隧穿问题的数值算法

本文给出一种新的数值方法，用以计算隧道效应中的透射系数和相移。这个方法适用于任意形状的势垒，不仅可以计算透射系数，还可以计算透射波和反射波的相位。分析表明该方法具有很高的精度。     

薄膜电子隧穿几率的数值计算方法

文章对电子透射几率问题进行了数值求解，这种方法能够处理形状复杂的一维势垒。首先利用龙格一库塔法和Numerov方法，联立求解薛定谔方程，然后利用得到的结果计算电子的透射几率，并考虑了计算误差的影响和减小方法。将该方法得到的数值解与精确值进行了比较，并用此方法考虑了不同双势垒结构中的共振隧穿问题。     

电子在双垒二极管中的共振隧穿

本文对双垒二极管中的电子隧穿作了数值分析。引入隧穿矩阵，建立了透射系数的公式；利用该公式，计算了隧道电流。此外，本文还分析了势垒结构对伏－安特性的影响。     

抛物形量子阱的共振隧穿

文中通过求解薛定谔方程得到抛物型形量子阱的变换矩阵与透射系数。利用这一结果计算透射系数可以达到任意高的精度，最后，讨论了结构变化对抛物型量子阱的共振隧穿的影响。     

任意势垒隧穿几率的一种高精度数值算法

基于龙格-库塔算法求解薛定谔方程,并对获得的数值结果进行分析得出精确的量子隧穿几率.通过适当的处理,该方法适用于任意势垒的情形.利用该方法计算了多种结构的隧穿几率,如抛物线型势垒及双势垒,获得了高精度的隧穿几率.同时计算了MOS结构的隧穿电流密度,结果与Fowler-Nordheim隧穿完全吻合,表明了该方法的适用性.     

任意势垒隧穿几率的一种高精度数值算法

基于龙格-库塔算法求解薛定谔方程,并对获得的数值结果进行分析得出精确的量子隧穿几率.通过适当的处理,该方法适用于任意势垒的情形.利用该方法计算了多种结构的隧穿几率,如抛物线型势垒及双势垒,获得了高精度的隧穿几率.同时计算了MOS结构的隧穿电流密度,结果与Fowler-Nordheim隧穿完全吻合,表明了该方法的适用性.     

磁势垒构中隧穿现象的研究

本用转移矩阵方法研究了具有纳米尺度的非对称磁势垒结构中电子隧穿效应。结果表明和电子穿越对称双磁势垒结构相比，电子隧穿非双磁势垒结构和传输几率和电导都强烈减小，并且非对称磁势垒结构具有重强的波矢过滤特性。     

小偏压下阱中阱结构的量子隧穿特性及其实现

共振隧穿是电子的隧穿概率在某一个能量值附近以尖锐的峰值形式出现的隧穿,是目前为止最有希望应用到实际电路和系统的量子器件之一,其特点是器件的响应速度非常快。本文用传递矩阵的方法分别计算了在外加偏压下,对称双势垒、三势垒应变量子阱结构的透射系数与入射电子能量和隧穿电流与偏置电压的关系,模拟了应变多量子阱结构的隧穿系数和I-V特性曲线。计算得到隧穿电流峰值位置与实验测试值符合得很好,对于设计共振隧穿二极管并为进一步实验提供理论指导具有重要的意义。     

多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响

文中通过求解薛定谔方程得到由Ｎ个矩形势垒构成的量子系统的变换矩阵和电子透射系数的精确解，研究了多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响。     

单电子隧道结隧穿特性研究与仿真

基于单电子隧道结电压特征公式[1],借助Matlab拟合其隧穿特性曲线,给出了时不变和时变偏置电流作用下的I-V特性震荡曲线,并就仿真结果进行分析,将该模型应用于单电子盒进行仿真验证,出现了明显的库仑台阶,仿真曲线印证了理论分析结果.利用Matab强大的计算功能进行单电子器件特性仿真对单电子器件的应用研究有重要意义.     

多晶硅纳米薄膜晶界隧道压阻效应

实验表明重掺杂情况下多晶硅纳米薄膜的应变因子比相同浓度单晶硅的大,且随晶粒尺度减小而增大。为使这种特性在压阻器件中得到合理应用,在分析多晶硅能带结构的基础上,阐明了这种特性根源在于流过晶界的隧道电流随应变而变化引起的隧道压阻效应,给出了晶界压阻系数的计算方法,并从理论上解释了多晶硅纳米薄膜压阻特性的实验现象。     

Tunnelling piezoresistive effect of grain boundary in polysilicon nano-films

The experiment results indicate that the gauge factor of highly boron doped polysilicon nanofilm is bigger than that of monocrystalline silicon with the same doping concentration, and increases with the grain size decreasing.To apply the unique properties reasonably in the fabrication of piezoresistive devices, it was expounded based on the analysis of energy band structure that the properties were caused by the tunnel current which varies with the strain change forming a tunnelling piezoresistive effect. Finally, a calculation method of piezoresistance coefficients around grain boundaries was presented, and then the experiment results of polysilicon nanofilms were explained theoretically.     

H.323系统中快速连接和隧道技术的研究

为了节省资源 ,融合呼叫信令与控制过程 ,缩短呼叫建立的时间 ,H.32 3系统支持快速连接和隧道技术两种新的机制。本文介绍了这两种机制以及实现快速建立媒体信道的方法     

窄禁带半导体的P-N结的间接隧道电容

采用通过深能级杂质的间接隧道过程与热激发、俘获过程之间的细致平衡,推导出间接隧道过程所引起的电容的理论表达式.这一电容仅出现在零偏压附近,不是电压的单调上升函数,有极大值及负值出现.作了数值计算,所得 C-V曲线的形状与窄禁带 Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结的实测的C-V曲线的形状相似.     

量子电子器件——谐振隧道热电子晶体管(RHET)

RHET是一种新型高速功能器件,在这种器件中,电子谐振隧穿量子阱谐振隧道势垒(RTB)从发射极注入到基极中,然后以准弹道方式传输到收集极。其主要特点是,高速的电荷传输和宽的负微分电阻。本文综述了RHET的研究与进展,并介绍了采用RHET构成的集成电路。     

电子在一维方势垒顶部的透射

文中对入射电子能量等于一维方势垒高度时，电子对势垒的透射情况进行了理论分析，导出了这一条件下的电子透射系数与势垒高度及势垒宽度之间的关系，并证明了电子对一维方势垒的透射系数Ｔ是入射电子能量Ｅ的连续函数。     

栅控电子枪理论新探

本文主要是利用电子光学静电透镜原理，研究栅网对栅控电子枪的影响，以及如何消除这种影响。结果表明，理论分析的结果与实验相符，对实际栅控电子枪的设计具有一定的指导意义。     

一种基于特征分类的红外图像自适应匹配增强的新方法

提出了一种基于特征分类的红外图像自适应匹配增强的新方法。先对大量红外图像的特点做深入分析,对图像进行归纳分类,共分为4类,并用状态空间特征参量表征。针对这些不同特点的红外图像,研究与之相匹配的增强算法。最终完成针对不同的红外图像,自动判断图像类型,并选择相应的参数和算法做增强处理,达到增强算法自适应匹配目的。这样有针对性地对不同特征的红外图像进行增强,提高了增强算法的适用范围。经过MATLAB验证得算法可行,并且增强效果很好。     

一种评价LAN性能的简单方法

给出了一种评价ＬＡＮ性能的简单方法，该方法可用于设计新的ＬＡＮ，或者在现有ＬＡＮ上增加某项应用后评价其对性能的影响。