Ku波段8W GaAs内匹配微波功率FET

Ｋｕ波段８ＷＧａＡｓ内匹配微波功率ＦＥＴ李祖华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｋｕ－Ｂａｎｄ８ＷＧａＡｓＩｎｔｅｒｎａｌｌｙＭａｔｃｈｅｄＭｉｃｒｏｗａｖｅＰｏｗｅｒＧａＡｓＦＥＴ￥ＬｉＺｕｈｕａ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓ...     

八毫米四倍频器

研制了一种中大功率容量、高效率的８毫米四倍频器，具有结构合理、调试容易、体积小等特点。主要性能：输入功率容量５００ｍＷ，最大效率１５％，输出频率３４．４～３５．２ＧＨｚ，在２００ＭＨｚ带内功率起伏小于０．４ｄＢ。所用器件为南京电子器件研究所最新研制的ＷＢ７３型ＧａＡｓ功率变容管。     

微波单片负阻有源压控滤波器设计方法和实验研究

本文给出了一种利用ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ负阻特性实现的微波单片有源滤波电路，并考虑到ＭＭＩＣ工艺兼容性，提出了一种ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ变容管结构，从而实现了滤波器的压控功能。     

X波段输出功率2W GaInP／GaAsHBT

Ｘ波段输出功率２Ｗ　ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ据（（Ｍｉｃｒｏｗａｖ＆ＲＦ））１９９４年第４期报道，ＡＩＧａＡｓ是ＧａＡｓ为基底的ＨＢＴ发射区选用的材料。而ＧａｌｎＰ发射区具有以下特性：最高振荡频率超过１００ＧＨｚ，大于１００的高电流增益。据报道，已...     

MOCVD生长超突变结GaAs变容管材料

用ＭＯＣＶＤ生长了用于ＧａＡｓ变容二极管的结构材料。分别用ＳｉＨ＿４和ＣＣｌ＿４作为掺杂剂对ＧａＡｓ进行ｎ型和ｐ型掺杂，找到了适合高质量变容管材料的方法．材料用于器件制作，得到了反向击穿电压大于２５Ｖ、电容变化比大于４０的变容管。     

GaAs MESRET平面型变容管高频特性分析

本文分析用于ＧａＡｓ ＭＭＩＣ调频器件ＭＥＳＦＥＴ平面型变容管的微波特性,讨论了器件几何结构与直流参数,Ｓ参数之间的关系,重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响,给出了变容管变电容比与器件几何尺寸。     

富士通研究所开发3．5V GaAs HBT

富士通研究所开发３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ日本富士通研究所已研制成作为新一代便携电话的３．５ＶＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）和新结构ＨＢＴ。ＧａＡｓＨＢＴ具有与用于便携电话的发射部分的ＧａＡｓＦＥＴ相比，芯片面积减少１／２，大功率增益和单一电源工作等...     

MOCVD生长大功率单量子阱激光器

本文介绍了ＭＯＣＶＤ生长的高质量ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ材料以及（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分别限制单量于阱激光器．ＧａＡｓ材料的７７Ｋ迁移率为１２２，７００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ具有均匀陡变的界面．激光器的最大光输出功率为４Ｗ，平均光功率密度达４ＭＷ／ｃｍ２，斜率效率为１．２Ｗ／Ａ，在１Ｗ恒功老化４０００小时电流增加小于１０％，预计寿命可超过两万小时．     

158MHz GaAs声表面波固定延迟线的研制

报道了ＧａＡｓ声表面波固定延迟线的设计方法和ＳＡＷ器件金属剥离制造新工艺。研制出ＧａＡｓＳＡＷ延迟线,典型参数为：中心频率１５８ＭＨｚ,插入损耗低于５５ｄＢ,延迟时间１．５μｓ。     

用GaAs单片电路形成的高性能W波段集成振荡源组件

用ＧａＡｓ单片电路形成的高性能Ｗ波段集成振荡源组件ＨＢＴＭＭＩＣ介质谐振器振荡器（ＤＲＯ）由于稳定性和相噪性能良好而受到微波和毫米波稳定振荡源的青睐。然而，Ｋａ波段以上的ＨＢＴＤＲＯ却少有报道。据《ＩＥＥＥＭ．Ｇ．Ｗ．Ｌ．》１９９４年第７期报道，Ｔｈ...     

HBT电压控制振荡器的相位噪声

研究了电压控制振荡器（ＶＣＯ）的相位噪声与构成该振荡器的有源器件的低频噪声的关系,测试了ＳｉＢＪＴ、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ和ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的低频噪声,并分析了各自低频噪声产生的原因,提出了选择ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ ＶＣＯ来实现微波固体振荡器低相位噪声化这一发展方向。     

Implant Compositional Disordering on InGaAs／InP MQW Structures

ＩｍｐｌａｎｔＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｌＤｉｓｏｒｄｅｒｉｎｇｏｎＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰＭＱＷＳｔｒｕｃｔｕｒｅｓ￥ＺＨＡＯＪｉｅ；ＬＩＵＢａｏｊｕｎ；ＷＡＮＧＹｕｆａｎｇ；ＷＡＮＧＹｕｏｎｇｃｈｅｎ；ＴｈｏｍｐｓｏｎＤＡ（ＴｉａｎｊｉｎＮｏｒｍａｌＵ...     

3．5V GaAs HBT

３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９５年第２期报道，日本富士通研究所研究一种新的便携电话用的３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ。该ＨＢＴ在９００ＭＨｚ下具有：单一电源供电，３．５Ｖ，输出功率１Ｗ，功率附加效率７０％，功率增益１５...     

B离子在n（Si）－GaAs层中的化学补偿效应

Ｂ＋注入ｎ（Ｓｉ）－ＧａＡｓ层，经高温退火在ＧａＡｓ晶格恢复过程中，Ｂ将占据ＧａＡｓ晶格中一定位置成为替位Ｂ，当Ｂ取代Ａｓ位，则形成双受主ＢＡｓ．当Ｂ取代Ｇａ位，并形成络合物ＢＧａＶＡｓ，将促使Ｓｉ占Ａｓ位，形成受主ＳｉＡｓ和受主络合物ＢＧａＳｉＡｓ．由于所产生的受主与ｎ型层中施主ＳｉＧａ的补偿，减少了ｎ型层的载流子浓度，即Ｂ的化学补偿效应．本文采用霍耳测量及光致发光测量对Ｂ的补偿行为进行分析．     

10～11GHz 1W GaAs功率单片集成电路

介绍了以栅宽１．２ｍｍ ＧａＡｓＦＥＴ器件为基础的两级ＧａＡｓ功率单片集成电路的设计、制作及其性能，该两级单片集成电路在１０￣１１ＧＨｚ频带内，输出功率１Ｗ，增益１０ｄＢ。     

科研成果介绍

科研成果介绍砷化镓功率场效应晶体管系列ＧａＡｓＰｏｗｅｒＭＥＳＦＥＴｓＳｅｒｉｅｓ南京电子器件研究所已研制成ＧａＡｓ功率场效应晶体管系列，具有以下特点：。用途广：卫星通讯，移动通讯，微波系统，微波数字通讯，相控阵雷达等设备中的振荡与功放。。高可靠：微...     

大信号设计GaAs MESFET功率合成

利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率特性的线性化模型，求出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ近似最佳功率负载阻抗，为利用谐波平衡法计算提供初值。然后，使用自行研制的谐波平衡分析软件包，进行ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为９．６ｍｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯，利用内匹配功率合成技术，在Ｃ波段（５．５～５．８ＧＨＺ）制成１ｄＢ压缩功率大于８Ｗ，典型功率增益９ｄＢ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内匹配功率管。     

B廓了在n（Si）—GaAs层中的化学补偿效应

Ｂ注入ｎ（Ｓｉ）－ＧａＡｓ层，经高温退火在ＧａＡｓ晶格恢复过程中，Ｂ将占据ＧａＡｓ晶格中一定位置成为替位Ｂ，当Ｂ取代Ａｓ位，则形成双受主ＢＡｓ，，当Ｂ取代Ｇａ位，并形成络合物ＢＧａＹＡｓ，将促使Ｓｉ占Ａｓ位，形成受主ＳｉＡｓ和受主络合物ＢｇａＳｉＡｓ，由于所产生的受主与ｎ层中施主ＳｉＧａ的补偿，减少了ｎ 的载流子浓度，即Ｂ的化学补偿效应，本采用霍测量及光致光发测量对Ｂ的补偿行为进行分析。     

高电流截止频率GaInP／GaAs HBT

本文简要介绍了ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的发展现状，用湿法工艺制作了自对准ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ，其电流截止频率高达５０ＧＨＺ，性能优于我们在同等工艺条件下制作的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＰ。     

InGaAs／GaAs异质结构材料及器件应用

概述了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构材料用于制作微波器件的优越性，叙述了材料的ＭＢＥ生长、输运特性和掺杂分布，以及用于制作Ｋｕ波段低噪声高增益ＨＦＥＴ的结果：栅长０．５μｍ，１２ＧＨｚ下噪声系数０．９３ｄＢ，相关增益９ｄＢ。