高回损指标的同轴封装接收组件的研制

文章较为详细地介绍了高回损同轴封装接收组件关于回波损耗指标的定义和指标要求,根据这些指标要求展开了分析,并提出了能达到指标要求的可插拔式接收组件（ROSA）的设计原理;同时介绍了武汉电信器件有限公司在这方面所做的工作以及样品的实验结果。研制样品的测试结果表明研制是成功的。     

带斜面光纤结构的同轴光接收组件的反射分析

文章对带有斜端面光纤结构的改进型同轴探测器的反射机理进行了简要计算,并在此基础上运用高斯光学理论对该结构的反射光路进行了理论分析.在排除物理接触面的反射因素后,对该结构样品进行了测试,测试结果和所作的理论分析结果基本一致.实验结果说明该理论分析可以应用于实践.     

半导体激光器高速同轴封装设计

在光纤接入网等光通信领域,低成本高速同轴封装半导体光电器件有着非常重要的作用。对于高速TO-can激光器(LD),由于已进入微波工作频段,封装以及相关元件的分布参数已经成为制约高速激光器性能的主要参数之一,分析了同轴封装结构的技术特点,建立了激光器器件及封装相关元件的等效电路模型,利用商用CAD分析软件对其进行了模拟和优化设计,为半导体激光器高速同轴封装设计的工艺方案、封装材料的选择提供了依据,并据此进行了部分相关实验。     

高速光调制器的发展与封装技术研究

文章分析了100 Gbps(以下简称100 G)以太网光通信光调制器及其封装的技术发展动向,对比分析了10 G/40 G/100 G高速光调制器及其封装的结构特点。通过对高速光调制原理的浅析,论述了40 G/100 G高速光调制器在100 G系统中的重要性。以一款40 G高速光调制封装为例,剖析了光调制器封装结构、关键技术及其工艺路径,以及封装在光调制器中的重要性。文末展望了高速光调制器及封装在未来的发展方向。     

200Gbit/s PAM4光发射组件封装技术研究

针对200Gbit/s PAM4光收发模块的设计需求,提出了一种基于四阶脉冲幅度调制(PAM4)、数据传输速率达200Gbit/s的光发射组件封装方案。该封装内部集成了4路PAM4电/光转换通道,单通道数据传输速率为50Gbit/s。介绍了该200Gbit/s PAM4光发射组件的组成和技术难点,然后对其中的50Gbit/s数据传输通道进行了建模、仿真和优化,最后完成了样品的测试。测试结果表明:样品的单通道PAM4数据速率可达50Gbit/s,整体PAM4数据速率可达200Gbit/s,满足光收发模块的设计需求。     

光探测器芯片小信号等效电路模型的建立

提出了一种光探测器芯片小信号等效电路模型及其建立方法.首先根据光探测器的物理结构确定其等效电路模型,模型考虑了影响光探测器高频性能的主要因素.然后精确测量了光探测器芯片的S参数,通过遗传算法对测量的S参数进行拟合,最终计算出模型的各个参量.在130MHz～20GHz范围内的实验结果表明,模型仿真结果与测量结果相吻合,证明了建模方法的可靠性.该模型有效地模拟了光探测器芯片的高频特性,利用该模型可以对光探测器及相应光电集成器件进行电路级仿真和优化.     

光探测器芯片小信号等效电路模型的建立

提出了一种光探测器芯片小信号等效电路模型及其建立方法,首先根据光探测器的物理结构确定其等效电路模型,模型考虑了影响光探测器高频性能的主要因素，然后精确测量了光探测器芯片的S参数,通过遗传算法对测量的S参数进行拟合,最终计算出模型的各个参量，在130MHz-20GHz范围内的实验结果表明,模型仿真结果与测量结果相吻合,证明了建模方法的可靠性。该模型有效地模拟了光探测器芯片的高频特性,利用该模型可以对光探测器及相应光电集成器件进行电路级仿真和优化。     

10 Gb/s以太网、FC、RapidIO标准体系电参数对比研究

围绕以太网、FC和RapidIO,对三种协议电参数进行分析对比,深入研究三种协议电参数的异同.以太网技术、FC以及RapidIO均为用于通信的协议方式,由于诞生于不同的设备或传输环境,有着不同的协议特点和通信方式,其典型电参数对比分析为相关芯片研发、电参数测试验证、测试方法优化以及不同网络间融合提供了一定参考.     

封装与PCB复杂互连结构的传输特性研究

鉴于晶片电子封装结构的一些精细电磁现象如复杂互连结构的不连续性、寄生效应带来的信号完整性等问题,采用电磁分析软件CST微波工作室,建立了封装与PCB复杂互连结构的物理模型,对信号传输性能进行仿真分析,并对简单等效电路模型进行改进。结果表明:增大焊球半径,采用低介电常数基板材料,可提高互连结构的信号传输效率。采用软件ADS模拟电路模型,其结果与软件CST的结果趋势基本吻合。     

带有MU连接器接口的40Gb/s光接收模块封装技术

本文介绍了一种带有MU连接器接口的小型化40Gb/s光接收模块封装技术。详细叙述了光接收模块设计中的三个关键技术。实现了阻抗匹配最佳化,改进了电特性。     

光探测器TO封装的高频分析与改进

推导了封装前后探测器的散射参数的关系,提出了探测器封装网络高频影响的两种分析方法.一种方法是直接比较封装前后探测器的频响,另一种则是从待封装探测器的反射系数和封装网络散射参数计算获得.以TO封装探测器为例,对两种方法的有效性进行了验证.分析结果表明,封装网络中电容和电感的谐振效应具有补偿作用,通过改变封装中的这些参数,改进了TO封装探测器的频响.     

基于物理结构的GaN HEMTs小信号等效电路的精确建模方法研究

为了有效地表征GaN HEMTs在微波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的精确建模方法。基于GaN HEMTs器件的本征物理结构,综合考虑器件在制版过程中由电极和通孔所带来的寄生特性,描述了一种具有26个详细参数网络的小信号等效电路模型。此模型考虑了器件在工作环境下所受到的集肤效应,同时通过对小信号等效电路进行双端口网络参数分析,推导了其准静态近似的微波等效电路参数直接提取的简化算法,最终通过ADS仿真平台将所建模型和传统模型的S参数模拟结果与实测数据的一致性进行对比,验证了小信号等效电路模型的精确性与参数提取算法的有效性。     

二维亚波长结构对OLED光抽出特性的FDTD模拟研究

有机发光二极管(OLED)发光效率很大程度上受到器件中高折射率材料(ITO/有机物)对导波光能量的制约.通过使用时域有限差分(FDTD)方法,对在OLED中的氧化铟与氧化锡复合透明阳极ITO结构上覆盖二维正方以及三角排列SiNx圆柱光子晶体厚膜(PCS)的结构进行了数值模拟,并对这种全新结构对于提高束缚于高折射率材料中的光的抽取效率的效果进行了分析,并给出了最优化的几何参数.