多孔硅的半峰全宽小于3.8 nm的针形发光峰

通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件,研究它的发光峰形状的变化.从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱,其半峰全宽均小于3.8nm.声空化所引发的特殊物理、化学环境为制备高效发光的多孔硅提供了一条重要途径.实验结果表明,声空化处理对于改善多孔硅的微结构,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术.     

多孔硅红外光激发上转换兰光特性

采用电化学腐蚀法制备多孔硅（ＰＳ），测量了ＰＳ在近红外光（８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＰＬＥ）谱，结果表明ＰＳ具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长，在一定期了内峰值强度有明显的增强，这种非线性光这响应的增强，被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关，硅片初始电阻率赵低发光强度越大。     

多孔硅光致发光热稳定性研究

运用微拉曼谱仪以不同功率的激光入射到用阳极脉冲腐蚀制备的多孔硅样品研究多孔硅的热稳定性．用斯托克斯与反斯托克斯散射强度的比率确定样品的温度．观察比较不同温度下多孔硅样品的拉曼谱趋向．发现在激光功率与样品温度之间的关系曲线上分为3个过程,与拉曼频移和拉曼强度的曲线相一致．所有现象都可以用Si—O健和非晶Si被光氧化的机制解释．     

多孔金字塔型黑硅电极的制备及其光电性能研究

介绍了一种不需要抗反射层的多孔黑硅的制备方法.通过两步法在n-硅上合成得到具有梯度折射的多孔金字塔型表面,该表面能有效降低硅片对太阳光的反射,对可见光区太阳光的反射率可降至2.24%,因此,有利于光电转换效率的提高.I-V曲线测试表明:多孔金字塔型硅电极的最大电流密度可达0.969mA/cm2,光电转换效率为22.3%.     

多孔硅掺杂的光学薄膜制备及发光性能分析

以提升硅的发光性能为目的,研究多孔硅掺杂的光学薄膜制备及发光性能。利用化学水沉积法,在多孔硅内掺杂硫化镉(CdS)金属,制备多孔硅掺杂的光学薄膜,并利用量子限制模型研究多孔硅掺杂的光学薄膜发光机理。通过光致发光测试仪与荧光/磷光分光光度计分析薄膜发光性能。结果显示：未进行金属掺杂的多孔硅内空隙较多,多孔硅掺杂的光学薄膜内空隙较小,空隙率随腐蚀处理时间延长逐渐下降。     

获得多孔硅蓝绿光发射的新方法

对多孔硅进行“胺液浸泡 快速热氧化”处理 ,光致发光谱显示 ,经处理样品的发光峰值波长短到 5 0 0nm ,而且在干燥空气中存放 160d后 ,发光强度变化很小。红外吸收谱表明 ,处理后的多孔硅的主要成分是硅和氧 ,胺液没有在发蓝绿光的样品中留下残迹 ,电子自旋共振谱表明 ,这种蓝绿光样品有相当低的悬挂键密度。这些结果揭示 ,量子限制效应和表面态在多孔硅蓝绿光发射中起着关键性的作用。这种制备发蓝绿光样品的方法简单易行 ,成功率可达 70 %。     

多孔硅还原铜纳米复合薄膜的微结构研究

利用扫描电镜(SEM)、XRD等分析手段对比研究了铁钝化多孔硅在沉积前与沉积后的结构变化特点以及沉积时间对所沉积的铜薄膜结构的影响.在浸渍一定时间后,铜/铁钝化多孔硅纳米复合薄膜继承了新鲜制备的铁钝化多孔硅的结构特点,同时,随着反应时间的延长,铜的沉积量逐渐增加,铜纳米颗粒的平均晶粒尺寸逐渐长大.     

多孔硅薄膜纵向分辨Raman谱研究

采用高灵敏度的micro-Raman系统研究了多孔硅(PS)在纵向的Raman效应,并研究了多孔硅尺寸对Raman谱的影响.实验中采用脉冲电化学腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备PS样品,纵向Raman光谱的结果表明,在纵向不同深度,用脉冲电化学腐蚀方法制备的PS,Raman光谱不存在频移,而用直流电化学腐蚀方法制备的PS在多孔层深度为70～90μm处的Raman光谱有向低波数方向约40 cm-1的移动,它是由于常规电化学腐蚀方法制备的PS不同深度的尺寸分布对量子效率的影响引起的.     

获得多孔硅蓝绿光发射的新方法

对多孔硅进行“胺液浸泡＋快速热氧化”处理，光致发光谱显示，经处理样品的发光峰值波长短到５００ｎｍ，而且在干燥空气中存放１６０ｄ后，发光强度变化很小。红外吸收谱表明，处理后的多孔硅的主要成分是硅和氧，胺液没有在发蓝绿光的样品中留下残迹，电子自旋共振有明，这种蓝绿光样品有相当低的悬挂键密度。     

稻壳制备锂离子电池多孔硅负极材料

以稻壳为原料,采用镁热还原方法制备孔隙和孔壁主要为纳米尺度的多孔硅材料.作为锂离子电池负极材料,在30 m A/g恒流充放下,多孔硅具有首次充电容量为2 387 m Ah/g,50次充放循环后,充电容量保持率为23.3%.考虑到稻壳的资源丰富、廉价易得和可持续利用特点,镁热还原工艺的低成本性以及稻壳制备的多孔硅具有较好的电化学性能,此法有望制备实用的优质锂离子电池多孔硅负极材料.     

电解法腐蚀硅片过程中产生的晶态二氧化硅

本文用富里叶红外光谱及Ｘ射线衍射对在氢氟酸中电解硅片时形成的多孔硅膜进行了分析，发现除了硅以外，其中还有晶态的二氧化硅（鳞石英）存在，由此说明多孔硅表面的硅氧化合物并非都是样品制备后在在气中氧化造成的，它对多孔硅发光有很大的关系。     

p型掺杂GaAs液相外延材料的辐射复合研究

对Ｓｉ掺杂和Ｚｎ掺杂ｐ型ＧａＡｓ液相外延材料在３００Ｋ－６０Ｋ温区的辐射复合进行了光致发光研究。用发射波长为５１０．６ｎｍ和５７８．２ｎｍ的溴化亚铜激光器作为激发光源，样品的低温由拟循环制冷机提供，样品室温度在１０Ｋ－３００Ｋ中可调。在所选取的狭缝宽度下，谱仪的分辨率大致为２ｎｍ。本文所提供的数据全部经过系统灵第九度校正并进行分峰拟合。本文讨论了Ｓｉ掺杂ｐ型ＧａＡｓ样品ＰＬ谱中一些主要特征。认为Ａ     

焙烧炭砖孔结构和导热系数与硅粒度变化关系

借助于X射线衍射仪、压汞仪、激光导热仪、扫描电子显微镜和能谱分析仪等测试手段,研究了分别含3种不同粒度硅粉（中位径分别为2．3、45．0、115．6μm）焙烧炭砖试样中的孔结构和导热系数的变化。结果表明,含硅粉的炭砖试样经焙烧后内部均生成pSiC、Si2N2O和石英等相,粒度过粗,试样内有单质硅残留;随着硅粉粒度的减小,生成碳化硅晶须的长径比变小。对所选用的3种粒度硅粉,随着硅粉粒度的减小,焙烧后炭砖试样的孔径分布范围逐渐变窄,小于1μm气孔孔容积变大,而平均孔径变小。受炭砖试样组成和孔结构影响,硅粉粒度变小,导热系数下降。细小气孔容积与导热系数呈反比关系,即细小气孔增多,导热系数下降。     

沉积金属微粒的多孔氧化铝薄膜偏光性能探讨

从理论和试验两方面探讨了沉积金属微粒的多孔氧化铝薄膜的偏光特性，结果表明：铝多孔膜的特殊结构，使在其中沉积的金属微粒能定向排列，表现出光的各向异性，在近红外波段约2700nm处，表现出良好的偏光特性，通过对膜层中沉积金属微粒种类以及入射光角度调整，可对其偏光特性进行调节。     

多孔Si光学干涉法生物传感器的研究

实验制备多孔Si材料作为传感器载体,通过H2O2浸泡的方法使其表面形成Si-OH键,然后对样品进行硅烷化处理。用戊二醛作为偶联剂,通过共价键偶联法将血管紧张素-Ⅱ(Ang-Ⅱ)抗体固定到多孔Si的孔洞中。分别滴加不同浓度的抗原使其发生反应,测量傅里叶变换红外谱(FT-IR)和加入抗体前后反射谱的变化,结果表明,硅烷化效果明显,生物抗原较好固定,抗原抗体反应前后反射谱有明显红移,且红移量于滴加抗原浓度增加而增加,并呈现抗原抗体浓度于红移量的非线性关系。     

Preparation of porous silicon carbide by combustion synthesis

Porous silicon carbide ceramics were prepared by combustion synthesis technique. SiC/TiC composite was gained by combustion reaction of Si, C and Ti. Thermodynamics analysis of Si-C-Ti system indicates that the content of TiC in products should be larger than 30%. The experimental results show that the content of Ti C should be larger than 25% to achieve a complete combustion reaction. The X-ray diffractometry results show that the final products with a relative density of 45%-64% are composed of a-SiC,β-SiC, TiC and a small quantity of Si. The images of scanning electron microscopy show that the structures of grain in SiC based porous ceramics consist of particles with a few microns in size.     

隔热结构中非晶硅的释H_2机理与工艺研究

对采用等离子增强化学气相淀积法(PECVD)制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了退火释H2实验,并对三文治结构膜层生长工艺作了改进。红外透射光谱表明:提高退火温度及增加退火时间会造成Si-H键断裂释放H2影响器件结构完整;不断改进设计,最终采用精简有效热敏面积及将退火工艺提前以扩张释H2渠道的方案,获得600℃退火后仍保持完整三文治结构的优化设计流程。     

退火对nc-Si镶嵌复合薄膜结构及发光特性的影响

采用减压化学气相沉积方法，依靠纯N2稀释的SiH4气体的热分解反应，在玻璃表面生长了纳米硅
镶嵌的复合薄膜.实验研究了退火前后薄膜样品的结晶状态和光致发光特性.结果表明，未退火样品的光致
发光特性随沉积温度升高反而减弱.当退火温度＞600℃时，晶化趋势明显；当退火温度＜600℃时，对晶
化的影响不显著，但提高退火温度或延长退火时间可以增加光致发光谱(PL)强度.通过HRTEM分析证实了薄
膜为纳米硅镶嵌复合的特殊结构.并通过Raman、PL、HRTEM的比较分析，认为在退火前后分别有两种不同
的发光机制起主导作用.     

Investigation on porous frequency of regenerator of microminiature thermoacoustic refrigerator

A new method was proposed to directly measure the effective resistance and distinguish the porous frequency in the regenerator of the microminiature thermoacoustic refrigerator. Measured results were compared with the flux gain factor and transmission loss of the real system. The results show that the agreement between the range of the porous frequency and frequency of the system is good, the method can be used to predict the porous frequency of the regenerator in production.