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根据马赫-曾德尔型热光开关的工作原理,提出了可以提高热光开关响应速度的过驱动方法并设计相应的驱动电路,使SOI4×4重排无阻塞热光开关阵列的响应时间从大于2μs提高到了亚微秒. 相似文献
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介绍了基于SOI CMOS工艺平台的FPGA电路的设计;结合FPGA电路自身的特点,对电路从标准体硅CMOS工艺迁移到SOI CMOS工艺过程中,在逻辑、版图以及可靠性等方面所作的分析和实践进行了总结。 相似文献
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报道了基于SOI (silicon-on-insulator)材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展. 给出了截面为梯形的脊波导的单模条件,设计制备了MMI (multimode interference)集成耦合器和基于Mach-Zehnder光波导干涉仪的热光型2×2光开关,开关转换速度达到了5~8μs,驱动功耗仅为140mW,是当前国际上同类型光开关中转换速度最快的. 在此基础上制备成功了4×4波导光开关矩阵,并实现了光信号在不同信道间的转换. 相似文献
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由于SOI(Silicon-On-Insulator)工艺采用氧化物进行全介质隔离,而氧化物是热的不良导体,因此SOI ESD器件的散热问题使得SOI电路的ESD保护与设计遇到了新的挑战。阐述了一款基于部分耗尽SOI(PD SOI)工艺的数字信号处理电路(DSP)的ESD设计理念和方法,并且通过ESD测试、TLP分析等方法对其ESD保护网络进行分析,找出ESD网络设计的薄弱环节。通过对ESD器件与保护网络的设计优化,并经流片及实验验证,较大幅度地提高了电路的ESD保护性能。 相似文献
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设计并制作了一种重排无阻塞型的8×8 SOI热光波导开关阵列。开关单元采用了MMI-MZI结构的2×2光开关。整个器件的开关时间约为2μs。器件中开关单元功耗小于240mW。消光比在17~22dB范围内变化。功耗和开关速度都明显优于SiO2基和聚合物基的开关阵列。 相似文献
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GexSi1—x/Si异质结大截面脊形BOA型光开关的模型分析及设计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了一种简便可行的GexSi1-x/Si异质结无间距定向耦合光开关(BOA型)模型分析方法。该方法采用等离子体色散效应分析了这种光开关的电学调制机理;采用异质结超注入原理分析了开关的电学性质;并根据大截面单模脊形波导理论和上述分析,设计了利用双模干涉机制工作的Ge0.1Si0.9/Si异质结BOA开关的结构参数和电学参数。 相似文献
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介绍了光开关在WDM光网络中的应用情况,简述了光开关的发展概况并着重介绍了硅基SOI光开关的研究进展。 相似文献
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传感器把非电学量(如光、力和温度等)的信号变动转换为电信号的变动,再经接口电路同微机连接,就可以实现对现场的实时监控。使传感器同计算机以及接口电路连接在一起,将其在物理实验当中进行应用,能够对实验的数据进行实时在线收集、处理及成像处理,便测量的精度得到提高,实验的过程得以优化。 相似文献