活性单体对光敏导电银浆性能的影响

选用4种不同结构的活性单体制备光敏银浆，研究了单体种类、配比及用量对浆料的流变性、固化性能、固化膜层的耐冲击性能及凝胶率的影响。结果表明，4种单体的银浆的粘度均随切变速率的增大而减小，反映出典型高浓度分散体系的流变特性；单体的固化速度随之官能度的增加而加快，双季戊四醇五丙烯酸酯（DPHA）因活性基团远多于其他单体，其固化速度最快，15 s可以固化完全；将2种单体三羟甲基丙烷三丙烯酸酯（TMPTA）和双季戊四醇五丙烯酸酯（DPHA）按照1:2配比时，能够实现快速固化，得到优良耐冲击性膜层；继续调整活性单体用量，膜层的凝胶率和耐冲击性能随其用量均是先增大后减小，在单体含量9%时达到最大值，分别为92.8%和28 cm，光固化的导电银浆膜层综合性能最佳。     

树脂种类对低温固化导电银浆性能的影响

为制备导电性更好且附着力高的导电银浆,以不同种类的树脂为导电银浆黏结相来制备低温固化导电银浆,并采用丝网印刷的方式将导电银浆印刷到PET薄膜上。测试导电银浆的黏度以及固化在PET膜上后的导电性能及附着力等。结果表明：不同种类树脂对导电银浆的黏结性以及导电性能有较大影响,其中丙烯酸类树脂所制备的导电银浆的附着性和导电性较好。当树脂质量分数为4%时,导电银浆体积电阻率达7.66×10^-5Ω·cm。     

导电银浆银的迁移及预防

在所有的金属中银的电阻最低，而且氧化速度慢，氧化物也导电，尽管价格偏高，仍然是最早使用的导电胶印料之一，作为一种功能性印料，在电于信电产品中被广泛地采用。和导电碳浆、导电铜浆相比，因其具有更良好的导电性能而备受人们的关注和青睐，尤其适合作为薄膜按键开关电路、触摸面板和印制电路板的贯孔网版印刷材料。     

Ts-8252A导电银浆

深圳市智化电科技有限公司向市场推出了新型功能性油墨产品。Ts-8252A是一种低阻值的专用于RFID的导电银浆,它具有良好的柔韧性和快速固化的特性。除了RFID应用之外,该产品也能用于薄膜开关柔性电路及其他导电产品。对于各种不同的基材,如PET、PI、纸、织物、塑料膜都有较强的黏合力,无需添加稀释剂,开罐即可使用。网版印刷性能稳定,印刷墨层均匀平整,并且能印刷极细的导电线路。     

磁控溅射PET非织造基银膜的微结构及性能

为研究PET非织造基银膜的结构及性能,在室温条件下,用磁控溅射法在PET非织造布基材上制备了25、50、75、100 nm4种不同厚度的Ag薄膜,由X射线衍射对薄膜微结构测试分析得知：制备的Ag薄膜均呈多晶态,晶体结构均呈面心立方;随着膜厚的增加,薄膜的平均晶粒尺寸逐渐增大。薄膜的光谱和导电性能测试表明：PET基银膜存在临界膜厚,在临界膜厚范围内,随着膜厚的增加,薄膜的反射率急剧增强,透射率快速下降,但达临界膜厚后,反射率和透射率随膜厚的变化趋于平缓;随着膜厚的增加,薄膜的导电性能明显提高。     

聚氨酯涂层膜的微结构和性能——添加剂的效能

本文进行了在聚氨酯涂层剂中加入不同添加剂时对聚氨酯膜的微结构和拉伸、顶破、吸湿、透湿各项性能的影响研究，并同时给出在聚氨酯涂层剂中混入几种添加剂时聚氨酯膜的性能随混入量的不同而改变的情况。     

废玻璃粉取代部分胶凝材料的混凝土基本性能研究

采用粒径尺寸为25μm-37μm的废玻璃粉等质量取代水泥胶砂和混凝土中的胶凝材料,通过正交实验,研究不同水灰比、不同废玻璃粉掺和量对水泥胶砂和混凝土和易性的影响及对水泥胶砂抗压、抗折强度和混凝土抗压强度的影响及废玻璃粉混凝土抗压强度随龄期的变化规律。结果表明:随着废玻璃粉掺量的不断增加,在一定范围内,对废玻璃水泥砂浆和废玻璃粉混凝土流动性影响不大,不易产生分层离析现象,粘聚性和保水性较为稳定;废玻璃粉掺和量在30%以内均符合M7.5的水泥胶砂抗压和抗折强度要求。     

涤纶细旦丝的微结构和染色性能的关系的研究

通过对涤纶细旦ＰＯＹ线在定长条件下于１００℃～２２０℃温度范围内热定型，然后测定型丝的结晶度，取向度，上染量及扩散系数，得到了细量ＰＯＹ丝微结构随定型温度变化的规律及其对染色性能的影响，并和普通ＰＯＹ丝作了比较。     

均质腔内壁微结构对均质性能影响的仿真分析

基于壁面粗糙度引起流动状态变化的现象,为进一步研究高压均质机内均质腔内壁表面的微结构对均质性能的影响,在光滑均质腔内壁构建沟槽状微结构,采用计算机流体动力学(CFD)技术对均质腔内两相流动过程进行仿真。以APV实验型高压均质机内的均质腔为研究对象,将油-水乳液作为均质物料,分别对光滑均质腔,矩形截面沟槽均质腔,以及三角形截面沟槽均质腔内的均质过程进行仿真计算,并做对比分析。结果表明:有沟槽的均质腔均质粒径更小,而矩形截面沟槽较三角形截面沟槽均质得到的粒径更小,同时粒度分布更均匀,有利于提高均质性能;计算机仿真结果与湍流近壁区理论分析结果趋势一致。     

热处理对含低熔点涤纶长丝针织物性能的影响

为探究热处理对含低熔点涤纶长丝针织物性能的影响,采用赛络菲尔包芯纺,制备棉、氨纶、低熔点涤纶复合纱,并织造纬平针织物。采用载体染色法,观察低熔点涤纶长丝在复合纱中的包缠和黏结情况,并对织物进行热处理,观察线圈间黏结点及织物线圈密度变化,探讨90、100、110℃热处理对织物性能的影响。结果表明:随着热处理温度的升高,织物的脱散性、抗起毛起球性能得到改善;热处理温度为100℃时,织物线圈密度最大,织物的克质量和拉伸断裂强力最高。     

彩色棉中色素对纤维微结构的影响

应用X-射线衍射、固体核磁共振(CP／MAS^13C NMR)等现代测试手段对彩色棉进行研究。结果表明：色素的存在影响了纤维结晶的形成，去除色素有利于提高结晶度、增大结晶尺寸；彩色棉纤维中色素主要分布在胞腔内，部分在次生胞壁的纤维素中；超临界CO2萃取和碱精练加工后，彩色棉纤维中色素的分布发生了显的变化。     

染整工艺对涤纶导电丝性能的影响

为探究染整加工对涤纶导电丝导电性能及力学性能的影响,将涤纶导电丝分别放入酸、碱、氧化剂和还原剂中进行处理,考察处理剂浓度、处理时间、处理温度对涤纶导电丝静电电压和断裂强力的影响。结果表明:在酸性、碱性与氧化剂的作用下,涤纶导电丝的导电性能与强力均有所降低;在还原剂的作用下,涤纶导电丝的导电性能降低,强力变化较小。     

低熔点涤纶混纺纱热熔工艺对纱线性能的影响

探讨涤棉纱无浆织造方法。将低熔点涤纶用于涤棉混纺纱,选择不同的加热时间和加热温度对混纺纱线进行加热,使低熔点涤纶不同程度的熔融黏合。通过测试分析热熔纱线的强伸性及耐磨性,确定合理的热熔工艺。结果表明:加热温度对混纺纱强伸性能影响明显,随着加热温度的升高,纱线断裂强度先增大后降低,断裂伸长率随着温度升高逐渐降低;加热时间对热熔纱强伸性及耐磨性没有显著影响;优选热熔工艺为加热温度150℃,加热时间60 s。认为:采用低熔点涤纶实现涤棉纱无浆织造有一定的可行性。     

导电纤维间距对织物抗静电性能的影响

介绍抗静电织物的各种加工方法,通过对经向嵌织不同间距导电纤维织物的设计、试样制作及其抗静电性能的测试,发现随着导电纤维间隔距离的增大,织物的电荷半衰期呈增大趋势,织物的抗静电性下降。经综合分析后认为当导电纤维间距控制在1.1～1.4cm时比较适宜。     

保润剂对烟草叶表面微结构的影响

为调查添加保润剂后烟草表面微结构的变化情况,采用XL30-ESEM型环境扫描电子显微镜技术,对添加木糖醇、山梨醇、丙二醇、丙三醇和芦荟多糖5种保润剂烟草的上表皮、下表皮和断面进行了研究。结果表明,保润剂均能使烟样的水分含量极显著增加,添加保润剂的烟草叶表面沟槽纹理发生变化,其中C2F上表皮处理样品的沟槽纹理面积比列均显著增加。处理样品气孔的保卫细胞除山梨醇和芦荟多糖的X2F下表皮不显著外,其他均有显著膨大。丙二醇、丙三醇和木糖醇对气孔宽度的缩小和气孔平均面积的减少均有显著影响。保润剂处理的烟样断面厚度均显著高于对照。总体比较,丙二醇和丙三醇对叶表面微结构的影响较大,其他排序是木糖醇、芦荟多糖和山梨醇。     

氧离子注入对金刚石薄膜微结构和力学性能的影响

采用扫描电镜（SEM）、Raman光谱和纳米压痕法研究了氧离子注入对低硼掺杂金刚石薄膜微结构和力学性能的影响。结果表明,薄膜中注入较高剂量的氧离子并退火后,晶粒尺寸减小。氧离子注入导致薄膜中金刚石含量减小;1000℃退火后,薄膜中金刚石含量增加为99．8％。氧离子注入后,薄膜中的内应力由拉应力转变为压应力;退火后,薄膜内应力再转变为柱应力。氧离子注入后的金刚石薄膜的硬度较注入前的薄膜硬度有所降低,但其硬度仍然大于40GPa并具有良好的弹性恢复率。薄膜的力学性能与薄膜中的金刚石含量、晶粒尺寸和应力值有直接关系。     

晶体熔点对形状记忆聚氨酯膜透湿性能的影响

形状记忆聚氨酯(SMPU)是几种形状记忆聚合物中的一种，这种聚合材料能够感觉并且对外部刺激作出反应。当温度高于一定范围时形状记忆聚氨酯膜透湿性能显著增加。在纺织工业中应用这种材料生产智能防水的透气织物。这种智能防水透气织物通过阻止水汽热量的传递从而阻止身体热量的损失。同时，在高温下比一般的防水透气织物能够从内向外传递更多的热量和水蒸气。     

导电油墨的各组分构成对导电性能的影响

正无机纳米材料具有远高于有机电子材料的电荷迁移率,且无机纳米材料可以较易制成油墨,然后用传统印刷方式制成图案,所以近年来开始应用于印刷电子领域,印刷电子因此也得到蓬勃发展。尽管印刷制备的晶体管的尺寸与性能不如硅基晶体管,但是其柔性化、大面积和低成本的优势是硅基集成电路无法取代的。据英国技术市场研究咨询公司ID Tech Ex预测,2025年,印刷电子产品市场销售额中的2500亿美元