电子级六氟乙烷的气相色谱分析

采用配备放电离子化检测器(DID)的GOW–MAC 816气相色谱仪,利用中心切割技术对六氟乙烷主组分进行切割,避免其进入检测器系统,从而能够准确地分析出电子级六氟乙烷中微量杂质的含量。该方法简捷,方便,灵敏度高。     

双氦离子化气相色谱仪分析四氟化硅气体中微量杂质

介绍了一种利用双通道氦离子化气相色谱仪(PDHID),分析四氟化硅中微量硅烷、磷烷、氟代烷、C2～C3碳氢化合物以及常见气体杂质的方法.由于四氟化硅具有很强的腐蚀性,在对其进行分析时,利用阀切割系统将大量的四氟化硅主要成分切割,及时地将四氟化硅反吹出去,使其不进入检测器系统.经过将四氟化硅气体进样检测验证,该方法能够有效测定四氟化硅气体中多种微量杂质.     

三氟化氮中微量杂质的气相色谱分析

介绍了一种用放电离子化检测器(DID)分析三氟化氮中微量气相杂质的方法。利用阀切割技术对大量的三氟化氮主组分进行切割,避免其进入检测器系统,从而准确地分析出三氟化氮中杂质的含量。该法简便、快捷、准确度和精密度高。     

DID气相色谱法分析精丙烯中微量永久性气体杂质

介绍了一种放电离子化检测器(DID),分析精丙烯中微量永久性气体杂质的方法。利用不同的色谱柱和阀切换将气体杂质从主组分掩盖下有效分离,外标法定量,同时测定了方法的精密度。该方法简便快捷、实用性强、准确度和精密度高,杂质组分CO的检测限能够达到7μL/cm3,非常适合石化生产过程分析。     

高纯氟化氢中微量杂质气体测定

采用气相色谱分析系统,建立了一种精准测定高纯氟化氢(HF)中微量杂质气体的方法。以高纯氦为载气,高纯HF经专用除水装置除水、预分离柱分离、反吹处理,气体杂质通过分子筛柱和Hayesep柱分离后进入氦放电离子化检测器(DID),用外标法定量分析微量杂质组分H_2、O_2+Ar、N_2、CH_4、CO和CO_2,体积分数检出限可达10~(-8),相对标准偏差(RSD)5%。该方法准确、可靠、精密度好,能够精准检测HF气体中的微量气体杂质。     

高纯六氟化钨中微量杂质的气相色谱分析

介绍了一种利用脉冲放电氦离子化检测器(PDHID)分析六氟化钨(WF6)中气相杂质的方法。该法利用阀切割技术对WF6主组分进行反吹,避免其进入分析柱及检测器,可准确分析出其中杂质的含量。     

一种新的微量气体浓度检测方法

提出一种微量气体浓度检测的方法,利用单一气体中声速与温度关系,在测量温度时避免了直接测温所带来的测量误差。在测温电路中应用了全数字锁相环技术提高了超声波传播时间的测量精确度。以空气中SF6气体浓度为例在MATLAB环境里建立仿真模型,仿真结果表明:该测量方法的微量气体浓度检测精度达到10-6,相对误差不超过1%。     

高纯电子气体中金属杂质分析方法概述

概述了高纯电子气体中金属杂质的来源及测定高纯气体中金属粒子的前处理方法和检测手段。选定检测手段从最初的单一仪器检测逐渐过渡到仪器间的联合检测。选用合适的检测方法,满足痕量杂质(10-9级)、复杂组分的分析要求。这样能更精准的检测出更多金属种类。不仅提供对半导体生产中沾污的测试手段,而且对高纯气体的生产、包装等具有非常重要的意义。     

关于气相色谱快速分析裂解气中微量乙炔的方法研究

本文建立一种气相色谱快速分析裂解气中微量乙炔的方法。通过考察各类色谱柱、中心切割、柱温、流速对实验结果的影响,确定了最佳实验条件。利用中心切割技术实现裂解气中其它高含量烃类组分的切除或反吹,消除对乙炔的干扰。同时对该方法进行了精密度、准确度和最小检测限考察。方法中乙炔最小检测限为0.1 mL/m3,相对标准偏差小于2.0%,回收率都在95%～105%之间,满足标准要求。结果表明该方法是快速分析裂解气中微量乙炔的一种简单快捷、准确可靠的分析方法。     

多维色谱技术快速检测电子气中痕量气体杂质的方法研究

采用多维气相色谱,通过不同色谱柱的组合变换、配合反吹、中心切割等操作技术,分别对六氟化硫、四氟化碳、氢气3种电子气中的6～7种杂质检测进行了方法开发。使用气体稀释法作出了5个浓度下氢气中各组分的响应校准曲线,线性良好,最低浓度点0.05×10^-6 mol/mol时的RSD均小于10%。系统地描述了3种电子气检测方法的开发过程和经验技巧,计算了检出限,均远好于市场检测需求,其中六氟化硫各组分检出限在20.3×10^-9～30.3×10^-9 mol/mol,四氟化碳各组分检出限在16.2×10^-9～25.5×10^-9 mol/mol,氢气各组分检出限在8.1×10^-9～15.6×10^-9 mol/mol,方法重复性好、检测效率高,可作为标准操作规范向社会开放共享。