共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构 总被引:2,自引:0,他引:2
用有效质量理论研究了[001]和[111]方向生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构.具体计算了价带能级的色散曲线和光吸收曲线.沿[001]方向生长的光吸收曲线与实验进行了比较.内应变使重轻空穴能级发生上升和下降.由于压电效应,[111]方向生长的超晶格应变层内存在很强的内电场(1.5×10~5V/cm),而对[001]方向生长的应变超晶格不产生内电场. 相似文献
2.
本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂In_xGa_(1-x)As(x=0-0.98)的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度具有强烈影响。在x=0-0.8的范围内空穴浓度随x的增大而减小,当x>0.8时导电类型转变为n型。探讨了MOMBE法生长In_xGa_(1-x)As的掺碳机理及其对载流子浓度和导电类型的影响,并用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)等方法分析了外延层质量。 相似文献
3.
4.
5.
在垂直于异质界面电场存在的情况下,用光电流光谱学研究了分子束外延生长的应变 In_xGa_(1-x)As/Al_0.15Ga_0.85As 多量子阱的光学吸收性质。在体 GaAs 衬底透明的波长范围内,观察了量子限定斯塔克效应。室温下无须去除 GaAs 衬底,显示出自电光效应器件的光学双稳性。 相似文献
6.
在室温和液氮温度下,0-60kbar范围内对In_xGa(1-x)As/GaAs应变单量子阱结构进行了静压光致发光研究.在室温下,量子阱中发光峰随压力的变化是亚线性的,而在液氮温度下是线性的.阱中发光峰的压力系数比GaAs势垒的小约10%左右.发现对应于导带第二子带的发光峰的压力系数略大于第一子带的.此结果与GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱的情况正好相反. 相似文献
7.
8.
一、前言由于光通迅的最低损耗波长处在长波范围内(1.0—1.6μm)。而截止波长为1.10μm 的Si 探测器在该波长范围已几乎没有响应。又,Ge 探测器的室温应用暗电流太大,噪声大。这些都限制了锗和硅探测器在长波长光通迅中的应用。所以,研制其它能适用于长波长范围的探测器,已成了当前的重要课题。 相似文献
9.
用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子阱中In的成分.在解释300K和77K实验结果时考虑了流体静压形变势常数的温度依赖性.实验和理论最佳符合时求得导带边不连续性在300K为0.7,77K为0.66. 相似文献
10.
本文利用ZnAs2、ZnAs2+Cd作扩散源,研究了Zn、Zn-Cd在InxGa1-xAs中的扩散。给出了扩散温度和扩散时间,扩散源的种类和材料的组份对xj-t1/2关系的影响,Zn在InxGa1-xAs中的扩散速度(xj2/t)较Zn-Cd在InxGa1-xAs中的快。在500600℃,Zn在InxGa1-xAs的表面浓度为1101921020cm-3。Zn在InxGa1-xAs中的表面浓度较在InP中的高。利用InxGa1-xAs作1.3m发光管的接触层可使接触电阻降低。 相似文献
11.
DiffusionofZincinIn_xGa_(1-x)As,InPandGaAs¥ZHUANGWanru;ZOUZhengzhong;WANGFeng;SUNFurong(InstituteofSemiconductors,AcademiaSini... 相似文献
12.
13.
,罗晋生,白■淳一,山田巧,野崎真次,高桥清,鹿岛秀夫,德光永辅,小长井诚 中文摘要 本文采用以TMG、固体In和固体As作为分子束源的MOMBE法,首次成功地生长了空穴浓度高达1×10~(20)/cm~3数量级的重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As(x=0.3)应变超晶格(SLS)结构,用XRD、Raman、PL和Hall测量等方法分析了样品特性,讨论了结构参数对应变弛豫及SLS特性的影响,结果表明,所得样品不仅具有很高的空穴浓度,而且具有较窄的等效禁带宽度,可望用于GaAs系HBT基区的制作。 相似文献
14.
In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了InxGa1-xAs/InP应变多量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化.用国产GSMBE设备生长了五个样品,这五个样品的阱宽均为5nm,垒宽均为20nm,唯一的不同之处是阱层中的In组分不同,In组分从0.39变化到0.68.用X射线双晶衍射及计算机模拟确定出了各样品阱层中实际In组分.用光致发光谱(PL)、吸收谱(AS)、光伏谱(PV)确定出了样品中的激子跃迁能量.对量子阱中的激子跃迁能量随In组分的变化进行了理论计算.结果表明:对给定阱宽的量子阱,随着In组分的增大,量子阱中11H和11L激 相似文献
15.
一种多步生长方法应用于GaAs衬底上的InxGa1-xAs缓冲层的MOCVD生长.在这种InxGa1-xAs缓冲层上生长的InyGa1-yAs/AlzGa1-zAs/GaAs/AlzGa1-xAs双垫垒量子阱材料表现出了很好的晶格特性和光学性质.超晶格的室温光伏谱中出现很强的22H高阶机制吸收峰,表明超晶格界面质量很好.主要应用X射线双晶衍射方法,给出了样品中各层的应变状态.据此,合理地解释了样品的光学测试结果. 相似文献
16.
用X射线回摆曲线图,研究了在(110)GaAs衬底上,汽相外延(VPE)生长In_xGa_(1-x)As层的晶格失配和晶面倾斜,计算的失配应变在10~(-3)数量级,其弹性应力在10~9达因/厘米~2数量级。由此,还可以很容易确定其组分X值,本实验样品的X值为3—8%左右。 相似文献
17.
在国产CBE设备上,用GSMBE技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同In组分的InxGa1-xAs/InP应变多星子阶P-i-N结构材料,阶层中的设计In组分从0.39变化到0.68.用X射线双晶衍射对该组样品进行了测试分析,并用X射线衍射的运动学模型对衍射图样进行了计算机模拟,确定出了该组样品阶层中的In组分、阶宽及垒宽.结果表明,每个样品的DCXRD衍射图样上均至少可以看到14个锐而强的卫星峰,且模拟曲线与测得的衍射曲线符合得相当好,说明材料结构完整、具有较高的质量;样品的设计参数与计算机模拟得到的参数基本一致,说明生长过程可以很好的控 相似文献
18.
采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As及晶格失配InP/In_(0.82)Ga_(0.18)AS两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究.SIMS测试表明:Zn元素在晶格失配材料中的扩散速度远大于在晶格匹配材料中的扩散速度,而SCM测试表明:两种材料中的实际PN结深度与SIMS测得的Zn扩散深度之间存在一定的差值,这是由于扩散进入材料中的Zn元素并没有被完全激活,而晶格失配材料中Zn的激活效率相对更低,使得晶格失配材料中Zn元素扩散深度与PN结深度的差值更大.SCM法是一种新颖快捷的半导体结深测试法,对于半导体器件工艺研究具有重要的指导意义. 相似文献
19.
20.
Presented here are a combined Rayleigh, Raman and photolumines-cence studies of AlxGa1-xAs alloy grown by molecular-beam-epitaxy. The Rayleigh intensity is found to be sensitive to the degree of disorder in the alloy. The appearance of "forbidden" TO mode in Raman spectra is likely due to twinning effects inducing internal microscopic misorientation. All LO phonons, around X and L points, contribute to the phonon-assisted exciton recombination process examined in photoluminescence spectra. Also shown in the paper is the discrepancy between the results of existing methods to determine alloy concentration from Raman and photoluminescence data. 相似文献