共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
简要地评述了硅微波功率DMOSFET (LDMOS, VDMOS) 的发展概况, 叙述了硅微波功率DMOS的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率DMOS的性能、特点与BJT进行了比较, 并对其应用、发展方向及前景进行了探讨。 相似文献
2.
本文就微波功率场放研制过程中的几个重要问题,如基片介电系数的测量,腔体的结构设计,FET偏置保护电路设计,电路的三阶交调等进行了细致的探讨,提出了解决问题的实施方法,在实际工作中加以应用,取得了理想效果。研制成功的微波功率场放已多次应用于工程实践。 相似文献
3.
近几年来,各公司越来越多地采用贴片式元器件(SMD)和表面贴装(SMT)来开发、生产各种新型电子产品,特别是便携式电子产品。为了适应这种发展趋势的需要,本刊从1998年第1期起,陆续介绍各种新型贴片式元器件,并由泉州市新新电子器材公司供货。 相似文献
4.
一、MOSFET发展回顾 功率MOS场效应管相对于双极功率晶体管的优点,已为世人熟知,已被许多用户接受。十年来世界晶体管市场,功率MOS管的份额,已从5%升至49.5%,本世纪末将占优势已成定局。 相似文献
5.
6.
7.
8.
文章主要介绍了已研制的C波段5.2-5.8GHz 4W GaAs MESFET功率管制作技术,包括将匹配网络等效电路元件参数换算成集总和分布式元件的方法,及匹配网络工艺制作技术。最后,获得的成品功率管的测量值与模拟计算结果吻合。 相似文献
9.
将带有TiN,Mo和W阻挡层的Au金属化系统用在高频功率管上,对其EB结进行了高温大电流应力试验。结果表明采用TiN作阻挡层的器件寿命比用W作阻挡层的器件提高了2.2倍,比用Mo作阻挡层的器件提高了1.3倍。SEM和TEM观察表明,用Ti/TiN/Pt/Au作金属化的产品的失效是由金属化的横向电迁徙导致的开路引起的,X射线分析结果表明Au没有穿过TiN进入Si褡底,TiN起到了良好的阻挡层效果。 相似文献
10.
11.
描述了硅微波功率三极管的失效模式,给出了器件输出功率与器件耗损功率的关系,得出了微波脉冲电流与有效值的关系,证明了器件在规定的参数范围内能可靠工作,推论了器件失效发生时的状态。指出器件的失效是热电正反馈熔融烧毁所致,是使用问题而不是器件的本质失效;其分析过程对其它器件的失效分析有指导作用。 相似文献
12.
13.
干法腐蚀与传统的湿法腐蚀相比,具有明显的各向异性,并且具有较好的可重复性、可控性及在硅片加工中易实现连续生产等优点,已成为目前硅微波功率晶体管研制和生产的关键技术.本文对目前干法腐蚀在硅微波大功率晶体管中的应用进行了分析,指出随着硅微波功率晶体管工作频率的不断提高,对高性能各向异性的干法腐蚀技术要求也更加迫切. 相似文献
14.
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS 微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W 硅LDMOS 微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0. 19 ℃/ W。在50 V 工作电压、230 MHz 工作频率、脉宽为100 滋s、占空比为20% 、输入功率为6 W 的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23. 5 dB,漏极效率74. 4% ,电压驻波比10:1。该晶体管已实现工程应用。 相似文献
15.
16.
微波功率模块(MPM)广泛应用于远距离通信、电子对抗、下一代有源相控阵雷达和诱饵等领域,本文介绍了MPM的基本原理,简述了MPM的内部组成,分析其优点和关键技术难点,总结国内外的发展现状,并展望了MPM的发展趋势。 相似文献
17.
18.
19.