滤波器用微波介质陶瓷材料

具有高介电常数的微波介质陶瓷可以使微波器件小型化.这一类材料要具有高的介电常数,非常低的介电损耗和良好的温度稳定性.本文主要介绍了微波介质陶瓷的结构与性能的关系,微波介质陶瓷材料体系.     

影响Ba(B'1/3 B'2/3)O3型微波介质陶瓷介电损耗的因素

微波介质陶瓷是制作各种微波器件的关键材料.具有复合钙钛矿结构Ba(B'1/3B"2/3)O3(B'=Mg、Zn、Ni或Co;B"=Ta和Nb)型的微波介质陶瓷材料由于在很高的微波频率下具有极低的介电损耗而受到人们的重视.在总结前人研究成果并结合自己研究结果的基础上,从材料的晶体结构、显微组织、制备工艺等方面探讨了影响这类材料介电损耗的因素.     

氧化钽对氧化铋掺杂钛酸锆锡介电性能的影响

微波介质陶瓷是一类用于微波频段(主要是300M～30GHz)电路完成一定功能且具有介电常数高﹝介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为相对介电常数,又称相对电容率,简称介电常数(εr)﹞、微波介电损耗低﹝介电损耗(tanδ)是指电介质在交变电场中由于消耗部分电能而使电解质本身发热的现象﹞、温度系数小等优良性能的陶瓷材料,现已广泛用于制     

调节Ba(B'1/3 B"2/3)O3型微波介质陶瓷τf的方法

微波介质陶瓷是制作各种微波器件的关键材料.具有复合钙钛矿结构Ba(B'1/3 B"2/3)O3(B'=Mg,zn,Ni或Co;B"=Ta和Nb)型的微波介质陶瓷材料由于在很高的微波频率下具有极低的介电损耗而受到人们的重视.在总结前人研究成果并结合自己研究结果的基础上,从材料组成、结构、性能关系探讨了调节这类材料谐振频率温度系数的途径.     

低介电常数微波介质陶瓷研究进展

综述了国内外低介电常数微波介质陶瓷近10年来的研究进展,总结了低介电常数微波介质陶瓷的晶体结构、成分体系和烧结工艺等相互之间的制约关系,以及对介电性能影响的规律;归纳了研究中存在的问题,并对其它的低介电常数微波介质陶瓷也进行了简要介绍.最后展望了低介电常数微波介质陶瓷今后的发展方向.     

氮化物陶瓷的微波加工

微波加工是近年来迅速发展的一门新型技术,其原理是利用材料的介电损耗直接吸收微波从而得以整体性加热而实现加工。对氮化物陶瓷的微波加工的原理、发展、研究现状进行了总结。     

Recent Progress in Research of Zinc Niobates Based Microwave Dielectric Ceramics

介绍了微波介质陶瓷改性研究的3种常见方法,即添加助烧剂、离子取代和陶瓷复合化,综述了近几年来铌酸锌系微波介质陶瓷的研究进展,探讨了铌酸锌系微波介质陶瓷研究中存在的问题和未来的发展趋势.     

BaTi4O9微波介质陶瓷制备及低温烧结研究进展

微波介质陶瓷作为现代移动通讯中的关键基础材料,以其优异的介电性能已成为现代微波通讯技术的研究重点之一,而BaO-TiO2体系中的BaTi4O9微波介质陶瓷由于具有微波介电性能优异、制备工艺简单以及成本低等优点,已经成为微波介质陶瓷研究领域的热点.从BaTi4O9微波介质陶瓷的结构与性能入手,介绍了BaTi4O9陶瓷的制备工艺、方法及其在器件方面的应用,概述了BaTi4O9微波介质陶瓷在低温烧结方面的研究进展.     

铌酸锌系微波介质陶瓷的研究进展

介绍了微波介质陶瓷改性研究的3种常见方法,即添加助烧剂、离子取代和陶瓷复合化,综述了近几年来铌酸锌系微波介质陶瓷的研究进展.探讨了铌酸锌系微波介质陶瓷研究中存在的问题和未来的发展趋势.     

微波介质陶瓷的研究进展

介绍了近年来微波介质陶瓷的发展与研究现状,分析了不同体系微波介质陶瓷的主要发展方向以及各自代表合成体系.同时比较介绍了微波介质陶瓷各体系的重要微波介电性能.指出未来急需解决的问题与发展方向.     

Al片/PVDF介电复合材料的制备及性能

以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体, 选用普通工业铝粉为填充组分, 选用乙醇为溶剂, 采用一种简单球磨工艺制备Al片/PVDF介电复合材料, 研究了不同含量的铝粉对复合材料的介电性能的影响。利用SEM分析了复合材料的微观形貌, 并用EDS对微观区域进行元素分析。研究结果表明, 铝片的加入不仅大大提高了复合材料的介电常数, 降低了介电损耗, 而且还具有较高的击穿性能, 满足电子工业领域的要求。      

高介电陶瓷材料在油品介电精制方法中的应用

目前对于介电材料的研究与应用一般集中于电子产品及其相关领域，高介电陶瓷材料应用于油品精制领域还是一个新的尝试。首先简要介绍了介电力学精制工艺装置，并重点讨论了介电陶瓷在其中的应用及基本原理，最后选用几种不同介电常数的介电陶瓷材料在装置中进行了实验，实验证明，高介电陶瓷材料对油品有较好的精制效果，并且对于所选用的几种介电材料而言随着介电常数的增加精制效果也提高。     

The dielectric relaxation spectra of insulation gaps at infralow frequencies

It is shown that a measurement of the isothermal polarization currents enables the electrical properties of materials to be monitored and enables the loss factor to be calculated using a proposed formula, by means of which one can construct the dielectric absorption spectrum and obtain information on the state of insulation. __________ Translated from Izmeritel’naya Tekhnika, No. 5, pp. 37–39, May, 2008.     

BaO-TiO2-B2O3-SiO2体系LTCC介电性能的研究

利用预煅烧法制备了BaO-TiO2-B2O3-SiO2体系低温共烧陶瓷(简称LTCC)材料,其烧结温度在900℃以下,介电常数在4～20之间随组成变化而调节,介电损耗能保持在0.002左右的水平;研究发现,玻璃陶瓷材料的原始组成、烧结体致密度和电场频率等是影响介电常数的主要因素;而影响介电损耗大小的相关因素比较复杂,本文研究认为材料的原始相组成、烧结体相组成、体电阻率、温度及电场频率等因素起主要作用;研究结果进一步表明,LTCC烧结体的介电损耗与烧结致密度没有明显的联系.     

离子替换对BMN基焦绿石陶瓷性能的影响

采用固相法制备BiLiMg(NbxMx)O系BMN基陶瓷样品。分别研究了Zr4+离子、Sn4+离子和Ti 4+离子替代Nb5+离子对BMN陶瓷性能的影响。结果表明,Zr4+离子、Sn4+离子和Ti 4+离子替代量较小时,相结构为单一焦绿石结构。随着Zr4+离子、Sn4+离子替代量的增加,样品中空隙增多;Ti 4+离子替代量将直接影响样品中晶粒的生长方向,对样品中空隙影响不明显。介电性能方面,不同替换离子介电性能最佳状态出现在不同替换量的情况下(m为比例系数):在Zr4+离子替换量为2m时,介电常数为177.4177,介电损耗为0.00034;Sn4+离子替代量为1m时,介电常数为174.9671,介电损耗为0.00038;Ti 4+离子替代量为4m时,介电常数为188.4959,介电损耗为0.00027。     

还原氧化石墨烯-SBA/PMMA复合材料的制备及介电性能

采用乳液聚合法制备苯乙烯-丙烯酸丁酯共聚物（SBA）,通过熔融共混法制备了还原氧化石墨烯/SBA-聚甲基丙烯酸甲酯（rGO-SBA/PMMA）复合材料,采用FTIR、TGA、动态力学分析对复合材料进行了结构表征,并对其进行了介电性能测试。结果显示,rGO的加入能够提高SBA的玻璃化转变温度。同时,也可以提高rGO-SBA复合材料的热稳定性。rGO的加入显著提高了rGO-SBA复合材料的介电常数。在rGO-SBA复合材料中,其渗流阈值在1.17wt%~2wt%之间,当rGO含量为1.17wt%时,rGO-SBA复合材料具有高的介电特性。在rGO-SBA/PMMA复合材料中,当SBA含量为13wt%及rGO含量为0.52wt%时,在频率为1 000 Hz处其介电常数可达到8.79,且介电损耗低至0.37,进一步表明了rGO-SBA/PMMA复合材料具有高介电低损耗的特性。      

电子玻璃纤维介电性能和工艺参数的研究

实验设计了3组共计9个玻璃配方,通过改变铝硼硅酸盐无碱玻璃系统中各氧化物的比例,研究了组成和性能之间的关系.玻璃用铂金坩埚在电炉中1600℃/6 h熔制,测定了玻璃的介电性能、高温粘度和分相析晶性能等.研究结果表明:降低玻璃中Al2O3含量,同时适当增加SiO2、TiO2或CaO,可以较好地兼顾玻璃的介电性能,并使玻璃的工艺参数满足工业生产的要求.     

B2O3对BaO-Sm2O3-TiO2微波介质陶瓷性能的影响

为了满足微波器件小型化的需要,开发高介电常数的低温烧结微波介质材料成为一种趋势.采用复合掺杂低熔点氧化物来降低BaO-Sm2O3-TiO2系(BST)微波介质陶瓷的烧结温度,通过X射线衍射和扫描电子显微镜分析其物相组成和显微结构,用阻抗分析仪测量了陶瓷材料的介电性能.结果表明:在Ba4(Sm1-0.15Bi0.15)28/3Ti18O54的基质陶瓷材料中,复合掺杂3%的ZnO和2%的B2O3时,其烧结温度为1060℃,得到的BST微波介质陶瓷的介电性能为:εr≈64,tanδ≈1.2×10-3,τf=-8.3×10-5/℃.     

UHF dielectric parameters

Measurements are reported on the dielectric constant and loss angle tangent for polyethylene, PTFE, BA-35 and 22KhS ceramics, and also grade KV fused silica of optical quality.Translated from Izmeritelnaya Tekhnika, No. 9, pp. 16–18, September, 2004.     

介电型石墨烯吸波复合材料研究进展EI北大核心CSCD

石墨烯因其独特的介电特性、高比表面积、低密度等性质,被认为是新一代吸波材料的有力候选。然而,单一组分的石墨烯吸波性能不佳,因此近年来石墨烯基吸波复合材料成为研究热点。本文介绍石墨烯及其复合材料的吸波机理与特性,指出介电型石墨烯作为极具发展潜力的吸波复合材料具有轻质、高强、宽频、薄层的特点。从石墨烯基体与掺杂体两方面综述了介电型石墨烯吸波复合材料的研究进展。最后指出,开发损耗能力强的新型介电掺杂体、构筑多组分吸波复合材料体系、建立通用的设计方法以及探索大批量的制备方法是未来的研究方向。