石英谐振器频率稳定性的失效分析

本文对频率稳定性不良的石英谐振器进行了失效分析，并利用扫描电子显微镜观察了石英晶片电极银膜层的显微形貌，分析了石英晶片银膜层不连续和附着差的原因，提出了改进措施，使石英晶片银膜层的合格率显著提高。     

高频石英晶体谐振器的研制

高频通讯加大了谐振器的设计和制造难度。文中总结了高频155．52MHz石英晶体谐振器的设计和试制过程，对其关键技术问题进行了分析和试验，同时给出了部分试验数据。     

镀金引线低温玻璃密封失效分析及其改进措施

气密性封装产品的气密性和气密可靠性对产品的长期使用寿命和可靠性是至关重要的.主要分析了镀金引线低温玻璃密封失效的原因,并针对分析中发现的引线与玻璃之间存在微裂纹现象进行了结构优化和验证,解决了产品密封的一致性和可靠性问题,并为相同结构封装的密封可靠性水平的提高提供了一定的参考.     

双极晶体管hFE低温失效分析及使用可靠性

论述了影响双极晶体管电流增益ｈＦＥ低温下降的重掺杂效应，结合具体器件测试计算出了ｈＦＥ的低温下降值，并对实测值与计算值的差异进行了分析，最后指出了改进ｈＦＥ温度特性的具体途径。     

E2PROM失效故障分析

在计算机的使用中,发现E2PROM芯片出现数据丢失问题,导致计算机无法正常工作。通过对E2PROM的失效分析,其结果表明,故障的原因是芯片失效所致。经试验验证分析,确定该E2PROM器件存在芯片某流片生产批次工艺参数RRPOLY较差,影响上电复位电路的工作状态,造成部分芯片在上电过程中出现数据丢失问题。另外在E²PROM筛选中添加了非易失性测试,发现并解决了E²PROM早期失效问题。验证试验表明该措施的有效性和可行性。     

石英晶体传感路及其应用

扼要介绍石英晶体传感器的结构、原理、性能及用途。     

单基三电极石英晶体谐振器频率-温度特性研究

设计了一种新型的单基三电极石英晶体谐振器，并在大气环境条件下测试分析了这种谐振器的频率-温度特性，验证了其频率-温度特性与已有的单基单电极谐振器的频率-温度特性基本一致，曲线为三次曲线。在相同激励及环境条件下，在同一基片上设置多对电极时，各对电极构成的谐振器的频率-温度特性基本相同。根据这种相似特点，将同一基片上不同电极对应的谐振器的振动频率进行差频补偿，可有效地抑制温度对谐振器振动频率的影响。这种谐振器所采用的差频补偿方法可为石英谐振器相关特性的进一步开发利用提供依据。研究了这种结构的石英晶体谐振器的晶片表面处理（是否抛光）及边沿形状（是否倒边）对其频率-温度特性的影响。实验结果表明，对单基多电极石英晶体谐振器的晶片表面进行抛光并对边沿进行倒边处理后，谐振器的稳定性得到了有效的改善，性能得到了优化。     

超高频低噪声晶体管失效分析

本文通过对超高频低噪声晶体三极管DG504的失效分析，明确了该器件的失效模式和失效机理，并提出了相应的改进措施，取得了良好的效果。     

晶振器件电路部分的失效分析研究

介绍了晶振器件的电路结构,并通过具体的案例,对晶振器件电路部分的失效现象以及分析流程进行了研究,以确定真正的失效机理。     

一种应用于MCU的低温漂RC振荡器设计

针对高稳定性MCU的应用需求,设计了一种低温度灵敏度的RC振荡器.采用平均电压反馈电路降低比较器延迟对振荡器输出频率的影响,采用温度补偿技术补偿温度对振荡器输出频率的影响,实现RC振荡器高稳定性输出.设计了一种选频网络,实现宽频率范围内高精度输出,满足MCU对多种时钟频率的需求.RC振荡器基于SMIC 110 nm C...     

晶体振荡器频率漂移失效分析

通过对某型晶体振荡器失效模式进行分析,结合密封性检查、扫描电子显微镜检查和能谱分析等失效分析试验结果,对该晶体振荡器频率漂移的失效机理进行研究。发现器件密封性不良是导致器件失效的根本原因,并对器件密封性工艺的优化提出建议。     

基于有限元的晶体振荡器PIND振动仿真分析

PIND试验可有效检查气密封装元器件内部是否存在可动多余物,但对晶体振荡器进行PIND试验时,由于其内部工艺结构的特殊性,容易造成误判。为研究其内部特殊结构对PIND试验结果的影响,在此利用ANSYS有限元分析软件的LS-DYNA模块,通过建立晶体振荡器的有限元模型,仿真其PIND试验的振动过程。从应力角度分析晶体振荡器内部物理结构：弹簧与自由颗粒的振动对腔体内壁的影响,对比得出晶体振荡器的PIND可适性参考结论。     

用于实时时钟的32.768kHz晶振电路分析与设计

提出了一种采用晶振和比较器的结构实现实时时钟RTC的32.768kHz集成晶体振荡电路的方法.设计基于UMC 0.18um工艺参数,并使用Hspice对所设计的电路进行仿真,通过分析其各项性能指标,验证了电路具有起振时间短,波形稳定,功耗低,所占芯片面积小的特点.     

采用双振荡器结构的低功耗CMOS温度传感器

为提高温度传感器的能量转换效率并降低功耗,提出了一种基于双振荡器的CMOS温度传感器。提出的温度传感器利用两个环形振荡器生成随温度变化的频率,通过调整线性频率的差斜率,来提高温度传感器的线性度,最后使用一个频率数字转换器完成数字输出。此外,还提出了一个制程补偿方案,经过一点校正法后可提高温度传感器的精确度。采用65 nm CMOS工艺进行了实现,面积仅为0.01mm2。测试结果显示,校正后提出温度传感器的分辨率为0.2℃/LSB,并且在0℃~125℃的温度范围内,20个实测样品的最大误差小于±1.2℃。相比其他类似传感器,当转换率高达480kS/s时,功率消耗500?W,即每次转换的能量最小,仅为0.001J/sample     

低电压环形振荡器设计

提出了一种新的两级环形振荡器结构，通过控制PMOS的衬底电压，来降低PMOS管的阈值电压，从而使新的环形振荡器可以在低电压下工作到很高的频率。仿真结果表明，在电源电压为1V，调节电压在0～1V范围内变化时，振荡器的频率为300MHz-4GHz。     

射频芯片内DCXO的晶体振荡主电路设计

描述了一种射频芯片内数控晶体振荡器(DCXO)的振荡主电路设计,以Deep-N-Well CMOS工艺的PMOS为主工作管,采用Santos(改进Colpitts)结构、非对称差分式振幅控制环,避免了因Vt依赖工艺与温度等而产生的可靠启振问题.该10MHz DCXO振荡器主电路,采用TSMC Mixed/RF 0.18μm CMOS工艺,在2V电源电压下,仿真得到输出特性为:振幅峰峰值0.8V,平均电流2.9mA,相位噪声-140dBc/Hz@1kHz,-173dBc/Hz@1MHz,启动时间约2.8毫秒,可作为DCXO核心振荡模块.     

基于LabView的晶体振荡器测试系统

为了简化晶体振荡器测试,提出了一种基于Lab View平台的晶体振荡器测试系统。该系统通过GPIB标准串行接口将计算机、直流稳压电源、示波器、频率计相互连接。以计算机为核心控制每个设备协调工作,设计了直观的图形操作界面,实现了测试数据的自动采集,可将测试结果自动记录并生成电子表格文件。经实际验证,测试精度比传统测试方法提高了95%以上,该系统可以极大地提高测试效率,具有一定的参考价值。     

基于数字PID增量控制的恒温晶体振荡器

针对晶体时钟振荡器输出频率易受外界温度变化影响的特点,设计了以MSP430F4618单片机为控制核心的恒温晶体振荡器.将高精度负温度系数热敏电阻作为传感器对晶体温度进行采样,并采用精密放大器IAN330芯片对晶体温度变化差值信号进行转换并输出至控制核心.输出的信号经12位A/D转换后进行数字PID增量控制运算得到控制量增量,再通过12位D/A转换输出至DRV593芯片驱动半导体制冷片(TEC)对晶体温度进行控制,并循环该过程使晶体振荡器的工作温度保持稳定.