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基于磷蒸气注入原位合成技术及液封直拉磷化铟(InP)单晶的原理,设计了CZ-50型InP单晶炉。介绍了该单晶炉的主体结构,特别是原位合成装置的结构。该装置不仅可以实现磷蒸气注入法原位合成InP多晶材料,并且根据InP材料合成及单晶生长的特殊性,对该装置进行了结构创新设计:在炉盖上设计并安装了一套可升降的热偶测温装置,实现了在生产过程中,对坩埚内熔体温度进行在线测量;通过在炉体内部加设观察窗遮挡装置及对观察窗进行加热的方法,解决了长期以来InP材料合成及单晶生长过程中由于磷的挥发特性所导致的观察窗污染问题。 相似文献
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InP单晶材料现状与展望 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素。 相似文献
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通过温度压力改变,使整个LEC-GaAs单晶生长过程As损失最小。获得了化学配比较好的SI-GaAs单晶。单昌表面离和,特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了LE-CSI-GaAs单晶生长过程As的挥发和生长环境压力对生长的单昌位错密度的影响。 相似文献
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采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内分别合成了富铟、近化学配比、富磷的InP熔体,利用液封直拉法(LEC)分别从不同化学计量比条件下的InP熔体中生长InP单晶材料.对材料分别进行了室温Hall,变温Hall的测试.结果表明富磷熔体条件下具有较高浓度的VInH4复合体,富铟熔体条件VInH4的浓度最低. 相似文献
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通过对产生孪晶的工艺条件的研究比较,分析了LEC-InP晶体中产生孪晶的原因。实验证明,建立一个稳定合适的热场、保持B_2O_3的透明度、控制好掺杂量等是减少孪晶的必要条件。 相似文献
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GaAs单晶生长工艺的发展状况 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了几种较为成功的适合于工业化大规模生长及科研应用的GaAs材料的生长工艺,如液封直拉法、水平布里支曼法、垂直梯度凝固法/垂直布里支曼法和蒸气压控制直拉法。对比分析了几种GaAs晶体生长工艺的优缺点,并介绍了各种器件和电路对GaAs单晶材料的要求。列举了GaAs单晶生长中有待解决的问题:热对流与残余热应力问题;位错和亚结构问题;与晶体生长相关的化学计量问题,此外还介绍了我国GaAs材料的发展状况。 相似文献
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通过对产生孪晶的工艺条件的研究比较,分析了LEC-InP晶体中产生孪晶的原因。实验证明,建立一个稳定合适的热场、保持B2O3的透明度、控制好掺杂量等是减少孪晶的必要条件。 相似文献