修正BaTiO3基PTC陶瓷材料二次添加物量的研究

介绍了ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣ陶瓷材料二次添加物及其作用,讨论了修正添加量的必要性,给出了修正方法并通过实验得出结论     

BaTiO3基PTC材料性能的影响因素分析

本文综述了影响BaTiO3基PTC材料性能的各种因素，并分析了一些影响因素之间的交互作用和某些因素的多重作用。     

受主杂质Mn对（Ba,Pb）TiO3系高温PTC热敏陶瓷的影响

本文研究了(Ba,Pb)TiO_3系高温PTC半导体陶瓷中半导化与其烧结工艺、铅空位、钡空位和施、受主杂质等相互之间的关系。着重分析讨论了引入受主杂质Mn对材料的半导化的影响,并采用复合缺陷模型自洽地解释了实验现象。     

Co_2O_3掺杂Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3陶瓷介电性能研究

采用固相反应法制备了Co2O3掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,研究了Co2O3掺杂对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷相结构与介电性能的影响。结果表明,掺杂Co2O3后Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷产生了第二相,随着Co2O3施主掺杂量的增加,抑制了第二相的产生,掺杂后的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷是具有弥散相变的铁电体,弥散程度随掺杂量的增加而增加,x=0.01时,矫顽场最大。     

Ba1+x(Mg1/3Nb2/3)O3 陶瓷的烧结行为和微波介电性能

研究了A位Ba离子化学计量比变化对Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷烧结行为、微观结构和微波介电性能的影响.结果表明,Ba缺量可促进Ba(Mg1/3Nb2/3)O3烧结和B位1∶2有序,而Ba过量则阻碍Ba(Mg1/3Nb2/3)O3烧结和B位1∶2有序.Ba缺量促进Ba(Mg1/3Nb2/3)O3烧结和B位1∶2有序是由于Ba缺位的存在,而Ba过量阻碍Ba(Mg1/3Nb2/3)O3烧结则是由于过量的Ba可能以游离态存在于晶界,阻碍了晶界的移动,从而降低了Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的烧结性能,抑制了致密化过程.Ba缺量对Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的介电常数影响不大.Ba缺量越多,材料的Qf值越低.     

掺杂物对SrTiO3基瓷晶界层电容器影响的研究

选择La2O3、V2O5掺杂SrTiO、控制合适的Ti/Sr比、添加适量CuO和AS以及调节最佳工艺参数，系统地研究了它们对SrTiO3试样的还原烧结行为、显微结构和介电性能的影响。实验结果表明：V2O5作为施主掺杂物能较大幅度地降低SrTiO3的还原烧结温度；三价离子掺杂大于五价离子掺杂所需的Ti/Sr比；添加适量的CuO、AS能形成厚度适当的高阻绝缘晶界层。通过实验，我们获得了1300℃还原烧成温度下综合性能佳、复现性好的V2O5掺杂SrTiO3 GBBLC。     

Bi2O3和Fe2O3掺杂对BaTiO3陶瓷显微结构的影响

利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和X射线能量色谱（EDAX）等结构分析技术,研究了施主（Bi^3 ）和受主（Fe^3 掺杂对BaTiO3陶瓷显微结构的影响。研究结果表明：施主掺杂抑制晶粒生长,受主掺杂则促进晶粒生长;受主（Fe^3 ）掺杂导致部分晶粒中出现壳－芯结构和包晶结构特征,EDAX微区分析证实,壳－芯结构和包晶结构的形成都与Fe^3 的偏析有关;在Bi掺杂BaTiO3陶瓷晶粒中发现了离子化合物材料中比较罕见的位错网。     

纳米Al2O3改性聚酯亚胺介电性能

为了提高聚酯亚胺树脂耐电晕性能,采用微乳化-相转变法制备纳米Al_2O_3溶胶,并通过机械共混,使其分散到聚酯亚胺树脂溶液中,制备了纳米Al_2O_3杂化聚酯亚胺复合材料。实验结果表明:纳米粒子在聚酯亚胺基体中分散均匀;随掺杂量的提高,复合材料的耐电晕性呈上升趋势,但介电强度呈下降趋势,当纳米掺杂质量分数为12%时,耐电晕寿命达到纯聚酯亚胺树脂的5倍,介电强度达到175.2 kV/mm;纳米Al_2O_3对复合材料的介电损耗影响很小,但介电系数随掺杂量增加而略有升高;引入纳米Al_2O_3对材料耐热性影响不大。     

(1-x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3-xPbTiO3陶瓷的结晶性能和介电特性

在钽钪酸铅中加入钛酸铅，形成具有复合钙钛矿结构的钽钪酸铅－钛酸铅固溶体，可以提高钽钪酸铅材料体系的居里点，降低其制备温度，从而扩大该体系的应用范围。用一步法合成了钽钪酸铅－钛酸铅陶瓷，测试了介电常数和温度的关系。实验结果表明，这种陶瓷的钙钛矿相含量均在90％以上，最高相含量达1005；该种陶瓷的工艺简单，合成温度低，钙钛矿含量高，有望在工业化生产中得到推广。     

Ba（Zr0．06 Ti0．94）O3－BiFeO3复合陶瓷的介电、铁电及压电性能研究

采用高温固相法制备出Ba（Zr0．06Ti0．94）O3－x％BiFeO3（x＝0．2,0．4,0．6,0．8）系列复合陶瓷,并研究了其相结构、介电、铁电和压电性质．XRD结果表明,所有样品均呈现典型的钙钛矿四方相结构,而样品的晶格常数随着BiFeO3的含量改变发生了一定变化．介电－温度图谱表明,复合陶瓷的相变温度和介电常数都受到了BiFeO3成分影响,室温介电常数随着BiFeO3含量的增加不断增大,并且复合陶瓷中存在弥散相变．所有样品均显示出明显的铁电与压电特性,并且随着BiFeO3含量变化,两种特性呈现出相同的变化趋势．     

BaO-TiO2-Nd2O3-La2O3系陶瓷结构与介电性质研究

在BaO-TiO2-Nd2O3(BTN)系材料中以La2O3部分取代Nd2O3后构成BaO-TiO2-Nd2O3-La2O3(BTNL)系的结构和介电性能。实验结果证实,随着La2O3和Nd2O3摩尔比的增加,介电常数的温度系数((下降,用XRD分析证明是因为BaLa2Ti4O12和La2Ti2O7相的增加所致。在BTNL系中加入适量的添加剂可获得中温下烧结的具有超低损耗的微波陶瓷材料,可用于研制微波独石电容器。     

Lu在BaTiO_3陶瓷中的位占据研究

采用冷压陶瓷技术分别制备名义分子式为(Ba1-xLux)Ti1-x/4O3、Ba(Ti1-xLux)O3-x/2、(Ba1-xLux)(Ti1-xLux)O3(x=0.01,0.02)的陶瓷.由X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、介电温谱(DTC)和电子顺磁共振(EPR)技术调查Lu在BaTiO3陶瓷中的位占据.结果表明:仅仅在(Ba1-xLux)Ti1-x/4O3陶瓷中存在单相四方钙钛矿结构,且固溶度为x=0.01;其他5个陶瓷的主钙钛矿相内均有少量第二相Lu2O3或Lu2Ti2O7析出.在具有细晶粒微结构的单相(Ba1-xLux)Ti1-x/4O3(x=0.01)陶瓷中,Lu3+离子占据Ba位,诱致Ti空位缺陷;但占据Ba位的Lu3+离子不能完全填充本征的Ba空位,导致Ba空位和Ti空位缺陷共存.     

Dielectric Properties of B_2O_3 Doped MgTiO_3-CaTiO_3 System Ceramics

1　IntroductionMgTiO3 basedceramicsarewellknownasmicrowavedielectricwithhighQvalueandlowτfvalue .Since1990s ,FerreiraetalReportedthemicrowavedielectricpropertiesofMgTiO3 CaTiO3ceramicsdopedwithLa2 O3,Cr2 O3[1 3] .Mostoftheresearcheswereconcernedwithimpro…     

Tb在BaTiO_3陶瓷中的自补偿模式探索及介电性质

探索(Ba1-xTbx)(Ti1-xTbx)O3(x=0.05)陶瓷(BTTT5)的自补偿模式及介电性质.结果表明:BTTT5具有单相四方钙钛矿结构.Tb离子以Ba位Tb3+和Ti位Tb4+的混合价形式存在,Tb3+Ba-Tb3+Ti缺陷复合体的自补偿模式不能形成,且Ba空位和Ti空位缺陷共存.对BTTT5实现了介电温度稳定的X5S指标,并显示极低的介电损耗(tanδ0.02),是一个有前途的介电材料.     

Thermoelectric Properties and Electronic Structure of Ca_3Co_2O_6

1　IntroductionIthasbeengenerallyacceptedthatthethermoelectricefficiencyofoxidesislowerthanthatoftheconventionalthermoelectricmaterialbecauseoftheirhighioniccharacter,whichgenerallycausesastronglocalizationofelectronsandhenceleadstoaverylowcarriermobility…     

La掺杂对SrBi4Ti4O15铁电介电性能影响

研究了La掺杂对SrBi4Ti4O1s铁电介电性能影响.当La含量为0.75时得到剩余极化2Pr极大值为17.8 μC/cm2,同时介电常数呈现极大.随La掺杂浓度升高,相变温度Tc降低.     

Cr_2O_3及Nb_2O_5掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷结构与介电性能

采用固相法制备了Cr2O3、Nb2O5掺杂的钛酸钙铜基高介电陶瓷,研究了Cr2O3、Nb2O5掺杂对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷晶体结构、显微结构及介电性能的影响.结果表明:当掺杂量x在所研究区域质量分数0~0.8%之间时,样品均形成纯钙钛矿固溶体;两种掺杂对钛酸钙铜陶瓷的晶体生长均有抑制作用,Cr2O3掺杂的样品在1100℃致密成瓷,Nb2O5掺杂的样品在1080℃致密成瓷;当Cr2O3掺杂量为质量分数0.4%、Nb2O5掺杂量为质量分数0.4%时,与纯CCTO相比,两种掺杂对陶瓷的介电性能均有明显的改善作用,室温、1kHz下陶瓷的介电损耗分别为0.04、0.17,Cr2O3掺杂钛酸钙铜陶瓷性能要优于Nb2O5掺杂的钛酸钙铜陶瓷.     

Electric characteristics of Nd_2O_3 doped BaTiO_3 ceramics

0　INTRODUCTIONBaTiO3hasbeenextensivelystudiedandwidelyuti lizedasaceramicmaterialforelectronicapplications .TheuseofadditivespermitsvaryingoftheCurietemperatureandpresentsapeculiarvariationoftheresistancewithtemperature[1,2 ] .Commonadditivesaredopantionssuchasyttrium ,whichsubstituteforbariumandpromotean typesemiconductivity .Therare earthelementsinBa TiO3ceramicscouldlowertheresistivitiy ,improvethedi electriccharacteristicsanddecreasethesinteringtempera turenoticeably[3,4 ] ,sotheim…