第七届全国化合物半导体和微波、光电器件学术会议简况

<正>由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第七届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1992年8月26日至30日在河北省北戴河召开。参加这次学术年会的代表来自全国40个单位,184人。机电部总工程师俞忠钰出席了大会,并就我国电于工业的发展作了重要讲话。会议录用论文176篇,其中特邀报告8篇,在大会上宣读了4篇。它们是:国家自然科学基金委员会许振嘉研究员的“金属-砷化镓研究”;北京大学秦国刚教授的“发可见光的多孔硅”;北京电子管厂苏里曼高级工程师的“InP异质结晶体管”和河北半导体研究所所长毕克允的“集中力量发展我国的砷化镓技术”。     

第七届全国半导体集成电路和硅材料学会年会在成都召开

中国电子学会半导体与集成技术学会和电子材料学学会联合主办的“第七届全国半导体集成电路和硅材料学术年会”于1991年9月12日至15日在成都市电子科技大学召开。来自全国81个单位约300名代表参加会议。 本届年会收到论文512篇,其中318篇收入本届论文集。大会特邀报告有:俞忠钰教授的     

第二届全国化合物半导体及微波光电器件学术年会即将在昆明召开

<正>继1979年南京第一次“全国化合物半导体及微波光电器件学术年会”后,“第二届全国化合物半导体及微波光电器件学术年会”论文征集及评审工作业已结束,并定于今年第四季度在昆明召开.这次学术年会是由中国电子学会半导体及集成电路和半导体材料两个分会共同主持并委托河北半导体研究所、中国科学院半导体研究所、电子工业部电子材料研究所三个单位负责筹办的.会议共收到一百三十多篇论文,由全国八个单位共十一人组成的评选小组,从全部论文中选出大约一百篇,准备分成材料、微波器件和光电器件三个小组进行宣读.此外,还有几篇特邀报告将在大会上宣讲.     

全国化合物半导体和微波光电器件学术年会在泉州召开

中国电子学会电子材料学会和半导体与集成技术学会于1986年12月13日～18日在福建省泉州市召开了“第四届全国化合物半导体和微波光电器件学术年会。来自全国46个单位,160名代表出席了会议 年会期间宣读论文101篇,大会报告7篇论文,按材料工艺、材料特性、微波器件和光电器件四个专业组进行交流。     

第六届全国半导体集成电路和硅材料学术年会将在武汉市召开

由中国电子学会半导体与集成技术学会和电子材料学学会联合召开的第六届全国半导体集成电路和硅材料学术年会已经筹备就绪,即将于1989年11月初在湖北省武汉市华中理工大学会议中心召开。本届年会共收到大会特邀报告和应征论文270余篇,内容涉及硅材料的制备与性质,理化分析方法与测     

第五届全国集成电路和硅材料学术年会在福州举行

<正> 由中国电子学会半导体与集成技术学会、中国电子学会电子材料学学会和福建省科委联合举办的第五届全国集成电路和硅材料学术年会于1987年11月24日至28日在福建省福州市举行。出席会议的高等院校、研究所、工厂的代表300余人,国内一些知名的学者、专家参加了会议,并作了专题学术报告。 大会对收到的论文邀请学者、专家和科技人员进行评审,会议出版了“第五届全国半导体集成电路和硅材料学术会议论文集”。共收入论文报告306篇,其中特邀报告7篇,硅材料及其性质研究40篇,理化分析44篇,MOS集成电路研究82篇,双极型集成电路研究38篇,集成电路工艺95篇。     

第五届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术会议

<正> 由中国电子学会半导体与集成技术和电子材料学会主持召开的第五届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1988年10月31日～11月6日在江西庐山召开。参加这次学术会议的有来自全国各地的有关研究所、高等院校、国家专利局、工厂等单位的代表154人。会议编辑出版的论文集共刊出155篇论文。大会报告了六篇论文,它们是:中国科学院半导体研究所研究员、所长王启民的《半导体光电子器件与OEIC的发展》;中国科学院上海冶金所研究员彭瑞伍的《Ⅲ-V族锑化物材料的进展》;中国科学院半导体所研究员梁骏吾的《Ⅲ—V族化合物中杂质与缺陷的相互作用》;中国科学院长春物理所高级工程师吕安德的《原子层外延及其进展》;河北半导体研究所高级工程师、副总工程师梁春广的《InAIAs/InGaAs/InP MESFET研究》;南京电子器件研究所高级工程师黄廷荣的《化合物半导体光逻辑器件研究现状及研究战略》。     

简讯

由中国电子学会半导体与集成技术学会和生产技术学会共同的举办第六届全国电子束、离子束、光子束学术年会于1991年3月11日～13日在北京国际会议中心举行。出席这次大会代表共160余人。 大会特邀报告5篇,论文106篇。这样论文集中反映了第五届“三束”年会后二年多来,我国在“三束”设备和“三束”技术及其在科研生产应用方面的进展和现状。论文内容主要在微电     

第三届全国半导体化合物、微波和光电器件学术会议简讯

<正>中国电子学会半导体与集成技术学会和电子材料学会于1984年12月4日至8日在四川省永川市举行第三届全国半导体化合物材料、微波和光电器件学术会议.参加会议的代表来自39个单位、共127名.会上宣读的论文共150篇,其中大会报告8篇,有关化合物半导体材料的论文63篇,微波器件方面的25篇,光电器件方面的42篇,其它通用工艺的论文12篇.     

第二届全国半导体化合物材料、微波和光电器件学术会议简讯

<正>中国电子学会半导体与集成技术学会、电子材科学会和中国空间科学会于1982年12月2至6日在昆明联合举办第二届全国半导体化合物材料、微波和光电器件学术会议.参加会议的代表来自37个单位,共156名.会上宣读的论文共124篇;共中大会报告五篇,其余119篇     

砷化镓场效应管研制与应用、微波集成电路结构与工艺学术讨论会简况

<正>中国电子学会半导体与集成技术学会和微波学会联合召开的砷化镓场效应管(GaAsFET)研制与应用、微波集成电路(MIC)结构与工艺学术讨论会,于1984年5月7日至11日在福建省泉州市举行.会议由南京固体器件研究所、上海微波技术研究所和泉州半导体器件厂共同组织,到会有来自全国的研究所、工厂、部队和大专院校42个单位的科技人员、教授和专家76人.会议收到有关GaAs FET的论文报告共30篇,会上宣读26篇,其中器件设计制造和测试分析5篇,放大器18篇,振荡器和高频头5篇,计算机应用2篇;有关MIC结构与工艺论文报告共34篇,会上宣读21篇,其中工艺研制8篇,设备改进3篇,基片材料3篇,综述和电路应用7篇.还有“微波集成电路技术及工艺的进展”和“FET微波宽带放大器综述”两个动态水平报告.     

第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会简讯

由中国电子学会生产技术学会“三束”专业委员会、半导体与集成技术学会超微细加工及“三束”学组联合召开的第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会于1984年11月2-5日在北京香山举行。来自全国各地的高等院校、科研单位、工厂共98个单位,258名代表参加了会议. 中国电子学会半导体集成技术学会主任委员王守武同志致开幕词,国务院电子振兴领导小组办公     

第一届全国“三束”学术年会简讯

<正> 第一届全国“三束”学术年会已于1980年10月23日至29日在湖南长沙市召开.这次会议也是中国电子学会生产技术学会和半导体与集成技术学会分别建立“三束技术学组”和“三束及超精细加工专业组”的成立大会.出席会议的有领导机关、科研单位、高等院校和工厂等80个单位的专家、教授、工程技术人员和干部等240余名代表。     

第三届全国集成电路和硅材料学术年会在合肥召开

<正> 中国电子学会半导体与集成技术学会和中国电子学会电子材料学学会联合举办的第三届全国集成电路和硅材料学术年会于1983年11月9日至13日在安徽省合肥市召开.来自全国各工业部、高等院校、中国科学院和工厂一百二十多个单位的三百名专家、学者、工程技术人员出席了年会.     

第二届全国半导体集成电路和硅材料学术会议简讯

<正>中国电子学会半导体与集成技术专业学会和电子材料学专业学会于1981年12月12日至18日在广州联合举办了第二届全国半导体集成电路和硅材料学术会议.参加会议的论文共有263篇,其中半导体集成电路方面的双极型电路42篇,MOS电路45篇,半导体工艺59篇,工艺监控与测量33篇;硅材料方面的硅单晶质量23篇,硅材料物理性质24篇,外延生长26篇,半导体专用设备11篇.论文分开在8个小组中宣读.会议请王守武、林兰英、黄敞和王守觉四位教授分别作了大会特邀报告.     

第六届全国光纤通信学术会议在北京召开

由中国通信学会、中国电子学会、中国光学会和北京市科委等联合举办的“第六届全国光纤通信学术会议”于1993年10月14～16日在北京北方交通大学召开.邮电部、中国通信学会、电子部、中国电子学会、铁道部和北京市的领导同志出席了开幕式,并作了重要讲话。钱宗珏、周炳琨、赵梓森分别作了“我国光纤通信发展趋势”、“光电子技术研究进展”和“世界光纤通信系统的发展”特邀报告.     

中国第十六届电路与系统学术年会(CSCAS''''2001)会议简讯

中国第十六届电路与系统学术年会（CSCAS'2001）于2001年5月27-29日在宁波大学和浙江万里学院举行。来自于全国13个省、市、自治区以及解放军所属的高等院校及科研机构的学者，共129人出席了会议。会议由中国科学院电子学研究所柴振明研究员、宁波大学吴训威教授主持。在本届年会上，我国著名的半导体科学家中科院院士王守觉研究员作了“神经网络的研究新进展”的特邀报告，浙江大学姚庆栋教授在会上作了“系统集成芯片”的特邀报告，我国著名的遥感科学家中科院院士薛永祺研究员也委托宣读了“遥感技术与图象处理”的特邀报告。此外，杭…     

中国电子学会真空电子学分会第十届学术年会召开

中国电子学会真空电子学分会第十届学术年会召开中国电子学会真空电子学分会第十届学术年会于１９９５年１１月１３～１６日在北京电子部第十二研究所召开。大会开幕式由真空电子学分会副主任委员李融主持，电子部十二所宋学忠副所长代表东道主到会热烈祝贺。中国电子学会...     

第二届全国半导体专用设备学术会在无锡召开

<正> 中国电子学会半导体与集成技术学会工艺设备学组第二届全国半导体专用设备学术会,于今年4月7日至12日在江苏省无锡市召开。这届年会是电子工业部第四十五研究所主办、国营742厂协办的。全国47个从事半导体工艺设备研制、生产、教学的所、厂和大专院校共84名代表出席了这届学术会。国家科委和中国电子学会半导体与集成技术学会工艺设备学组分别发来贺电和贺信表示祝贺。无锡市有关领导及国营742厂对会议的召开给予了有力地支持。学术会共收到论文57篇,特约报告2篇。其中5篇论文和两篇特约报告在大会作了交流。其余论文分别在相应的专业组进行了宣读和讨论。这些论文和报告介绍了半导体专用设备的许多最新研制成果;对专用设备研     

第十八届国际固体器件和材料会议

<正>第十八届国际固体器件和材料会议于1986年8月20日至22日在日本东京召开.参加本届会议的代表近千名,他们分别来自二十多个国家.会议收到论文174篇,最新消息35篇,其中特邀报告23篇.论文内容包括:光刻,Si和GaAs外延工艺,MOS器件及工艺,Si上生长GaAs,异质结器件,高速GaAs集成电路,绝缘栅和热电子等26个专题.这些论文分别在东京Price Hotel的四个会场进行宣读和讨论.我国有5篇(其中台湾省2篇)论文,我所朱恩均同志也作了报告.这些论文的内容反映了国际微波器件和材料在小型器件、异质结、光器件、低温操作和半导体材料工艺上又有了重大的进展.现分两个方面进行介绍.