K~+掺杂量对BaBiO_3基陶瓷NTC特性的影响

用传统的固相法制备了具有NTC特性的K+掺杂BaBiO3基陶瓷。研究了K+掺杂量对其NTC特性的影响。结果表明:试样的B25~85值和室温电阻率ρ25均随着x(K+)的增加呈现先减小后变大的趋势;当x(K+)为20%时,得到了具有较好NTC特性的陶瓷样品,其室温电阻率ρ25为1500?·cm,B25~85值为3176K。     

Mn掺杂对SrBiFeO陶瓷NTC特性的影响

以Bi2O3,Fe2O3,MnO2和SrCO3为主要原料,采用传统固相法制备出具有负温度系数(NTC)特性的SrBiFeMnO陶瓷。研究了该陶瓷的物相结构、断面形貌及电性能。结果表明:试样的室温电阻率ρ25和热敏电阻特性常数B25/85随着x(Mn)的增加均呈现先增大后减小的趋势。在25～200℃的测试温区内,x(Mn)为0.1时,掺杂的SrBiFeO陶瓷材料的电阻率-温度特性呈现良好的线性关系;x(Mn)为0.5时,掺杂SrBiFeO陶瓷材料具有较好的NTC特性,其ρ25为145Ω.cm,B25/85为2950K。     

Sb_2O_3掺杂量对BaBiO_3基陶瓷电性能的影响

为改善BaBiO3基陶瓷的NTC特性,选择Sb2O3为掺杂剂,以固相法合成了BaBiO3基陶瓷。研究了Sb2O3掺杂量对该陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明:Sb2O3掺杂BaBiO3基陶瓷的B25/85值和室温电阻率ρ25均随着n(Sb2O3)的增加呈现先减小后增大的趋势;当n(BaBiO3):n(Sb2O3)=1000:3时,获得了具有较好NTC特性的样品,其室温电阻率ρ25为416Ω.cm,B25/85值为2378K。     

Na~+掺杂量对BaBiO_3基陶瓷NTC特性的影响

以BaCO3、Bi2O3为原料,Na2C2O4为掺杂剂,用传统固相法制备了具有NTC特性的BaBi1–xNaxO3陶瓷。用XRD,SEM和ρ-t特性测量仪,研究了Na+掺杂量对该陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明:BaBi1–xNaxO3陶瓷的B25/85值和室温电阻率ρ25均随着x(Na2C2O4)的增加呈现先减小后变大的趋势;当x(Na2C2O4)为0.050时,获得了具有较好NTC特性的试样,其ρ25为2200?·cm,B25/85值为3365K。     

Nb掺杂量对SrBiFeO基陶瓷NTC特性的影响

采用传统固相法,按化学式Sr0.65Bi1-xFe0.35NbxO3(x=0.01,0.02,0.05,0.10和0.20)制备了具有NTC特性的Nb掺杂SrBiFeO基陶瓷试样。研究了Nb掺杂量对其NTC特性的影响。结果表明:试样的ρ25和B25/85值随着Nb含量的增加都呈现增加趋势;在25~200℃的测试温区内,其电阻率–温度特性呈现近似的线性关系;当x为0.05时,线性关系较好,其中ρ25的值约为6700?·cm,B25/85值约为3540K。     

MnO_2掺杂量对BaCo_(0.05)Co_(0.1)Bi_(0.85)O_3厚膜NTCR电性能影响

以新型BaCo0.05Co0.1Bi0.85O3材料为基体,掺杂不同摩尔分数x(MnO2),在840℃下烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和直流阻温特性测试仪,研究x(MnO2)对电阻相组成、微结构及电性能的影响。结果表明:所得的NTC厚膜热敏电阻主要物相为具有钙钛矿结构的BaCo0.05Co0.1Bi0.85O3,且表面致密。当x(MnO2)超过5%时,有新相BaMnO3开始沿晶界析出,获得小尺寸晶粒;厚膜电阻的室温电阻率ρ25及B25/85值随x(MnO2)增加而升高;当x(MnO2)为10%时,ρ25从初始的13.5?·mm升高为810.0?·mm,B25/85值从600K升高到2049K。     

新型BNT系高温陶瓷电容器材料的研究

采用固相合成工艺,制备了(Bi0.5Na0.5)(1–x)CaxTiO3(BNCT)陶瓷(x=0.01～0.14)。研究了Ca含量对BNCT陶瓷介电性能的影响。结果表明,所有BNCT陶瓷样品中都存在第二相TiO2;随着Ca含量的增加,BNCT陶瓷的介电峰向低温方向移动,介温曲线越来越平坦,剩余极化急剧减小,介质损耗逐渐减小。往x=0.12的BNCT陶瓷里掺入质量分数为1.5%的MnCO3,所得陶瓷样品的室温tanδ小于1%、绝缘电阻率达到1011?.cm,并满足–55～+250℃下,?C/C25℃≤±15%的高温MLCC的要求。     

SrBiFeO基NTC陶瓷的制备及其电性能研究

以Bi2O3、Fe2O3和SrCO3为主要原料,采用传统固相法制备出具有NTC特性的SrBiFeO(SBF)陶瓷。研究了该陶瓷的物相结构、断面形貌及电性能。结果表明:试样由BiFeO3、SrFeO3-x和三方晶系的Sr2.25Bi6.75O12.38相组成,试样的室温电阻率ρ25随Fe2O3掺杂量的增加呈现先减小后增大的趋势,而B25/85值却呈现单调递增趋势,陶瓷试样SBF30即:n(Bi2O3):n(SrCO3):n(Fe2O3)=50:70:15时具有较好的NTC特性,ρ25为1.192×103Ω.cm,B25/85值为3 604 K。     

BaSnO_3/BaBiO_3复相陶瓷的显微结构及电性能

以BaCO3、SnO2和Bi2O3为原料,采用传统固相反应法制备了具有NTC特性的BaSnO3/BaBiO3复相陶瓷。借助XRD、SEM和R-t特性测试仪,研究了该陶瓷的相结构、断面形貌及n(BaBiO3)对其电性能的影响。结果表明:随着r(BaBiO3∶BaSnO3)从0.1∶1.0增大到0.9∶1.0,样品的B25/85值从4400K降低到3000K,同时室温电阻率ρ25从106Ω·cm降低到103Ω·cm。     

BaBiO3/SrFe0.9Sn0.1O3-δ厚膜NTCR的电性能研究

以SrFe0.9Sn0.1O3-δ为电阻相,BaBiO3为烧结助剂,在氧化铝基板上涂刷成膜,并采用固相法制备了NTC厚膜热敏电阻(NTCR).借助XRD、SEM、阻温特性测试仪,研究了添加不同量BaBiO3样品的相组成、微观结构以及电性能.结果表明:所得NTC厚膜电阻呈明显的NTC热敏特性,且主要组成物相为钙钛矿结构的SrFe0.9Sn0.1O3-δ;厚膜表面颗粒均匀细小,尺寸在2～3μm范围内:随着BaBiO3含量的增加,其室温电阻R25从初始的4 000kΩ降至372 kΩ,对应的B25/85值从4 378 K逐渐降低为3 113 K.     

Nb、Ta掺杂Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)铋层状陶瓷的性能研究

采用固相烧结法制备了Na0.5Bi4.5Ti4-2xNbxTaxO15(NBTNT-x,0≤x≤0.06)铋层状压电陶瓷材料,研究了不同量Nb、Ta掺入对Na0.5Bi4.5Ti4O15陶瓷结构和电性能的影响。结果表明,所有样品均为单一的铋层状结构。适量Nb,Ta掺入能细化陶瓷晶粒,提高其致密性,降低电导率σ和介电损耗tanδ;同时,居里温度TC随Nb、Ta掺入量的增加而降低,但均高于610℃;当x=0.02时,陶瓷样品电性能最佳,即压电常数d33=17pC/N,机电耦合常数kp=4.19%,kt=18.10%,品质因数Qm=3 527,剩余极化强度Pr=10.50μC/cm2。     

Si掺杂对Mn-Co-Ni系NTC热敏电阻电性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了Mn<,1.05-x>Co<,0.92>Ni<0.03,>Si<,x>O<,4>(O≤x≤<,0.05>)系列NTC热敏电阻样品,借用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了Si掺杂量对样品相结构和电性能的影响.结果表明:当0≤x≤0.03时,样品为尖晶石立方相和四方相的固溶体,室温电阻率р<,2...     

Li-Zr共掺杂对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3–xZrx)O7陶瓷,研究了当Li+替代量一定时,Zr4+掺杂对陶瓷相结构和介电性能的影响。结果表明,当替代量0相似文献   

Sr_xPb_(1-x)TiO_3基陶瓷材料热敏特性研究

以 Srx Pb1 - x Ti O3为基料 ,液相掺杂一定量的 Y和 Si,采用传统固相合成工艺方法制备出了具有明显 V型阻温特性的半导体热敏电阻 ,通过扫描电镜形貌观察、R- T特性测试及复阻抗分析表明 ,Srx Pb1 - x Ti O3陶瓷的阻温特性明显受半导化程度的影响 ,居里点以下的 NTC效应往往随着半导化程度的提高而降低。掺杂玻璃相物质Si(OC2 H5 ) 4能增强 Srx Pb1 - x Ti O3陶瓷 NTC效应 (t相似文献   

BaBiO_3/SrFe_(0.9)Sn_(0.1)O_(3–δ)厚膜NTCR的电性能研究

以SrFe0.9Sn0.1O3–δ为电阻相,BaBiO3为烧结助剂,在氧化铝基板上涂刷成膜,并采用固相法制备了NTC厚膜热敏电阻(NTCR)。借助XRD、SEM、阻温特性测试仪,研究了添加不同量BaBiO3样品的相组成、微观结构以及电性能。结果表明:所得NTC厚膜电阻呈明显的NTC热敏特性,且主要组成物相为钙钛矿结构的SrFe0.9Sn0.1O3–δ;厚膜表面颗粒均匀细小,尺寸在2~3μm范围内;随着BaBiO3含量的增加,其室温电阻R25从初始的4 000 k?降至372 k?,对应的B25/85值从4 378 K逐渐降低为3 113 K。     

Bi(Fe_(0.9)Mn_(0.1))O_(3+σ)对KNN基陶瓷的相结构及电性能的影响

采用固相烧结法制备了K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-xBi(Fe0.9Mn0.1)O3+σ(KNN-LS-BF9M1)无铅压电陶瓷,研究了不同BF9M1掺杂量(x分别为0,0.002,0.004,0.006,0.008)对所制陶瓷的显微结构、物相组成及电性能的影响。结果表明,少量BF9M1掺杂能有效抑制KNN陶瓷晶粒的生长,促进组织致密化。当x从0增加到0.006时,样品发生正交-四方相变,同时正交-四方相变温度to-t从95℃降低到40℃;另一方面,压电性能得到明显提高、介质损耗有所降低。当x=0.006时,样品具有最好电性能:d33=260 pC/N,tanδ=2.03×10–2,kp=51.9%,εr=1 241,Qm=44.7,tC=345℃,to-t=45℃。     

BaTiO_3基无铅PTC热敏电阻材料的制备与研究

利用传统陶瓷工艺制备了掺杂(Bi0.5Na0.5)TiO3(BNT),CaCO3和Mn(NO3)2的钛酸钡基无铅PTC陶瓷材料(Bi0.5Na0.5)xBa1–xTiO3-yCaCO3-0.000 2Mn(NO3)2(x=0.005,0.020,0.040,0.080;y=0,0.02,0.04,0.06,0.08),研究了BNT和CaCO3的掺杂量对所制陶瓷微观结构和导电特性的影响。结果表明:试样的晶格常数比c/a、居里温度tC以及室温电阻率ρ25均随着BNT掺杂量的增加而增大;CaCO3的加入能有效降低样品的室温电阻率。当x=0.080,y=0.06时所制得材料的性能最好,其室温电阻率为7×102.cm,居里温度高于150℃,升阻比(ρmax/ρmin)达到103。     

非化学计量比Li_(2+x)ZnTi_3O_(8+0.5x)微波介质陶瓷的性质研究

采用传统固相反应法制备Li2+xZnTi3O8+0.5x微波介质陶瓷,研究了A位Li的非化学计量比对Li2+xZnTi3O8+0.5x陶瓷的烧结特性、相结构及微波介电性能的影响。结果表明:随着Li2+xZnTi3O8+0.5x(x=–0.2～+0.2)陶瓷中Li含量的逐渐增加,TiO2相逐渐消失,陶瓷的致密度逐渐升高,介电常数逐渐降低,Q.f值先上升再下降,谐振频率温度系数逐渐降低,然后保持不变。当x=–0.05时,Li1.95ZnTi3O7.975陶瓷取得最佳的综合微波介电性能:εr=26.41,Q.f=65 200 GHz,τf=–4.16×10–6/℃。     

Sb含量对0.96(K_(0.5)Na_(0.5))(Nb_(1–x)Sb_x)O_3-0.04Bi_(0.5)Na_(0.5)ZrO_3无铅压电陶瓷结构与电性能的影响

采用传统固相法制备了0.96(K_(0.5)Na_(0.5))(Nb_(1–x)Sb_x)O_3-0.04Bi_(0.5)Na_(0.5)ZrO_3(0.96KNNS_x-0.04BNZ,x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05)无铅压电陶瓷,系统研究了Sb含量对0.96KNNS_x-0.04BNZ压电陶瓷晶相组成、显微结构及压电性能的影响规律。X射线衍射分析结果表明:0.96KNNS_x-0.04BNZ陶瓷具有纯钙钛矿结构,随着Sb含量x的增加,陶瓷从正交-四方两相共存转变为四方相,x≤0.02时在正交-四方两相共存的多型相转变(Polymorphic Phase Transition,PPT)区域。在该PPT区域靠近四方相的边界x=0.02处,陶瓷具有优异的压电性能:压电常数d_(33)=354 p C/N;平面机电耦合系数k_p=43.6%;机械品质因数Q_m=46;相对介电常数ε_r=2100;介电损耗tanδ=2.6%,居里温度t_C=290℃。     

Ca[(Li_(1/3)Nb_(2/3))_(0.95)Zr_(0.15-x)Ti_x]O_(3+δ)陶瓷的微波介电性能

研究了Zr和Ti复合取代Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15-xTix]O3+δ(0≤x≤0.15,CLNZT)陶瓷B位对其晶体结构及微波介电性能的影响,并分析了谐振频率温度系数τf随容忍因子t的变化关系。当0≤x≤0.15时,CLNZT陶瓷为单一斜方钙钛矿相,随x的增加,τf由–9.4×10–6/℃变为–15.8×10–6/℃,而品质因数与谐振频率乘积Q·f值先增大,x=0.10时又开始下降。当x=0.10时,陶瓷具有较好的微波介电性能:εr为32.8,Q·f值为1.66×104GHz,τf为–13.6×10–6/℃。