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Al2O3-ZrO2(3Y)-SiC纳米复合材料的制备及性能 总被引:5,自引:2,他引:3
本文研究了非均相沉淀法制备Al2O3-ZrO2(3Y)-SiC复合粉体的工艺过程,认为粉体的理烧温度是至关重要的,热压烧结得到了致密的Al2O3-ZrO2(3Y)-SiC纳米复合材料,ZrO2的加入对烧结温度的影响不大.通过TEM观察,SiC颗粒均匀分散于材料中,大的ZrO2颗粒位于Al2O3晶粒间,小的圆形ZrO2颗粒位于Al2O3晶粒内,一部分Al2O3晶粒呈非等轴状.80Wt%Al2O3-15wt%ZrO2-5Wt%SiC纳米复合材料的抗弯强度可达555MPa,韧性为3.8MPa.m1/2. 相似文献
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纳米ZnO掺杂对ZrO2(8mol% Y2O3稳定)电性能的影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用纳米粉料,在单轴成型,无压烧结条件下,用交流阻抗谱技术对掺不同质量百分比ZnO的ZrO2(8mol% Y2O3稳定)烧结体的电性能进行了研究.研究发现ZnO掺杂对ZrO2(8mol% Y2O3稳定)的离子导电性能具有优化作用. 相似文献
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采用超重力下燃烧合成工艺进行Al2O3-ZrO2 (4Y)共品陶瓷的制备,研究了Al2O3-ZrO2(4Y)共晶陶瓷的凝固行为、组织演化与力学性能的关系.XRD、SEM与EDS分析显示陶瓷基体组织是由表层的微纳米晶组织和心部的ZrO2四方相微米球品组织组成.陶瓷表层微纳米品组织的形成是因Al2O3高熵相率先形核和Al2O3各向异性生长,诱发Al2O3-ZrO2(4Y)小平面-小平面共晶生长所致;处于陶瓷心部的ZrO2四方相微米球晶组织则是因ZrO2高温立方相快速生长,导致Al2O3和ZrO2独立长大所致.力学性能测试结果表明因陶瓷凝固行为引起的显微组织演化,使其表层具有最大的维氏硬度(20.2GPa),而其心部则具有最高的断裂韧性(18.5±1.6MPa·m1/2),陶瓷弯曲强度达至1268±112MPa. 相似文献
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用溶胶共沉淀法辅以共沸蒸馏法工艺制备ZrO2/Al2O3复合粉体,研究了pH值和锆与铝的离子比对复合粉体和用这种复合粉体制备的瓷体的力学性能的影响.结果表明:随着溶胶体系pH值的增大,粉体粒径也相应增大.在制备粉体的混合溶液的pH值为8.6左右时,粉体没有明显的团聚且粒径分布均匀.随着氧化铝相对含量的提高,高弹性模量的Al2O3在烧结过程中起钉扎作用,阻碍Zr4 (Y3 )扩散传质的进行和晶界的移动,从而抑制了ZrO2晶体的生长,细化了ZrO2晶粒,表现为氧化锆的结晶温度、烧结体密度和复合陶瓷强度的提高. 相似文献
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用湿化学法制备的Y2O3-MgO共稳定ZrO2固体电解质,分别在1550℃,1600℃,1630℃下烧结,获得了室温下单斜相和四方相含量不同的烧结样品.结果表明:随着氧化钇含量的增加,单斜相含量降低,四方相含量增加.烧结温度对相含量的影响较小.(MgO,Y2O3)-PSZ材料断口组织致密,结构均匀且晶粒大小一致,当Y2O3含量较高(≥2.5mol%)时,材料中出现过烧现象.采用Y2O3和MgO复合稳定剂共同稳定ZrO2,能有效地降低材料的烧结温度,且弯曲强度得到明显提高.从当前实验结果来看,在8.0 mol%MgO-ZrO2的基础上,加入2.0 mol%Y2O3在1600℃烧结,得到的材料弯曲强度性能最佳. 相似文献
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为了提高铜基复合材料的强度和电导率,采用具有良好机械性能和热物理性能的ZrO2(3%(摩尔分数)Y2O3)作为增强相,原位化学法制备了ZrO2纳米颗粒增强铜基复合材料,其主要制备工艺包括前驱复合粉体CuO、ZrO2的制备,经氢气还原得到ZrO2/Cu复合粉,再经过压制,真空烧结,复压等工序制得最后的样品.研究了制备工艺包括初压压力,烧结温度、时间对材料性能的影响;结果表明,在初压压力为550MPa,975℃烧结1.5h时,可得到最佳性能复合材料.透射电镜观察表明,在ZrO2/Cu纳米复合粉中,氧化锆纳米颗粒形状为圆形和四方形,平均尺寸约为20nm左右.纳米ZrO2在基体中分布均匀,细化了晶粒,提高材料硬度,使复合材料具有良好的综合性能.随着ZrO2含量的提高,密度、电导率降低,硬度升高. 相似文献
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用高纯Al粉体和Y2O3粉体(Al-Y2O3粉体)为原料采用固相反应法制备了YAG陶瓷. Al-Y2O3粉体高能经过球磨,煅烧生成YAG粉体,再真空烧结制备高致密YAG陶瓷.采用DTA-TG对球磨Al-Y2O3粉体进行分析,采用XRD、SEM对球磨的Al-Y2O3粉体、YAG粉体及YAG陶瓷进行了表征.实验表明:Al-Y2O3粉体在~569℃时,Al粉强烈氧化,并与Y2O3粉反应,600℃煅烧出现YAM相,随煅烧温度升高出现YAP相,1200℃煅烧生成YAG粉体.成型YAG素坯在1750℃保温2h真空烧结出YAG相陶瓷,YAG陶瓷相对密度可达98.6%,晶粒生长均匀,晶粒尺寸为8~10μm. 相似文献