要闻

美国模拟器件公司(Analog Devices,ADI)近日发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS(工业CMOS),它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS(互补金属氧化物半导体)和互补双极型工艺相结合,使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了更高水平。与采用传统CMOS制造工艺不同,据称按照这种iCMOS工业制造工艺制造的模拟IC能承受高达30 V电源电压,同时能提供ADI发布高电压工业应用新工艺模拟IC更高性能,降低系统设计成本,而且降低85%的功耗和减小30%的封装尺寸。ADI公司介绍说,以前能够承受30V电压的制造工艺…     

ADI公司发布创新的制造工艺ICMOS

美国模拟器件公司近日发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS，它是将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合，它使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。与采用传统CMOS制造工艺不同，按照iCMOS工业制造工艺制造的模拟IC能承受高达30V电源电压，同时能提供突破的性能水平，降低系统设计成本，而且降低85％的功耗和减小30％的封装尺寸。     

ADI推出iCMOS制造工艺

日前一种全新的0.6μm iCMOS工艺为工业领域的IC电路设计提供了又一可选方案，它将高压半导体工艺与亚微米CMOS、互补双极性工艺结合，可以承受30V电压，可选的漏极扩展允许工作电压为50V。iCMOS工艺的主要特点是能使单元电路与底层之间或单元电路与单元电路之间完全隔离。这意味着通过对同一芯片施加多种电源电压，一颗单芯片能实现5V电压CMOS电路和16V、24V或30V高电压的CMOS电路混合和匹配。     

ADI推出iCMOS模拟IC顿起波澜

美国模拟器件公司发布了一种创新的半导体制造工艺,它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合,并将该工艺命名为iCMOS(工业CMOS)。iCMOS使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面均得到极大提升。与采用传统CM0S制造工艺不同,采用iCMOS制造工艺的模拟IC能承受高达30V电源电压,     

iCMOS新工艺为精密模拟部件增加可靠性

美国模拟器件公司（ADI）最近发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS，它将高电压凌晨导体工艺与亚微米CMOS和BiCMOS工艺相结合，使客户可以在采用亚微米尺寸工艺的器件上施加高达30V电压，可选的漏极扩展允许工作电压高达50V，作为一种亚微米工艺，iCMOS工艺允许现代数字逻辑电路与高电压模拟电路集成在一起，因此与以前的高压器件相比，     

真双极性输入多通道ADC具有高输入阻抗和软件设置输入范围

基于小尺寸制造工艺设计的新型现代模数转换器（ADC）都需要外部信号调理电路以适应包含地电平的真双极性信号，或需要外部缓冲放大器进行内部信号偏置。ADI公司采用其iCMOS制造工艺最新推出的AD7328系列产品其前端能够接受高电压，     

面向工业应用的高电压模拟IC的芯片制造工艺

Analog Devices公司(位于美国马萨诸塞州Norwood)开发成功一种集高电压硅芯片、亚微米CMOS和互补双极型技术于一身的模拟芯片制造工艺,利用该工艺可生产出能够承受高达30V电源电压的元件——从而实现了性能的突破性提升,并降低了系统设计成本和功耗(功耗降幅高达85％),外壳封装尺寸也缩小了30％。这种被称为“工业CMOS(iCMOS)”的工艺有望造就一类新型高性能模拟元件,     

iCMOSTM--工业电子工程领域的重大突破

当今最先进的集成电路(IC)制造工艺正在重新开拓工业市场。迄今为止,在电噪声环境中以高电压工作的数据转换器、放大器、开关、多路复用器和其他器件一直沿着减小制造工艺尺寸的发展路线不懈地努力。美国模拟器件公司(Analog Devices,Inc．,简称ADI)提出了iCMOSTM——工业CMOS制造工艺,这种创新的制造工艺技术使客户可以在采用亚微米尺寸工艺的器件上施加高达30V电压,     

工业设计的全新价值标准

采用先进技术的模拟信号和混合信号集成电路(IC)，尤其是采用亚微米CMOS工艺制造的IC，为各种应用带来了极大的尺寸、成本和功耗优势，最值得关注的是一工业应用。目前的大多数IC都无法满足传感器和执行机构对高电压的要求。小尺寸CMOS工艺不断降低电源电压并且从双电源转向单电源的趋势迫使工业工程师不得不在新的先进IC周围增加更多的分立电路。     

电路级热载流子效应仿真研究

随着集成电路制造工艺的不断进步,沟道长度、结深、栅氧厚度等特征尺寸不断减小,而电路的电源电压没有按比例减小,易造成MOSFET的电流-电压特性退化,需要提前在设计阶段加以考虑。对电路长期可靠性问题中的热载流子效应(HCI)进行了仿真研究。     

减小双极超高速IC尺寸的技术

本文详细叙述了减小双极超高速IC器件的横向尺寸和纵向尺寸的技术,着重在多晶硅基极接触、多晶硅发射极接触、开槽隔离方面作了具体介绍;对八十年代具有代表性的先进双极工艺,如PSA、SICOS、SST、SDK和深槽隔离技术作了详尽的叙述。最后,比较了采用这些工艺所制造的双极器件及电路的性能参数。     

Altera的Quartus Ⅱ 4．2进一步提升FPGA和CPLD性能

在亚微米工艺水平阶段，动态功耗占IC总功耗的比重较大，但随着工艺尺寸不断减小，深亚微米制造工艺正在逐步成熟并被广泛采用，这使得静态功耗，特别是待机功耗在IC总功耗中的比例逐渐增大，同时漏电流也在随之增大。这就需要在提升IC的工作速度和降低功耗之间进行权衡。     

一种低功耗低噪声相关双取样电路的研究

为了尽量在前级消除CMOS图像传感器读出电路中的主要噪声源，本文提出一种低功耗低噪声的相关双取样电路，开关晶体管采用PMOS晶体管代替传统的NMOS晶体管，避免了NMOS管的阈值损失，有效地降低功耗而不减小信号摆幅，降低了1/f噪声。与传统CDS电路相比较，所提出的CDS电路的输出采用对称列选通开关和源跟随晶体管，减少了两个电流源晶体管和一个偏置电源，有效地降低了功耗：同时，现有工艺能制造出性能匹配很好的对称晶体管，有效地消除器件本身由于阈值偏差带来的固定平面噪声。模拟结果表明，在电源电压为3．3V的情况下，像素单元响应动态范围(输出幅值接近电源电压)较宽，像素单元及CDS正常工作时消耗的能量是1．73μW。     

创新制造工艺为后盾：ADI iCMOS显著提高模拟IC性能

目前集成电路制造工艺正在重新开拓工业市场,迄今为止,在电噪声环境中高电压工作的数据转换器、放大器、开关、多路复用器和其他器件一直在减小制造工艺尺寸的发展路线上努力不懈.对此,ADI(美国模拟器件公司)提出了iCMOS--工业CMOS制造工艺技术,使客户可以在采用亚微米(0.6 μm)尺寸工艺的器件上施加高达30V电压,可选的漏极扩展允许工作电压高达50V.     

基于晶闸管型延迟单元的芯片指纹PUF电路

提出一种面向芯片指纹应用的物理不可克隆函数(PUF)电路,包括基于晶闸管型延迟单元的工艺敏感电路、时间偏差放大器和时间偏差比较器三个部分。工艺敏感电路由两个相同的晶闸管型延迟单元组成。晶闸管型延迟单元对工艺变化非常敏感,而在电源电压与温度变化时稳定性较强,可有效改善PUF电路的唯一性与稳定性。时间偏差放大器对工艺敏感电路输出的微弱延时差进行放大,减小延时差对噪声和时间偏差比较器精度的敏感性,使比较器能够产生稳定的输出,进一步提高PUF电路的稳定性。基于0.18 μm CMOS工艺,对电路进行设计与仿真。结果表明,PUF电路的输出具有良好的海明距离统计分布特征,当温度在－40 ℃~100 ℃范围、电源电压在1.7~1.9 V范围变化时,PUF电路的稳定性可达95.8%。     

恒流-恒压模式控制的锂电池充电器的设计

设计了一款恒流-恒压充电模式控制的锂离子电池充电器,当电池电压低于2.9 V时,充电器提供涓流充电模式;当电池电压高于2.9 V时,充电器提供恒流充电模式;当电池电压达到4.2 V时,实现恒压充电模式对充电器的控制,充电电流减小。对主要子模块的电路进行了详细的设计与仿真并进行了稳定性分析,均能够在不采用任何补偿的情况下保持稳定。电路采用CSMC公司的0.6μm B iCMOS工艺模型,基于Cadence仿真平台对电路进行了前仿真,仿真结果表明,在5 V电源电压下,涓流充电电流为50 mA,恒流充电电流为502 mA,最终电池电压为4.202 V。     

一种大电流高精度集成汽车电压调节器

介绍了一种大电流高精度集成汽车电压调节器的设计原理及电路结构.该集成汽车电压调节器由基准电压源、比较放大器、保护电路和调整管等单元组成.该电路采用硅双极型对通隔离功率IC工艺研制,具有过流/过压、过热保护功能,以及电压调节精度高、调整电流大等特点.     

ADI推出高压模拟IC制造工艺iCMOS

在电噪声环境中处于高压工作状态的数据转换器、放大器、开关、多路复用器和其它器件一直沿着减小制造工艺尺寸的方向发展,以提高集成度,降低成本,但这同时也带来了一个问题,那就是随着制造工艺尺寸的细微化,IC所能承受的工作电压也在不断减小,而在许多应用领域,特别是工业市场     

TFT-OLED像素单元电路及驱动系统分析

本文基于TFT-OLED有源矩阵像素单元电路,着重分析了两管TFT结构、三管TFT结构、四管TFT结构及多管TFT结构的电压控制型与电流控制型像素单元电路的工作原理和优缺点,指出电压控制型电路具有响应速度快的特点,而电流控制型电路则能准确地调节显示的灰度.最后简要讨论了控制/驱动IC对TFT-0LED有源驱动电路的影响.     

多层金属布线

随着IC的高速化、高集成化、高密度化和高性能化，电路特征尺寸不断缩小，多层布线在IC制造中的地位日臻重要。本文介绍了多层布线的技术趋势与特点以及多层布线的基本结构、材料和铝布线可靠性、CMP等几个热点工艺。