺酰亚胺薄膜。它的双折射值可达341×10~(-3),杨氏模量为9.6×10~(-10)达因/厘米~2,抗张强度达0.55 GPa。为淡黄色透明的、高强度耐热的工程用塑料薄膜。 相似文献
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采用溶胶 -凝胶 (Sol -Gel)工艺在普通Na -Ca -Si玻璃基体上成功地制备出高c轴择优取向性、高可见光透光率以及高电导率的Al3 + 离子掺杂型ZnO薄膜。利用SEM、XRD以及UVS光谱仪等分析方法对不同工艺下制备的薄膜进行了研究 ,结果显示 ,所制备的薄膜为纤锌矿型结构 ,表面均匀、致密 ,薄膜材料晶粒尺寸大约为 5 0~ 2 0 0nm左右 ,薄膜可见光透光率最大可达 99% ;对薄膜的厚度以及电学性能进行了测定后发现 :单次镀膜厚度约为 3 0~ 5 0nm ,Al3 + 离子掺杂型氧化锌薄膜的电阻率在 2 .5 2× 10 -3 ~ 2 .94× 10 -3 Ω·cm范围内 ,其霍尔系数在 6.2 5× 10 -7~ 2 .3 6× 10 -7cm3 /C范围内 ,载流子浓度在 1×10 2 5~ 2 .64× 10 2 5cm-3 范围内 ,霍尔迁移率在 2 .48× 10 -4 ~ 8.0 3× 10 -5cm2 /V·s范围内 ,在太阳能电池透明光电极领域中极具潜在的应用价值。 相似文献
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用 CaF_2单晶作固体电解质,构成了氟化物-氧化物原电池(?)及(?)测得电池的可逆电动势为E_1=-0.063+1.43×10~4×T(V)E_2=0.089+1.68×10~(-4)×T(V)从而计算了由纯氧化物生成 BaCuO_2(011相)及 YBa_2Cu_3O_(6.5(?)δ)(123相)的标准生成自由能变化:△G_(011)~0=-10.5+1.8×10~(-3)×T(×4186.8J/mol)△G_(123+δ)~0=-19.0+(7.4-1.6×δ)×10~(-3)×T(×4186.8J/mol)在计算△G_(123+δ)~0时考虑了氧的非化学计量系数δ。 相似文献
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掺Nb的SrTiO_3内边界层高介电常数材料 总被引:5,自引:1,他引:4
掺 Nb 的 SrTiO_3内边界层高介电常数材料,其相对介电常数(?)值高达7.2×10~4,介电耗损角正切 tgδ<2.5×10~(-2),介电常数的温度系数α_r<2.0×10~(-3)K~(-1),电压系数α_v<5.0×10~(-3)V~(-1)。它不仅是制作电容器的极好材料,而且是压敏电阻材料,其微分电导 dI/dV 在小于击穿电压范围为:(1.15/V~(1/2))×10~(a+bV~(1/2))。材料的特性跟烧结后的晶粒尺寸、过量的 TiO_2和扩散杂质的选择有极其密切的关系。 相似文献
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在溅射或蒸镀半导体薄膜、冶金精炼、气体激光管的制造等所应用的真空系统中,都需要首先抽到约10~(-4)帕(约10~(-6)托)的高真空,然后引入氩、氮、氢、氦或氖等纯气体到10~(-1) -10~2帕(约l0~(-3)—1托)的高压范围,某些场合还要求所充气体的压强测量值有一定的精度。全量程为1.33×10~(-4)-1.33×1O~2帕(1×10~(-6)-1托,测氮压值)的DL-8型高-压强电离真空规(以下简称DL-8规)能够满足这些需要。由于DL-8规的电极结构和工作电参量与其它类型的电离规不同,其测量氩、氢、氖和氦等气体压强相对于 相似文献
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作者用圆形磁控溅射装置,在氩和氮的混合气氛下淀积氮化钛薄膜。卢瑟福背散射谱和俄歇电子谱分析表明薄膜的化学配比为TiN。X射线衍射仪和透射式电子显微镜分析显示此种薄膜为多晶结构,晶粒大小为50~200埃。分光光度计测量结果表明在0.5~16微米波长范围内,它的光学反射率与纯金薄膜相似。氮化钛薄膜的电阻率为40~100微欧·厘米,它和N~+硅(电阻率为0.001欧姆·厘米)的接触电阻为6×10~(16)欧姆·厘米~2,和p型硅(电阻率为0.05欧姆·厘米)的接触电阻为6×10~(-3)欧姆·厘米~2。 相似文献
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本文从市售田菁粉中分离出半乳甘露聚糖,经纯化分级后得到分子量从1.78×10~3到9.8×10~3的七个级分。用粘度法、小角光散射法和广角激光光散射法测定了各个级分在水中25℃时的[η]、M_(?)、A_2和R_g,得到它们与分子量的关系为[η]=1.88×10~(-2)M~(-0.3),A~2=3.55×10~(-3)M~(-0.65),R_g=4.70×10~(-2)M~(0.56);利用[η]/M~(1/2)=φ(r_o~2/M)~(3/2)+BM~(1/2)求得r_o~2/M=0.0145(nm~2);利用R_g~2/M=R-(gO)~2/M+K(R_(gO)~2)~5/2 M~2/R_g~3求得R_(gO)~2/M=0.0067(nm~2),α=0.518M~(0.06);利用Yamakawa-Fujii-Bohdanecky的蠕虫型圆柱体模型求得:M_2=457(nm~(-1)),(r_o~2/M)_∞=0.0167(nm~2)λ~(-1)=7.63(nm),ρ=3.82(nm),d=0.82(nm),L=2.19×10~(-3)M,C_∞=14.8,证明半乳甘露聚糖的主链略带刚性,但比三硝基纤维素柔软,可以用蠕虫状模型处理。 相似文献
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利用常规的层状结构的空间电荷限制电流法,测得了具有一定厚度 d 的 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 和 GD-a-Si_(1-x)N_x∶H 膜不同含量 x 时的隙态分布 N(E):对 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜(d(?)1μm),当 x 为0、0.1、0.8时,平衡费米能级附近处的隙态密度 N(E_(?)~o)分别为2×10~(15)、4×10~(15)、6.2×10~(16)/cm~3·eV,对 GD-a-Si_(1-x)N_x∶H 膜(d(?)1μm),当 x 为0、0.05、0.2时,N(E_F~o)分别为2×10~(15)、3×10~(15)、4.5×10~(16)/cm~3·eV;得到了 GD-a-Si∶H 膜的隙态分布与膜厚度的关系,发现随着膜厚度的增加 N(E_F~o)在减小,当 d<1μm 时,N(E_F~o)约为10~(16)/cm~3·eV 的数量级,当 d>1μm 时,N(E_F~o)约为10~(15)/cm~3·eV 的数量级。对共面电极结构的样品,用温度调制空间电荷限制电流法(TM-SCLC),测得了 GD-a-Si∶H 膜的隙态分布,并对光处理前后的样品进行比较,发现强光照后存在有光诱导效应。我们对所得结果作了初步说明。 相似文献
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采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜.用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层,在衬底PZT(seed layer)/Pt/Ti/SiO2/Si上用射频磁控溅射过量10%Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜.采用在450℃预退火,575℃后退火的快速分级退火方法对PZT铁电薄膜进行热处理.PZT铁电薄膜获得了较好的热释电性能,热释电系数、介电常数、介电损耗和探测度优值因子分别为P=2.3×10-8C·cm-2·K-1,ε=500,tanδ=0.02,Fd=0.94×10-5Pa-0.5. 相似文献
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用熔盐提拉法培育了掺 Cu~(2+)离子的 KTa_(1-x)Nb_xO_3(KTN∶Cu,x=0.32)晶体;在±160℃范围内测量了介电常数、介质损耗、自发极化强度和热释电系数;用 Ar 激光和二波混频法测量了室温下的光折变性能;扼要讨论了它的铁电相变特点和光折变性质.结果表明,该晶体的两个铁电-铁电相变为一级相变,而它的铁电相变已开始趋向于二级相变;室温立方相的衍射效率已高达52%,光折变灵敏度为3.2×10~(-6)cm~3/J,光折变动态范围Δn 为2.33×10~(-5),表现出良好的光折变应用前景. 相似文献
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建立反相高效液相色谱法同时测定洁康舒洗剂中大黄酸、大黄素和大黄酚含量的方法。采用反相高效液相色谱法。symmctry C18柱(3.9×150mm,5μm)流动相为甲醇—水—磷酸(80:20:0.1);流速为1.0mL·min-1;检测波长为432nm。大黄酸、大黄素和大黄酚的回归方程分别为:C1=7.3159×10-1+1.8966×10-5A,r=9994,C2=1.0513+1.5680×10-5A,r=0.9999C3=1.2260-1.4684×10-5A,r=0.9999三者分别在7.60~38.0μg·mL-1、1.75~8.75μg·mL-1、2.4~12.OOμg·mL-1范围内呈线性关系。平均回收率和RSD分别为98.02%、96.63%、97.05%和1.78%、1.20%、1.15%。该方法操作简便,测定结果准确可靠,可用于测定洁康舒洗剂中大黄酸、大黄素和大黄酚的含量。 相似文献