多晶硅有源矩阵液晶显示器

本文首先就用来制造有源矩阵液晶显示器的非晶硅和多晶硅材料作了性能比较,然后描述了多晶硅薄膜晶体管阵列的制造方法,以及在制造方法上取得的进展。     

采用简化多晶硅TFT工艺的有源矩阵OLED显示器件

我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板。通过去除电源线(Vdd)和触排(bank)光处理工艺,将8步掩模简化至6步。通过6步光掩模工艺制备的p型沟道TFT,场效应迁移率可达80cm2/Vsec,亚阈值(sub-threshold)电压波动降至0.3V/dec,阈值电压约为-2V。利用6步光掩模工艺成功地获得了采用电压驱动方式的7英寸WVGA(720×480)AMOLED面板。     

硅基TFT有源矩阵液晶显示技术

介绍了薄膜晶体管（ＴＦＴ）,特别是ｐ－Ｓｉ（多晶硅）ＴＦＴ矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性,对器件参数的选择进行了分析     

多晶硅TFTAMLCD的现状与前景

多晶硅有源矩阵液晶显示技术，特别是一体化多晶硅有源矩阵液晶显示技术以它独特的优点，越来越受到重视，并将在液晶显示领域中占有重要地位，但是，多晶硅有源矩阵液晶显示技术还存在一些问题，这也正是目前研究的主要内容，本文对低温下淀积高质量多晶硅薄膜技术；通过退火使非晶硅结晶为多晶硅技术；器件层转移技术；钝化技术；一体化技术以及多晶硅有源矩阵液晶显示的前景等进行了分析和讨论。     

TFT有源矩阵液晶显示系统设计

本文论述了ＴＦＴ有源矩阵液晶显示系统的设计原理，包括驱动电路（专用ＣＭＯＳ电路ＢＤＤ１００１，ＢＤＤ２００１）和控制电路（同步信号发生电路，图像信号产生电路和背电极电路），实现计算机模拟电视信号驱动液晶显示系统。     

有源矩阵液晶显示集成驱动电路

介绍了多晶硅薄膜晶体管的特性,分析了有源矩阵液晶显示的扫描和数据驱动电路,以及用于多晶硅薄膜晶体管的集成驱动电路的设计方案。     

液晶TFT有源矩阵单元性能分析

本文详细分析液晶薄膜晶体管(TFT)有源矩阵单元性能.其中包括薄膜晶体管单元结构特性和液晶单元电容充放电物理过程。通过分析,推导出有用的计算公式。这些结果对实际工作具有指导作用。     

有源矩阵液晶显示的进展

在分析了无源矩阵驱动的局限性的基础上，叙述和比较了ＭＩＭ薄膜二极管和ａ－Ｓｉ薄膜晶体管有源矩阵液晶显示的结构、工作原理和特性，并讨论了它们的进展与发展方向。     

综述：低温多晶硅技术

低温多晶硅技术是有源矩阵LCD领域的一项关键技术,它的未来会怎样,而目前它是否又得到了充分应用呢？此文章将解答这些问题。     

AM－LCD用TFT有源矩阵的性能研究

ＴＦＴ有源矩阵赋予ＡＭ－ＬＣＤ以所有平板显示器（ＦＰＤ）的最佳性能，使其性能已能够等于或好于最为流行的ＣＲＴ显示器件。本文讨论了ＴＦＴ有源矩阵的性能，描述了在像素电极上充电或放电的电压精度要求，介绍了ＴＦＴ－ＬＣＤ的最新进展。     

多晶硅TFT模型的研究进展

全面介绍了多晶硅薄膜晶体管(TFT)紧凑模型的现状和应用前景,简单说明了多晶硅TFT特有的电学特性,这是多晶硅TFT建模的基础,重点介绍了基于阈值电压和基于表面势的多晶硅TFT紧凑模型的研究进展,并对这些模型进行了评述,其中RPI模型是基于阈值电压的TFT模型的典范.虽然TFT模型已经有所发展,但成熟度还远远不够.最后提出了改进多晶硅TFT模型的方向和策略,包括二维器件模拟的应用、基于表面势模型的发展、多晶硅材料特性的应用、统一模型的发展、短沟效应的建模和参数提取等.     

125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板

用化学法在非晶硅表面形成Ni源，经金属诱导晶化（MIC）得到了大晶粒碟型多晶硅. 为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性，采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸除. 通过流程简化，采用6块版工艺，研制出125mm QVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.     

125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板

用化学法在非晶硅表面形成Ni源,经金属诱导晶化(MIC)得到了大晶粒碟型多晶硅.为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性,采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸除.通过流程简化,采用6块版工艺,研制出125mm QVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.     

Metal‐Catalyzed Etching of Vertically Aligned Polysilicon and Amorphous Silicon Nanowire Arrays by Etching Direction Confinement

A systematic study of metal‐catalyzed etching of (100), (110), and (111) silicon substrates using gold catalysts with three varying geometrical characteristics: isolated nanoparticles, metal meshes with small hole spacings, and metal meshes with large hole spacings is carried out. It is shown that for both isolated metal catalyst nanoparticles and meshes with small hole spacings, etching proceeds in the crystallographically preferred <100> direction. However, the etching is confined to the single direction normal to the substrate surface when a catalyst meshes with large hole spacings is used. We have also demonstrated that the metal catalyzed etching method when used with metal mesh with large hole spacings can be extended to create arrays of polycrystalline and amorphous vertically aligned silicon nanowire by confining the etching to proceed in the normal direction to the substrate surface. The ability to pattern wires from polycrystalline and amorphous silicon thin films opens the possibility of making silicon nanowire array‐based devices on a much wider range of substrates.     

多晶硅薄膜晶体管kink效应的建模

从kink效应产生的物理机理出发,介绍了目前国内外研究多晶硅薄膜晶体管kink电流所采用的两种主要方法.一种是基于面电荷的方法,另一种是基于求雪崩倍增因子的方法.kink效应具体表现为器件在饱和区跨导和漏电流的显著增加.在数字电路中,kink效应会引起功耗的增加和开关特性的退化;而在模拟电路中,kink效应将降低最大增益和共模抑制比.因此,多晶硅薄膜晶体管kink效应的研究对液晶显示的发展具有重大意义.     

一种新的有源硅基OLED象素驱动电路

提出了一种新的有源硅基有机发光二极管(OLED-on-Silicon)象素驱动电路.该电路解决了具有特定象素大小的OLED的极小象素电流(小于1μA)与传统MOS器件大的饱和驱动电流之间的不匹配问题.利用Synopsys公司的仿真软件H-spice,对该电路和传统的两管象素驱动电路进行了模拟,结果表明该电路作为OLED-on-Silicon的象素驱动更容易实现多级灰度.     

多晶硅薄膜晶体管RPI模型的直流参数提取

多晶硅薄膜晶体管(TFT)在有源液晶显示器中的应用充分显示了它的性能优点。对多晶硅TFT进行模型分析和参数提取是理解多晶硅TFT工作原理和指导制备的有效途径。归纳并讨论了多晶硅薄膜晶体管RPI模型直流参数的提取策略。此参数提取步骤简单,并能准确地提取所有工作区的基本直流参数,如阈值电压、漏源区串联寄生电阻、有效沟道长度、迁移率等。参数提取的方法将为RPI模型的电路仿真提供有益的参考。最后,提出了改进RPI模型参数提取策略的方向,包括提高泄漏电流参数、迁移率参数的准确度等。