激光CVD制备SnO_2薄膜的结构及其反应机理研究

采用ＳｎＣｌ４和Ｏ２为反应源，ＡｒＦ准分子激光ＣＶＤ生长ＳｎＯ２薄膜，利用ＸＲＤ、ＵＶＴ、ＸＰＳ研究了薄膜的组成和结构，实验表明ＳｎＯ２薄膜属于四方晶系、金红石结构，薄膜的紫外可见光透射率大于９０％，吸收边波长为３５５ｎｍ，禁带宽度为３．４９ｅＶ。最后，对ＳｎＯ２薄膜的反应机理进行了讨论     

SF_6／CCl_2F_2反应离子深刻蚀硅中加O_2的研究

用ＳＦ＿６／ＣＣｌ＿２Ｆ＿２加Ｏ＿２混合气体，在普通的平板型反应离子刻蚀机上，进行了深刻蚀硅的研究。当掩膜厚度约１２０ｎｍ－１５０ｎｍ的Ｃｒ薄膜时，研究了Ｏ＿２在混合气体中的比例对刻蚀形貌和刻蚀速率的影响。用获得的各向异性刻蚀工艺，己刻蚀出高度为１０μｍ的硅台阶，台阶倾角小于５°，横向腐蚀约为０．５μｍ，刻蚀表面粗糙度约１０％。     

量子阱无序的窗口结构InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器

对ＳｉＯ２薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱无序和ＳｒＦ２薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合（称为选择区域量子阱无序技术）应用于脊形波导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器，研制出具有无吸收镜面的窗口结构脊形波导量子阱激光器。该结构３μｍ条宽激光器的最大输出功率为３４０ｍＷ，和没有窗口的同样结构的量子阱激光器相比，最大输出功率提高了３６％。在１００ｍＷ输出功率下，发射光谱中心波长为９７８ｎｍ，光谱半宽为１．２ｎｍ。平行和垂直方向远场发散角分别为７．２°和３０°     

Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术

为制备Ａ１／ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｔｉ电容,研究了采用ＳＦ６／Ａｒ等离子体对Ｐｂ（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３及Ｐｔ／Ｔｉ底电极进行反应离子刻蚀（ＲＩＥ）的技术．较系统地研究了ＲＦ功率,ＳＦ６／Ａｒ流量比及气压对刻蚀速率的影响,找到了对ＰＺＴ及Ｔｉ进行ＲＩＥ的优化工艺条件．在不同的条件下得到对ＰＺＴ的刻蚀速率为２～７ｎｍ／ｍｉｎ;采用纯Ａｒ气体时Ｐｔ的刻蚀速率为２～６ｎｍ／ｍｉｎ;对于Ｔｉ可用ＨＣｌ及Ｈ２Ｏ２溶液进行腐蚀     

掺Er~（3＋）和掺Er~（3＋）／Yb~（3＋）光纤中1313nm到780nm的频率上转换过程

研究了在连续锁模和调Ｑ锁模两种脉冲泵浦条件下，掺Ｅｒ（３＋）和掺Ｅ３＋／Ｙｂ３＋单模ＧｅＯ２／ＳｉＯ２石英光纤中，１３１３ｎｍＮｄ：ＹＬＦ激光到７８０ｎｍ波长的频率上转换过程。Ｅｒ３＋离子在共振吸收两个光子后到４Ｆ９／２态，再经快速的无辐射转移到４Ｉ９／２态．形成７８０ｎｍ辐射。在连续锁模泵浦条件下．１３１３ｎｍ至７８０ｎｍ的转换效率比调Ｑ锁模条件下更高．而后者的峰值功率是前者的几百倍。     

ErYb：氟氧化物玻璃在966nm激光激发下的能量“扩散—传递”上转 …

频率上转换的研究是光物理学科的热点前沿课题．本文研究的是 Ｅｒ（１ｍｏｌ％） Ｙｂ（１０ ｍｏｌ％）共掺的 ＳｉＯ２－ＡｌＯ１．５－ＰｂＦ２－ＣｄＦ２氟氧化物玻璃（ＥｒＹｂ：ＹＯＧ）样品的直接上转换敏化发光机制． 首先测量了在激光焦点ａ处和较大光斑位置ｂ处的上转换发光,发现有丰富的上转换荧光．其中较强的有（６６５．５ ｎｍ, ６５３．５ｎｍ）,（５４９．０ ｎｍ, ５４２．５ ｎｍ）和（５２１．５ ｎｍ, ５２７．０ ｎｍ）三条荧光线,容易指认出它们依次分别是４Ｆ９／２－４Ｉ１５／２,４Ｓ３／２－４Ｉ１５／…     

Cr：LiCAF激光特性研究

Ｃｒ：ＬｉＣＡＦ（氟铝酸钙锂）是一种非常有用的固体可调谐激光材料。报道了Ｃｒ：ＬｉＣＡＦ的激光特性。用闪光灯泵浦Ｃｒ：ＬｉＣＡＦ激光器宽带输出４７２ｍＪ，斜率效率约１．２％。波长可调谐范围为７２２～８３６ｎｍ，最大可调谐输出能量为６０ｍＪ，中心波长为７８０ｎｍ。     

YBa2Cu3O7／PrBa2Cu3O7／SrTiO3超薄膜表面螺旋位错的研究

本文报道了用原子力显微镜（ＡＦＭ）研究的几种（ＹＢＣＯ）超薄膜的表面结构，这些膜分别生长在ＳｒＴｉＯ３（１００）基底，和具有厚度为４０ｎｍ的ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７缓冲导的ＳｒＴｉＯ３基底上，ＹＢＣＯ超薄膜厚度范围为２．５ｎｍ－２５ｎｍ。在２．５ｎｍ厚的单层膜表面观察到了岛状结构，并在７．５ｎｍ厚的超薄膜表面首次观察到了台阶高度度不同的三种螺旋位错。同时还讨论了ＹＢＣＯ超薄膜的生长机理。     

氮化铝薄膜及其掺锰的光致发光

用射频磁控反应溅射的方法,以Ａｌ及Ａｌ＋ＭｎＦ２为靶材,石英玻璃为衬底,在不同的射频功率下,制备了ＡｌＮ多晶态徘晶态两类薄膜。发现非晶态吸收峰位置较多晶态薄膜向短波移动２０ｎｍ,对于非晶态薄膜,通过喇曼光谱的分析,得到了ＡｌＮ薄膜的特征声子能量的信息。首次用金属Ａｌ和块状ＭｎＦ２共溅射的方法,制备了ＡｌＮ：ＭｎＦ２薄膜,在退火后的多晶态样品中,测得了Ｍｎ的特征光致发光。     

ArF放大器产生193nm波长、700fs光脉冲

ＡｒＦ放大器产生１９３ｎｍ波长、７００ｆｓ光脉冲美国赖斯大学最近发明一种光谱补偿和频方案，已用来产生用于电子束泵浦氟化氩（ＡｒＦ）准分子功率放大器的亚皮秒１９３ｎｍ波长籽种脉冲。系统能产生峰功率约为１００ＧＷ的７００ｆｓ脉冲。在１９３ｎｍ波长工作的其...