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本文讨论了稀土-过渡金属(以下简写为 RE-TM)非晶合金膜用作磁光记录介质的理论和 TbFeCo 膜的特性。采用射频溅射技术制备出 TbFeCo 非晶垂直磁化膜。膜的垂直各向异性常数K_u 为2.94×10~(5J)/m~3,克尔旋转角θ_k 为0.24-0.29°。得到了θ_k 随过渡金属 Co 含量而变化的曲线。当 Co 在 TM 次网络中含量达50%时,θ_k 有最大值0.29°。在膜被复盖一层 SiO_2或 AlN 之后,θ_k 从0.29°提高到0.55°或1.48°。(TbFeCo+AlN)膜的θ_k 达到1.48°这样高的值,尚未见文献报导。这种膜可以直接用作磁光记录介质。 相似文献
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从基础原理上讲,磁—光记录与任何磁性记录都是相同的,只是它采用了垂直记录,而不是常规的纵向记录方式。在垂直记录介质中,磁性颗粒垂直于磁性材料表面排列,这种排列方式可使磁性颗粒的密度达到很高,使于记录波长更短的信号,从而获得很高的记录密度。随着 相似文献
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采用射频磁控溅射法制备了非晶TbFeCo薄膜及其保护层AlN薄膜 ,并研究保护层对薄膜的磁和磁光特性的影响。结果表明 ,AlN薄膜可以增强薄膜磁光效应 ,同时 ,AlN薄膜对TbFeCo磁光薄膜的矫顽力、垂直磁各向异性以及本征克尔角都有一定的影响。其原因来自于溅射过程中N和Al原子对TbFeCo薄膜表面的轰击而导致的界面特性的改变 相似文献
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采用射频磁控溅射法制备了非晶TbFeCo薄膜及其保护层AlN薄膜,并研究保护层对薄膜的磁和磁光特性的影响。结果表明,AlN薄膜可以增强薄膜磁光效应,同时,AlN薄膜对TbFeCo磁光薄膜的矫顽力、垂直磁各向异性以及本征克尔角都有一定的影响。其原因来自于溅射过程中N和Al原子对TbFeCo薄膜表面的轰击而导致的界面特性的改变。 相似文献
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本文研究了具有任意磁化方向的静磁波调制的光调制理论和静磁波与光波相互作用。用耦合模理论研究TE(?)TM模随静磁波的变换,导出TE(?)TM模式转换效率表达式,给出理论上获得最大转换效率的条件。 相似文献
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采用射频磁控溅射方法制备了SmDyFeCo非晶磁光薄膜,研究了氩气压,溅射功率对SmDyFeCo薄膜磁特性的影响。实验表明,和DyFeCo非晶薄膜相比,SmDyFeCo非晶薄膜的矫顽力Hc随温度变化更为缓慢,并且具有更大的垂直磁各向异性常数,因而具有更好的记录特性,本征磁光克尔角可达0.31,可以作为一种实用化的磁光记录介质。 相似文献
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近年来 ,磁性记录介质在高密度、高性能、大容量、小型化和数字化方面不断取得重大发展。计算机数据记录市场的磁性记录介质迅速由磁带和软磁盘向磁光盘转变。据日本记录介质工业协会(JRMIA)对信息记录介质的生产和市场调查 ,软磁盘的世界市场需求量从 1 995年的顶峰迅速下滑 ,Zip盘 ,MO磁光盘和一次性刻录CD光盘等一系列存储介质的市场需求量不断上升。在各种计算机使用的可擦写记录介质中 ,3 5英寸磁光盘 (MO)和驱动器使用极为普遍。目前 ,日本是 3 5英寸磁光盘 (MO)和驱动器的主要市场 ,约占全世界销售量的 80 % ,其它… 相似文献
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本文简要介绍了磁光隔离器的理论、结构和分类,并提出了该器件今后发展的几个问题,是最后介绍了几种磁光材料。 相似文献
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本文简要介绍了磁光隔离器的理论、结构和分类 ,并提出了该器件今后发展的几个问题 ,最后介绍了几种磁光材料 相似文献
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近代光学技术正在迅速发展。作为光学技术的基础一光学材料,除了当作透过、成像、滤光等介质材料仍在继续进行深入地研究之外,又相继出现了像激光、电光、声光、磁光、存贮等光学功能材料。这类材料在激光技术、信息处理、光通讯等方面被广泛用来做调制、开关、倍频、存贮、显示等器件。对这些新功能材料所展开的广泛而深入的研究。也进一步丰富和发展了材料科学的基础理论研究和应用研究。在光学功能材料中,由于玻璃态本身所固有的特点:高度光学均匀性、透明度高、用通常的工艺可制得大尺寸、形状任意,成本低,因此它们在光学功能材料中占有十分重要的地位。本文将着重介绍声光,磁光玻璃发展概况,基本原理、性能及其应用。 相似文献
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日本国际电信电话公司(KDD)和索尼公司,最近研制出可反复记录的光磁盘。这两家公司还试制了装有光学磁头的磁盘装置。如用上述系统进行数字记录,一枚30cm光磁盘可记录A 4号图纸4万张;20cm盘可记录2万张。与软磁盘相比,光磁盘的记录密度高500~1,000倍。光磁盘的另一优点是,其Tb-FeCo记录层由保护膜密封,可长期保存和反复记录。目前,KDD公司将在国际通信服务中 相似文献
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