MMIC微波S参数测试

阐述了单片微波集成电路测试系统的工作原理、测试方法和自动测试程序。     

三维MMIC的进展

据日本《电子材料）1997年第1期报道，日本NTT系统电子研究所的平野真、德满恒雄等人发表了题为“多层、三维微波电路技术的发展动向”的文章。文中介绍了三维MMIC的结构及制作方法，简介如下。图1是三维MMIC的基本结构。制作的电路采用了栅宽为100pm，栅长为03pm，人为23GHz，fmax为80GHz的GaAsMESFET。三维MMIC的尺寸为1．78mm’。是一种20GHz的接收机。该接收机包括三级可变增益放大器、镜像抑制混频器、VCO等。一共使用了22只晶体管。其电路性能，在17－24GHZ下，增益为15dB（镜像抑制比＞20dB），电压为5V，功耗为50mA…     

MMIC——单片式微波集成电路

本文简单介绍ＭＭＩＣ－－单片式微波集成电路及其应用。     

MMIC—单片式微波集成电路

由于近年来半导体制造技术的发展，例如氮化物自我排列工艺的成熟，离子掺入控制水平的提高，所以才能生产出MMIC器件。在这种器件内，电阻器采用适合高频率应用的薄膜电阻器，且制作在芯片上，使器件内部的各零件之间几乎无连线，电路感抗可降到最低值，提高了MMIC的高频特性、MMIC工作频率实际可达18GHz以上，频宽高达4GHz。它的用途很广，可应用于所有的发射机或接收机的射频和中频电路。下面分5个方面介绍MMIC。1．典型的MMIC放大电路MMIC放大电路如图1所示，虚线框内的元件都包含在MMIC器件中。为了使V1、V2晶体管具有确…     

MMIC—单片式微波集成电路

本文介绍了ＭＭＩＣ－单片式微波集成电路及其应用。     

多层,三维MMIC技术研究动向

随着无线通信个人化、多媒体化的发展,对微波、毫米波电路设计的要求越来越高。这无疑要求MMIC自身的小型化设计。一方面要提高芯品产量的成本率,降低成本;另一方面旨在提高其工作性能和可靠性。三维MMIC是在这一背景下应运而生的。它通过微细布线和积层电路结构可以实现电路的小型化,是一种符合MMIC小型化、高集成化,低成本要求     

X波段1.5W GaAs MMIC研究

介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓ ＭＭＩＣ的设计,制作和性能测试,包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立,电路ＣＡＤ优化,ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为：在频率９．４￣１０．２ＧＨｚ下,输出功率大于３２ｄＢｍ,增益大于１０ｄＢ。     

MMIC单片微波集成电路的原理及应用

介绍了MMIC单片微波集成电路的特点和分类，分析了其内部电路原理，列举了几种常用的MMIC的性能指标，给出了典型应用电路，最后就使用中的问题提出了几点建议。     

提高砷化镓功率MMIC中电容成品率的研究

金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）电容量影响ＧａＡｓ微波单元集成电路（ＭＭＩＣ）成品率的主要原因之一，ＰＥＣＶＤ氮化硅膜又是影响ＭＩＭ电容质量和成品率的主要因素。本文通过实验和分析，提出了提高氮化硅膜质量和减少薄膜针孔的方法，结果大大提高了ＭＩＭ电容ＧａＡｓＭＭＩＣ的成品率，降低了ＧａＡｓ ＭＭＩＣ的成本。     

微波单片集成电路测试技术研究

单片机集成环境主要应用于无线通信、雷达、电子测量等行业,近年来随着设备的发展,对机器的需求增加,对可靠性的要求也提高了.单片有源微波项目在国内尚处于起步阶段,没有相关的方法[1].为了防止这种情况,该文通过测量有源损耗、1 dB压缩点、单组件侧分贝和放大器以及射频开关等关键参数来探索有源单片集成设备和微波测试技术.     

MMIC在片测试探头的研究与设计

微波单片集成电路（MMIC）在片测试技术是应用于MMIC和高速集成电路研究、生产的新型测试技术。MMIC在片测试探头是MMIC在片测试系统的关键部件。本文研究并设计了介质基片共面波导（CPW）探头,测试并分析了探头性能。该探头在2－18GHz范围内插入损耗小于1．5dB,回波损耗大于16dB。     

GaAs微波单片集成电路(MMIC)的可靠性研究

本文介绍了GaAs MMIC的可靠性研究与进展，重点介绍了工艺表征工具（TCV）、工艺控制监测（PCM）和统计工艺控制（SPC）等实现产品高质量、高可靠性和可重复性的可靠性保障技术，为国内GaAs MMIC可靠性研究提供了新的思路。     

MMIC毫米波倍频器的研究

在介绍倍频器工作原理、各种实现方法及其优缺点的基础上,阐明了采用MMIC(单片微波集成电路)工艺实现高性能、高可靠性、小型化毫米波倍频器芯片的技术特点及应用需求,比较了单管和平衡两种不同结构MMIC毫米波倍频器的优点与不足,全面综述了国内外对MMIC毫米波倍频器的研究情况,介绍了MMIC毫米波倍频器的最新研究进展,展望了MMIC毫米波倍频器的发展趋势,提出了一些建议。     

MMIC工业开发和标准工艺加工线（Foundry）

本文简要介绍了MMIC的应用和市场潜力，讨论了工业开放Foundry的建设和MMIC工业开发的关键因素，还给出了有关市场上销售的GaAsMMIC放大器和组件的资料。     

R＆S引领集成电路测试解决方案

日前，在上海世贸商城举办的2008年国际集成电路研讨会暨展览会上，罗德与施瓦茨（R＆S）公司将展示其全面领先的射频和微波测试解决方案。     

MMIC工业开发和标准工艺加工线(Foundry)

本文简要介绍了MMIC的应用和市场潜力,讨论了工业开放Foundry的建设和MMIC工业开发的关键因素,还给出了有关市场上销售的GaAsMMIC放大器和组件的资料。     

精密直流参数测试模块

本文介绍了精密直流参数测试模块的特点、基本原理及测试方法,并对提高测试精度进行了研究。     

毫米波GaN基HEMT功率MMIC

基于标准的SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺研制了毫米波段单片微波集成电路(MMIC)芯片.首先采用插入隔离层的方式得到复合沟道AlxGa1-xN/AlN/AlyGa1-yN/GaN HEMT结构.以EEHEMT模型作为粗糙模型,采用神经空间路线图的方法建立了人工神经网络模型,更好地表征了器件特性,提高了模型在毫米波下的精度.基于器件模型,进行了毫米波MMIC的设计,运用网络综合设计出简洁的电路拓扑和最优的宽带性能.芯片工艺采用0.2 μm介质栅场板结构提高器件的微波性能.研制的2级功率MMIC在27～ 30 GHz频段,工作电压25 V时,输出功率大于2.6W,功率附加效率大于15％,功率增益大于9 dB.     

V波段3 W GaN功率放大器MMIC

以50 μm厚的SiC为衬底,基于T型栅GaN HEMT工艺技术,设计并制作了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC).该功率放大器MMIC电路采用三级放大拓扑结构进行设计;采用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配和片上功率合成;采用介质电容和薄膜电阻进行偏置网络设计,实现稳定工作和低损耗输出.经测试,在55～65 GHz频带内,漏极工作电压+20V、栅极工作电压-2.3 V的偏置条件下,在占空比20％、脉宽100 μs脉冲状态时,该功率放大器MMIC的饱和输出功率达到3 W以上,功率附加效率达到22％;连续波状态时,其饱和输出功率达到2.5 W以上,60 GHz时最高功率达到3 W.