一种4 kb铁电存储器的设计

以清华大学微电子所的铁电存储器工艺为基础,设计了一个规模为4kb(512×8位)的铁电存储器,包括存储阵列、灵敏放大器、字线位线译码、驱动脉冲产生等模块。设计中,采用新开发的铁电电容模型,文中重点介绍了与传统DRAM、SRAM等存储单元完全不同的铁电存储单元的设计方法。仿真结果表明,铁电存储器在5V工作电压下工作周期为120ns。     

Ramtron可替代SRAM的1兆位铁电存储器

Ramtron国际公司（Ramtron International）宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM20L08。此型号操作电压为3伏，采用32引脚TSOP（薄型小尺寸封装）封装。FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电存储器。该型号专门用来替换标准异步静态随机存储器（Standard asynchronous SRAM）。同时，该型号还特别适用电压多样或者电压可能突然消失的存储数据系统，如机顶盒、汽车远程信息处理以及工业应用等系统。     

基于FRAM铁电存储器的可移动数据采集器

使用新一代的非易失性存储器棗铁电随机存取存储器,设计一种能长时间记录变化缓慢的直流信号或监测捕捉记录偶尔出现的脉动信号的可移动数据采集器,是低成本解决现场数据的自动记录的有效办法。文章介绍了几种简单易行的数据记录方法和用Ramtron公司生产的FM24C256存储芯片设计的可移动数据采集器及其记录程序流程,给出了一种可变采样频率记录和脉冲检测记录的综合记录方式数据采集器设计方法。     

FM31xxx铁电存储器及其读写程序

铁电存储器是新一代的非易失性存储器,FM31xxx 是 Ramtron 公司新近推出的几种不同存储容量的铁电存储器系列芯片。该器件除了相应容量的存储器外,还集成了多种支持 CPU 工作所必须的辅助功能。特别适合在为工业记录仪器、数据采集、可移动存储器等方面的应用。文章简要介绍 FM31xxx芯片,并具体给出了用 Atmel 公司的 AVR 单片机汇编语言编写的存储器读写程序。     

16kbit非易失性铁电存储器芯片FM25C160原理及其应用

FM25C160是美国Ramtron公司生产的非易失性铁电介质读写存储器。它具有高速读写,超低功耗和无限次写入等特性。文中介绍了FM25C160的性能特点、管脚定义、内部结构和工作原理。给出了AT89C51单片机与FM25C160的接口电路图和对FM25C160的写操作流程图。     

并行接口铁电存储器FM1808及其应用

RAMTRON公司生产的并行接口高性能铁电存储器FM1808是NV -SRAM的理想替代产品。文中介绍了FM1808的性能特点、引脚功能和工作原理 ,同时重点介绍了铁电存储器的应用特点及与其它类型存储器之间的应用差别 ,给出了FM1808的设计应用要点     

一种4k位串行铁电不挥发存储器的VLSI实现

文章提出了一个基于VLSI的4k位串行铁电不挥发存储器的实现方案。该电路采用2T－2C的存储单元设计,针对铁电电容的读出和写入的电流电压特性设计了相应的读写时序,给出了状态机的描述和相应的电路实现。该电路与通用的E^2PROM 24C04在接口、电学特性上完全兼容,可以在24C04的电路应用中直接代替之。     

多功能铁电存储器FM31xx及其应用

FM31xx是一种基于I2C总线并采用铁电体存储技术的多功能存储芯片.文中介绍了存储器、实时时钟、看门狗、复位、低压报警等部件和序列号的使用方法,给出了FM31xx电存储器在使用过程中的常见问题和解决技巧.     

高速高容量铁电存储器有望诞生

近日．复旦大学信息科学与工程学院微电子学系教授江安全在高密度铁电阻变存储器（Ferro—RRAM）的研究中取得重大进展,他带领的研究小组与中科院物理所、首尔大学、剑桥大学等合作,证明了一种铁电自发极化方向调制的P—n结电流,可运用于高密度信息的非挥发存储。这也就意味着,在存储器领域中,     

用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS结构的机理研究

分析了 MFIS FET的工作机理以及影响 MFIS电容的存储窗口特性的因素 ,提出用存储窗口与铁电薄膜正、负矫顽电压的差值来评价存储窗口特性 ,制备了 Au/Cr/PZT/Zr O2 /Si的 MFIS结构并研究了其存储窗口特性 ,存储窗口随 Zr O2 的厚度变化呈现一个极大值 ,甚至会出现 C-V曲线方向的变化 ,而 PZT薄膜的厚度增大会导致窗口增大 ,这是由于界面效应以及在铁电层和介质阻挡层上电压分配关系的不同而造成的 ,这一结果与前面的分析很好地吻合。当 Zr O2 和 PZT的厚度分别为 3 0 nm和 2 5 0 nm、扫描电压从 -5 V到 +5 V变化时 ,存储窗口大小为 2 .5 V,与相应的铁电薄膜的正、负矫顽电压的差值的比为 0 .8。     

应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性

将ZrO2和PZT的sol-gel薄膜制备技术应用到非破坏性读出铁电存储器中,制作出应用Al/PZT/ZrO2/p-Si结构的MFIS电容和单管MFIS FET,研究了MFIS电容的界面和存储窗口特性,结果表明ZrO2介质阻挡层和Si衬底以及PZT的附着良好,在±5V测试电压、1MHz测试频率下,存储窗口电压为2.6V左右,与相应的铁电薄膜的正、负矫顽电压差值的比为0.8.对于宽长比为500μm/50μm器件,采用栅极与源极、漏极写入方式,±10V时在写入电压下得到理想的输入-输出特性;小尺寸的40μm/8μm器件在±5V写入电压下特性较好.     

应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性

将ZrO2和PZT的sol-gel薄膜制备技术应用到非破坏性读出铁电存储器中,制作出应用Al/PZT/ZrO2/p-Si结构的MFIS电容和单管MFIS FET,研究了MFIS电容的界面和存储窗口特性,结果表明ZrO2介质阻挡层和Si衬底以及PZT的附着良好,在±5V测试电压、1MHz测试频率下,存储窗口电压为2.6V左右,与相应的铁电薄膜的正、负矫顽电压差值的比为0.8.对于宽长比为500μm/50μm器件,采用栅极与源极、漏极写入方式,±10V时在写入电压下得到理想的输入-输出特性;小尺寸的40μm/8μm器件在±5V写入电压下特性较好.     

东芝开发出大容量非易失铁电存储器

日本东芝公司日前宣布,该公司开发出容量128兆比特、数据传输速度每秒1．6吉字节的非易失铁电随机存储器（FeRAM）,创下世界非易失随机存储器容量和速度两项最高记录。本次开发的铁电随机存储器还采用与动态随机存储器（DRAM）相同的DDR2接口,从而实现了在提高系统性能的同时减少耗电量的目标。新开发的非易失铁电随机存储器将来有望用作手机等各种移动设备的主存,和笔记本、固态硬盘的缓存。     

铁电晶体管存储器的读出电路设计

通过对铁电晶体管电学特性分析,提出了铁电晶体管的仿真模型,并设计了一种新型单管(1T)结构的读出电路。通过此模型进行了仿真验证,并与传统双管(2T)结构的电流放大读出电路的仿真结果进行对比,结果表明,新型1T结构读出电路在读出速度,可靠性及电路结构大小等方面均有提高。     

铁电薄膜和铁电场效应存储器研究

简述了铁电场效应管ＦＦＥＴ工作原理；说明了器件对薄膜和结构的要求；指出了铁电薄膜的电滞回线及金属铁电半导体结构的Ｃ－Ｖ特性。     

新型不挥发非破坏性读出铁电存储器(MFS)

长期以来，人们认为铁电场效应管是单晶体管、不挥发、非破坏性读出存储器的基本结构。铁电场效应管的基本结构为金属／铁电／半导体（MFS）结构。MFS存储器与其它不挥发性存储器相比在数据传输速率、疲劳特性和工作电压等方面有更大的优点。本论文简单地论述了MFS存储器的结构、工作原理和制备方法。     

FM20L08型铁电存储器的原理及应用

本文主要介绍了铁电存储器FM20L08的原理及应用.该存储器不仅克服了EEPROM和Flash存储器写入时间长、擦写次数少等缺点,而且增加了电压监控器和软件控制的写保护功能,1MB的存储容量足以替代静态随机存储器.介绍FM20L08的引脚功能和工作原理,并在此基础上给出基于FM20L08的高速数据存储系统的设计方案及与单片机的接口电路.     

可替代SRAM的1兆位铁电存储器

Ramtron国际公司宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM201．08该存储器的工作电压为3Y，采用32引脚TSOP封装，FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电俘储器，可以对其进行尢限次的读写操作。该型号是专门设计用束替换标准异步静态随机存储器的（SRAM）。同时．这个型号还特别适用电压多样或者电压会突然丢失的存储数掂系统，如机顶盒、汽车远程信息处理及工业应用等系统。