GaAs FET大信号模型与参数提取

提出适用于功率ＧａＡｓＦＥＴ的新的大信号模型以及脉冲Ｉ－Ｖ和小信号Ｓ参数相结合的整体化参数提取方法。用研制出的大信号建模软件提取了功率ＦＥＴ的大信号模型参数，并用该模型模拟和测量了器件大信号Ｓ参数，结果完全一致。     

大功率FET的输入输出电路设计

对于设计功率放大器输入、输出电路的原理作了简单介绍,并且以两个放大器的设计过程为例,详细说明了这种以阻抗为基础的设计方法.     

GaAs MESFET大信号S参数仿真

本文从砷化镓肖特基势垒场效应晶体管大信号模型出发，采用谐波平衡法求出稳态解，获得了大信号Ｓ参数。所开发的软件可财时获得大小信号Ｓ参数，并在同一Ｓｍｉｔｈ圆图上显示出来，也可进行增益压缩等特性的分析。该软件已和参数提取，电路分析软件串成一体实现了从ＧａＡｓ材料器件物理参数出发直接设计出微波单片集成电路的新思路。     

S波段振荡用大功率GaAs FET的设计和研制

本文叙述了S波段振荡用大功率GaAs FET的设计考虑、结构和制作,给出了器件性能。在3GHz下,器件振荡输出功率为3.34W,直流—射频转换效率为47.4％。     

微波功率FET的大信号定模

叙述了一种新的功率ＦＥ定模方法,它利用在功率谐波测量与优化计算相结合,具有简单、方便、准确的优点．给出了实际测量结果。     

大信号有源器件S参数测试方法研究

利用ＨＰ８５１０自动网络分析仪小信号测试系统，研究实现了大信号Ｓ参数的测试方法，并建立了大信号Ｓ参数测试系统。研究设计的适应多种尺寸的有源测试夹具和整个系统的误差修正方法，使建立的该系统具有与ＨＰ８５１０系列分析仪同等的指标     

大信号有源器件S参数测试方法研究

利用ＨＰ８５１０自动网络分析仪小信号测试系统，研究实现了在信号Ｓ参数的测试方法，并建立了大信号Ｓ参数测试系统。研究设计的适应多种尺寸的有源测试夹具和整个系统的误差修正方法，使建立的该系统具有与ＨＰ８５１０系列分析仪同等的指标。     

微波功率器件大信号S参数的提取

介绍了微波有源器件大信号模型的计算机模拟技术和利用商品化软件ＨＰ ＭＤＳ提取大信号Ｓ参数的方法。     

微波功率器件大信号S参数的提取

介绍了微波有源器件大信号模型的计算机模拟技术和利用商品化软件ＨＰＭＤＳ提取大信号Ｓ参数的方法。     

大信号状态下晶体管S参数的测量

本文提出了一种用测量线测量大信号状态下晶体管 S 参数的方法。给出了场效应晶体管 S 参数与输入功率大小的实验关系。     

微波功率FET小信号等效电路参数提取方法

文章针对Ｓ参数提取微波功率ＦＥＴ小信号等效电路参数方法,着重论述二种改进的算法,并应用于我所研制的微波功率２１００μｍ栅宽的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯的小信号等效电路１３只元件参数计算,计算得出的Ｓ参数与实验数据相吻合,提高了计算速度和精度。     

功率FET和二极管大信号建模方法

Under a large signal drive level,a frequency domain black box model of the nonlinear scattering function is introduced into power FETs and diodes.A time domain measurement system and a calibration method based on a digital oscilloscope are designed to extract the nonlinear scattering function of semiconductor devices.The extracted models can reflect the real electrical performance of semiconductor devices and propose a new large-signal model to the design of microwave semiconductor circuits.     

用于微波CAD系统的FET大信号模型

针对微波ＣＡＤ系统中使用的各种肖特基结场效应管模型，进行综合性分析与比较后，给出了最新的，用于仿真电路非线性特性的精确模型－基于测量的数据模型（查表式模型），该模型与物理模型及工业标准经验模型相比，不仅更真实地反应了器件等效电路的端口特性，建模过程更加简单。     

FET基波和谐波振荡器的大信号设计

本文根据测出的FET的小信号S参数和静态,I-V特性建立了场效应管的大信号模型,然后应用谐波平衡法对FET基波和谐波振荡器进行了分析和优化设计,得到了振荡器稳态时的电流值。并采用一种简化的CAD方法求出了最佳功率输出时的外电路参数。在此基础上,研制了基波和Q波段、二次谐波振荡器。实验结果与理论分析基本一致。     

FET大信号模型中等效电容方程的改进

精确地描述FET器件大信号微波特性阻抗对单片微波集成电路设计极其重要。为了能准确地模拟FET器件大信号微波特性,在大信号器件模型中,有必要研究栅等效电容模型,尤其在高频段。在总结前人研究的基础上,构造了新型的栅源/栅漏电容方程。通过与6×80μm GaAs PHEMT器件大信号负载牵引测试数据的对比,表明:精确的栅等效电容模型极大地提高非线性模型对FET大信号特性的预测能力。这将有助于器件模型和MMIC设计。     

S波段脉冲调制FET VCO

<正> 为了适应电子工程的需要,用南京电子器件研究所研制的微波场效应管和电调变容二极管制作的脉冲幅度调制场效应管电压控制振荡器(下称PMFET VCO)最近获得成功。它是由VCO主振级、功率放大器级和脉冲调制器级共同组成,在S波段输出最大脉冲功率可达180毫瓦。其特点是调制脉冲宽度窄,占空比大。主要技术性能如下:(1)工作频率:S波段;(2)扫频带宽:优于500MHz(扫描电压:0～+15V,扫描频率:DC～50Hz);(3)调制脉冲宽度(接近矩形):0.2μs(外调制脉冲幅度:约+4V,脉冲宽度约0.2～0.3μs,周期50～100μs);(4)输出射     

有耗串联网络对GaAs FET信号参数和噪声参数的影响

本文详细讨论了有耗串联网络对低噪声GaAs FET的信号参数和噪声参数的影响,以及同时获得噪声匹配和功率匹配的条件。以WC606型GaAs FET为计算实例表明:在频率为12GHz,当串联电感为0.1nH,负载反射系数为0.25∠120°时,可以同时获得噪声和功率匹配。但此时最小噪声系数将增加0.2dB,而相应增益下降1.0dB。     

测试大信号S参数的“测量线”法

本文提出了具有一定精度,且有很大实用性的测量大信号S参数的方法——测量线法。此法也可用于猜测一切有源网络的小信号S参数和一切无源网络的S参数。     

S波段GaAs功率FET

论述了S波段GaAs功率FET的设计、制造和性能。38.4mm栅宽的器件,在3～3.5GHz范围内,已产生出高达20W的脉冲功率,增益8dB。