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为进行10 keV X射线和60Co γ射线总剂量辐射效应的比较,采用这两种辐射源对SOI (Silicon-on-Insulator) n-MOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐照试验,分析了SOI NMOS器件在两种辐射源下辐照前后的阈值电压的漂移值并进行比较.实验结果表明,SOI NMOS器件的前栅特性中X射线与60Co γ射线辐照感生阈值电压漂移值的比值α随总剂量增加而增大,而背栅特性中α值在不同偏置条件下变化趋势是不同的;在总剂量为1×106 rad(Si)时,前栅器件α值为0.6~0.75,背栅器件α值为0.76~1.0. 相似文献
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MOS器件辐照引入的界面态陷阱性质 总被引:1,自引:0,他引:1
通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质 ,用半导体器件模拟软件 Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性。结果表明 ,对于 NMOSFET,费米能级临近导带 (N沟晶体管反型 )时 ,受主型界面态为负电荷 ,施主型界面态陷阱为中性 ,使界面态陷阱将引起的阈值电压漂移 ;而对 PMOSFET,当费米能级临近价带 (P沟晶体管反型 )时 ,施主型界面态陷阱带正电荷 ,受主型界面态陷阱为中性 ,界面态陷阱将引起负的阈值电压漂移。理论模拟的转移特性与测试结果吻合。文中从器件工艺参数出发 ,初步建立了总剂量电离辐照模型 ,该模型对于评估器件总剂量加固水平提供了一种理论方法 相似文献
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MOS器件在不同源辐照下总剂量效应的异同性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了加固型CMOS电路在^60Co—γ射线源、10MeV以下的质子、1~2MeV的电子等辐射源辐照下的总剂量效应实验。结果表明,在相同吸收剂量和 5V栅压的偏置条件下,1MeV的电子与^60Co—γ射线源对器件的损伤相当。质子与^60Co-γ射线源对器件的辐射损伤,在不同的栅压偏置下有不同的结果。 5V栅压下,能量在10MeV以下的质子对器件的损伤小于^60Co-γ射线源,且质子对器件的辐射损伤随着质子能量的增加而增加;在零栅压的偏置条件下,质子对器件的损伤与^60Co-γ射线源对器件的损伤相当。通过对实验结果的分析认为,用实验室常用的^60Co-γ射线源可以模拟MOS器件在质子、电子辐射环境下的最劣总剂量效应。 相似文献
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环境温度、电离辐射剂量率对NMOSFET器件特性参数的影响 总被引:3,自引:4,他引:3
研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对 CC40 0 7NMOS器件阈值电压的影响 .研究发现 ,低温 (- 30℃ )辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温 (2 5℃ )多 ,界面态电荷比室温要少 ;受不同 γ剂量率辐射时 ,阈值电压的漂移程度不一样 ,在总剂量相同情况下 ,辐射剂量率高时 ,阈值电压的漂移量也大 ;辐照后 ,NMOS器件 10 0℃退火速度要大于 2 5℃退火速度 ,+5 V栅偏压退火情况要大于浮空偏置情况 .并对以上现象进行了分析和解释 相似文献
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N沟硅栅MOS晶体管,当对其电离辐照后进行偏置退火时,呈现出正的阈值电压漂移。这可能是由于遂道效应电子通过氧化层并在靠近硅/二氧化硅界面的俘获中心而复合。这种阈值电压漂移在某些情况下很大,足以引起MOS集成电路在功能上失效。 相似文献
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电荷耦合器件(CCD)是用于空间光电系统可见光成像的图像传感器,在空间应用环境下受辐射效应作用导致CCD性能退化甚至失效。对于CCD空间辐射效应的地面模拟试验研究,辐照试验中CCD采用合适的偏置条件是分析其空间辐射损伤的必要措施。由于CCD对质子辐照导致的电离总剂量效应和位移损伤效应均非常敏感,因此针对CCD空间应用面临的电离总剂量效应和位移损伤效应威胁,开展不同辐照偏置下CCD的辐射效应及损伤机理研究。针对一款国产埋沟CCD器件,开展不同偏置条件下的γ射线和质子辐照试验,获得了CCD的暗电流、光谱响应等辐射敏感参数的电离总剂量效应,位移损伤效应退化规律以及辐照偏置对CCD辐射效应的影响机制。研究表明,γ射线辐照下CCD的偏置产生重要影响,质子辐照下没有明显的偏置效应。根据CCD结构和辐照后的退火试验结果,对CCD的辐射效应损伤机理进行分析。 相似文献
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文章研究了CMOS器件^60Coγ射线的总剂量辐照实验以及辐照后在100℃温度场下的退火效应。实验发现,辐照后,器件在加温和加偏条件下,可以加速n沟器件界面态的增长和氧化物陷阱电的退火,而加温浮空偏置条件下有利于n沟器件界面态的退火,但在100℃温度场中,两种偏置条件都有利于p沟器件氧化物陷阱电荷和界面的退火。 相似文献
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用薄膜SIMOX(SeparationbyIMplantationofOXygen)、厚膜BESOI(ffendingandEtch-backSiliconOnInsulator)和体硅材料制备了CMOS倒相器电路,并用60Coγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下,经不同剂量辐照后,分别测量了PMOS、NMOS的亚阈特性曲线,分析了引起MOSFET阈值电压漂移的两种因素(辐照诱生氧化层电荷和新生界面态电荷)。对NMOS/SIMOX,由于寄生背沟MOS结构的影响,经辐照后背沟漏电很快增大,经300Gy(Si)辐照后器件已失效。而厚膜BESOI器件由于顶层硅膜较厚,基本上没有背沟效应,其辐照特性优于体硅器件。最后讨论了提高薄膜SIMOX器件抗辐照性能的几种措施。 相似文献
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聚焦离子束(Focusedionbeam)系统现在被广泛应用于大规模集成电路的修补中,FIB辐照对器件性能的影响受到广泛的关注。研究了两种栅尺寸的NMOS晶体管(20μm×20μm和20μm×0.8μm)在不同辐射剂量作用下的阈值电压变化情况,发现在辐射后的阈值电压都发生了明显的漂移,辐照后的晶体管阈值电压在室温环境下静置数日后有约30%的恢复,而在退火条件下阈值电压几乎完全恢复。文中从理论上对电离辐射引起阈值电压的漂移予以解释,使实际的电路修补工作最优化,从而确保器件在修补后的可靠性。 相似文献
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通过对用于DC/DC转换器的N型和P型VDMOS器件在^60Coy射线下的辐照实验,研究了不同封装VDMOS器件在不同偏置条件下辐照前后的电参数和低频噪声变化。实验表明:辐照前后该类器件的低频噪声主要表现为1/f噪声,随着辐照剂量的增加,其幅值明显增加,阈值电压发生负向漂移,但前者的变化比后者大1~2个数量级。基于上述实验结果,进一步的理论分析认为:P型VDMOS器件比N型VDMOS器件更适合空间应用。 相似文献