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介绍了几种典型的微波电调滤波电路设计方法。经研究设计并制作了一相对带宽小于2%的电调带通滤波器。改进型谐振器设计使该电路具有温度性能好、制作简单、可靠性高等优点,并对该种电路进行了全波分析。 相似文献
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针对电调腔体滤波器在确定中心频率时的调试、维护工作量大的问题,设计了辅助调节电调滤波器中心频率的装置——校频单元。给出了校频单元的设计模型,并对其进行了理论分析。在此基础上给出了校频单元的一种具体设计方案,并进行了实际电路设计。介绍了校频单元的具体实现方式,给出了实际电路的测试结果,并对结果进行了分析。分析表明,校频单元可以实现对电调滤波器中心频率的调节功能。目前校频单元已得到实际应用。 相似文献
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电调谐LC滤波器的研究与设计 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍几种典型LC电调滤波器的设计原理和方法.研究设计一个VHF频段的电调滤波器,并使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真.对制成品的实际测试和调试表明,此滤波器达到了预期的技术指标,性能良好.其工作频段为100~250 MHz,3 dB带宽为7~10 MHz左右,通带插损小于1 dB,带外抑制大于30 dB,幅频一致性好.对LC电调滤波器的设计具有指导作用. 相似文献
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本文介绍了一种电调跟踪式本振反向辐射抑制电路的设计原理和方法,进行了理论设计和模拟仿真。给出了实际电路测试结果。应用在接收机前端电路中,可有效地抑制本振反向辐射,改善接收机的性能。 相似文献
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本文叙述采用梳状线结构的变容管电调微波带通滤波器的设计理论和方法。推导出梳状线带通滤波器的输入、输出耦合网络的参数条件,以补偿带通滤波器的谐振器之间电磁耦合随不同调谐频率的变化;并给出使带通滤波器的绝对带宽或通带回波损耗在调谐频率范围内变化最小时,梳状线谐振器的电长度应满足的相应条件,由此来保证电调带通滤波器在较宽的调谐频率范围内具有较高的通带回波损耗,且保持带通滤波器的响应形状和绝对带宽基本不变。此外,还讨论了由电调变容管的Q值引起的带通滤波器的通带有功损耗问题。文中给出了具体的设计公式。最后,给出了一个L波段变容管电调带通滤波器的研制实例和测试结果。 相似文献
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为了解决变容管电调窄带滤波器的插入损耗大和承受功率小的问题,研究了用压电换能器作电调元件的电调介质滤波器.分析了压电换能器调谐介质谐振器的机理,讨论了耦合系数和外部Q值的控制方法,仿真结果表明耦合系数和外部Q值随调谐频率的变化较小.采用HFSS软件设计和优化了两级电调介质滤波器的结构,并用高Q值的介质谐振器制作了两级电调介质滤波器.根据ANSYS软件的分析结果,提出了提高电调率的有效措施.当控制电压为0~50V时,滤波器的中心频率调谐范围为4.155~4.205GHz,3dB带宽为37~40MHz. 相似文献
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李世峰 《太赫兹科学与电子信息学报》2020,18(2):330-333
介绍基于GaAs变容二极管工艺的电调滤波器芯片的研究与设计,包括变容材料制备、二极管模型建立以及电路设计。设计数款电调滤波器,工作频段范围覆盖1~19 GHz。测试结果显示,电调滤波器具有超过一个倍频程的调谐范围,器件击穿电压大于+30 V。本文选取中心频率为2~5 GHz可调的一款电调滤波器进行详细介绍,控制电压范围为0~15 V,插入损耗在10 dB左右,输入和输出驻波(电压驻波比)均优于1.8。设计的系列化电调滤波器具有一致性高、小型化、低成本和免调试等优势,拥有良好的应用前景。 相似文献
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为了解决电容管电调滤波器插入损耗大的问题,该文设计了一款以压电换能器为电调元件、介质基片为微扰片的七阶平行耦合线电调滤波器。采用高频结构仿真器(HFSS)和先进的设计系统(ADS)对滤波器的结构参数进行联合仿真和优化,分析了滤波器的耦合系数和外部品质因数随微扰片间距变化的关系。将氧化铝陶瓷基板、压电换能器(PET)和微带滤波器组装在一起构成压电换能器电调滤波器,并用网络分析仪测量滤波器在不同直流电压下的S参数。测量结果表明,中心频率调谐范围为4.38~4.78 GHz时,通带的反射损耗大于10 dB, 插入损耗小于1.5 dB,达到了设计要求。 相似文献
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介绍了基于耦合原型参数的滤波器设计方法,并以双谐振子为例讲述了网络变换在滤波电路设计中的应用.最终通过引入有限感值变压器模型对整个电路进行了CAD仿真及优化设计,完成了电路制作并给出了结果. 相似文献
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介绍了一种由鳍线、耿氏器件和梁式引线变容管构成的混合集成电调振荡器电路及其设计方法.给出的VCO电路结构简单,利用其等效电路模型,可方便地对振荡器在所需工作频率上的电调带宽进行优化设计.经优化设计的电调振荡器性能的测试结果为:在34.93GHz的频率处,具有1.2GHz的电调带宽,带内功率输出为20.65±0.52dBm. 相似文献
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魏荣治 《固体电子学研究与进展》1984,(4)
X波段GaAs场效应振荡管是一种专门用于各种微波固体振荡电路的新型器件,尤其对X波段GaAsFET电压控制振荡器(VCO)和介质谐振器振荡器(DRO)更为适合。 本文在对有关资料分析的基础上,提出了设计这一器件的基本原则;概述了器件的基本结构;介绍了器件的参数研究结果和电路应用情况。用该器件制作的X波段FET VCO,得到了800MHz以上的电调范围,在整个电调范围内,输出功率为30~50mW,功率起伏小于1.5dB。 相似文献