用于卫星地面站14千兆赫和30千兆赫的高功率耦合腔行波管

用于卫星地面站的14千兆赫、1千瓦耦合腔行波管和30千兆赫、800瓦耦合腔行波管已研制成功,14千兆赫的行波管采用设计得轻巧、紧凑的永磁聚焦装置,并在整个14.0～14.5千兆赫的频带内给出1千瓦输出功率。30千兆赫行波管采用螺旋管线包聚焦并在整个2.5千兆赫瞬时带宽范围内提供800瓦功率输出。这两只管子均为风冷式。在特殊情况下,为了冷却管体,30千兆赫行波管采用几段热导管。     

双极功率晶体管威胁卫星通信行波管

据美刊《微波杂志》报导,日本正在研制一种双极功率晶体管(Power Bipolar Transistor),有可能代替地面站和卫星应答机中用的行波管。在这种阶梯电极晶体管(Stepped Electrode Transistor)中,低结温度使之获得高的可靠性。长期和加速寿命试验表明,其无故障平均工作时间超过10~6小时。NEM4205是该系列的典型管子,采用20伏电源,在4.2千兆赫频率下产生5瓦功率,增益为4分贝,效率为25%。NEM4203,在4.2千兆赫频率下功率达3瓦,增益为5分贝,在50℃环境温度下,结点温度只为120℃。利用7只 NEM4203晶体管研制出一种三级放大器,在4千兆赫卫星频带内给出12瓦功率,功率增益为11～13分贝,带宽为240兆赫。     

微波功率晶体管

具有从1千兆赫、20瓦到3千兆赫、5瓦水平的微波功率晶体管已在市场出售。已经作出了具有宽带匹配网络的晶体管管壳,使功率放大器的带宽达到了数百兆赫。解决了一些可靠性问题,例如,热斑的形成,功率的不均匀和金属徒动等等。     

新一代卫星通信用的先进电子管(下)

14千兆赫地面站行波管在继续进行X波段卫星行波管研制计划的同时,本部新近又承担了一项同类的计划,生产一系列用于新一代地面站的14千兆赫行波管。在CNET(国立通信研究中心)的资助下,此项计划已生产出三种新水平的行波管:2千瓦耦合腔管,它的20瓦激励管和具有极高增益的125瓦样管。     

日本在可控热核反应中试用回旋管

在日本名古屋大学等离子体研究所的NBT中正研究用150千瓦(18.5千兆赫,100千瓦,10.5千兆赫,30千瓦,18千兆赫,20千瓦)的微波源产生、加热、封闭等离子体。最近在JIPPT-Ⅱ中开始用32只35千兆赫,5千瓦,5毫秒的速调管作全功率160千瓦的电子回旋加热实验,而原子能研究所今年秋季从美国暂惜了28千兆赫回旋管作电子回旋加热实     

微波功率晶体管近几年来的发展水平

微波功率晶体管近几年来的发展速度保持着迅速的步子。以5瓦连续输出功率晶体管为例,1962年频率为0.25千兆赫,1964年为0.5千兆赫,1966年为1千兆赫,1968年为2千兆赫,1969年计3千兆赫,1972年为4千兆赫,1973年可达5千兆5瓦。在不久的将来连续输出5瓦的功率管每1～2年可望提高1千兆赫。     

简讯

GaAsFET在功率和频率方面达到新的水平 德克萨斯仪器公司认为,在4～30千兆赫范围内,GaAsFET将是主要的微波功率源。在许多x波段系统中将代替耿二极管和崩越二极管。在空军资助下他们研制的GaAsFET在10千兆赫下输出3.2瓦、增益6分贝、效率22％,单个器件在8千兆赫下输出5.1瓦,增益5分贝、效率35％。 该公司将把8千兆赫1瓦的器件MSX803的单价由1000美元降到250美元(1～9只一批)。并予计在年内将能出售8千兆赫2瓦的器件,其价格可能是1瓦器件的2～3倍,大约是500美元到750美元。     

大功率行波管中慢波线-夹持介质-管壳三者之间的钎焊组装技术

一、引言随着通信信道的增加以及大功率空间通讯系统的发展,许多现代微波系统中都要求行波管能够同时提供宽瞬时带宽,高脉冲功率和高平均功率等性能。就目前来看,已研制的大功率行波管在1～18千兆赫的频率范围内的整个倍频程或全波导带宽内能给出500瓦到几千瓦的连续波输出。     

4～5千兆赫低噪声晶体管放大器的初步研制

利用研制中的硅双极晶体管设计制作了4～5千兆赫频段低噪声晶体管混合集成放大器。实验结果表明,利用这种晶体管制作C波段放大器其性能可满足一定的使用要求。初步结果为:4千兆赫频段两级放大器噪声系数4.5分贝左右,增益10分贝(±1分贝),带宽>500兆赫;5千兆赫频段两级放大器噪声系数6分贝左右。增益10分贝±1分贝),带宽>400兆赫。实验分别是在氧化铝陶瓷衬底和聚四氟乙烯玻璃纤维敷铜板上采用微带电路制作的。     

具有高效率及高脉冲重复频率性能的 X 波段行波管

已研制成功其频带中心效率为49%的栅控、周期永磁聚焦,X 波段耦合腔行波管——8741H。该管在300兆赫的带宽上提供的最小峰值输出功率为4千瓦,平均功率为1千瓦,并且在脉冲重复频率超过200千赫情况下工作可靠。高效率和高脉冲重复频率工作的要求就是此液冷、机载行波管设计参量选择的依据。本文进一步详细地讨论了这些特征。     

CO2激光器用宽带、高灵敏度Hg0.8Cd0.2Te光电二极管

本文叙述了单元和四元n+-n--p Hg0.8Cd0.2Te光电二极管阵列的直流及CO2激光外差特性的实验结果。这些二极管有宽的带宽(约为2千兆赫)和相当高的有效外差量子效率(在2千兆赫处约13%～30%)。在2千兆赫处,测得典型的噪声等效功率约为1.44×10-20瓦/赫～6.23×10-20瓦/赫。     

波长384.6微米的高功率、窄带宽D2O激光器

已研制成一种D2O振荡-放大激光系统，它能产生12.7亳焦耳的脉冲，384.6微米处的峰值功率水平为195千瓦。测得带宽为70兆赫（半极大值全宽)，效率为0.11%。     

微波GaAsMESFET的功率和噪声性能达到新水平

在一月份举行的日本电子通信学会半导体、晶体管研究会上,日本电气中央研究所发表了微波GaAsMESFET的研究结果.功率器件在6千兆赫下输出达25瓦,增益3分贝;低噪声器件在4千兆赫下噪声系数为0.7分贝,在12千兆赫下为1.68分贝.该所用内部连接的器件已实现了在6千兆赫下输出15瓦,为进一步提高输出功率,由提高集成度、增加FET的单位栅宽,即栅条长度而获得成功.为设计在10伏偏压下输     

C波段60瓦连续波固体振荡器

研制了一种C波段应用的60瓦连续波固体振荡器。它合成了6个高效率的多台面的砷化镓里德二极管的功率。单个二极管振荡器在5千兆赫下能给出高达13.3瓦的输出功率。     

为毫米波中继器设计的80千兆赫IMPATT放大器

日本富士实验室由X波段IMPATT放大器的换算,设计和研制了环行器耦合的80千兆赫IMPATT放大器,在700兆赫1分贝带宽内输出功率为13.4分贝毫瓦。据该公司报导,电路包括片型二极管支持器和用于二极管和负载之间的阻抗匹配的一个可动波导短路器。     

速调管放大器

据报导,该公司研制成一个连续波功率为21千瓦的速调管放大器,工作频率为18千兆赫,50兆赫通频带内的增益为 60分贝。据称,之所以能达到这样高的功率,是由于采用了电子注及电子枪的最佳设计。如果能采用冶凝技术,则有可     

GaAs场效应晶体管

<正> 日本电气公司窄凹栅结构的低噪声 GaAsFET 已在12千兆赫下达到噪声系数1.68分贝,在4千兆赫下为0.7分贝。而三菱电机公司的缓变凹栅结构的封装器件在12千兆赫下最小噪声系数已达1.3分贝,未封装的芯片在16千兆赫下噪声为1.8分贝,在18千兆赫下为2.1分贝。功率 GaAsFET 目前三种不同的主要结构是:日本电气公司的缓变凹栅结构,富士通公司的源、漏下做 n~+层的结构和三菱电机公司的铜热沉上芯片倒装的结构。日本电气公司已达到6千兆赫,23瓦;8千兆赫,17瓦;18千兆赫,1.25瓦。三菱电机公司已达到15千兆赫,1.9瓦。     

图片新闻

蔽荡笙牛浑‘资摊撰纂理滋华端沁奋滋拓握裁森认公塑理哭烈禁感目1 Ka波段8个二极管功率组合器, 在38.5千兆赫下输出10瓦连续功 率。图2沿腔壁调整8个同轴二极管 组件而研制成的宽带X波段 功率组合器。这种波导输出 型组件在400兆赫带宽内输 出12瓦连续功率,增益3分 贝。慈纂粼琴肆黔麟黝滚靡瓤滚粼爆瓢图3采用一个N型分裂器/组合器的千瓦级 晶体管放大器具有30帕的效率。1()0瓦 的组件采用厚膜电路。图片新闻~~     

7-10千兆赫pn结砷化镓功率雪崩管的设计和性能研究

本文详细叙述了7～10千兆赫2.5瓦pn结砷化镓功率崩越管简化的设计方法和研究结果.200℃结温下获得的最佳电性能为7.76千兆赫、振荡输出功率2.6瓦.效率19.3%.用本器件研制的注入锁定放大器已成功地取代微波通讯机中的行波管.     

射频脉冲功率达1千瓦的Ka波段雷达发射机

合理的组合部件,可构成强功率系统。瓦里安公司研制的用于35千兆赫毫米波雷达的1千瓦脉冲功率Ka波段发射机就是一个例子。该发射机包括脉冲调制激励器子系统、速调管放大器和电源,可在200兆赫带宽内产生频率和相位都相干的输出。图1(略)是固态器件和电子注器件的组合系统,使用一只长作用区的速调管(EIK)作为它的输出级(图2)。EIK能为在全天候条件下可达到视距的高性能雷达提供所需的稳定输出功率。EIK以使用稀土磁铁和长寿命阴极为特色,其特点是输出功率平坦,而且就额