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低增益、宽带脉冲准分子激光阈值及最佳透射率条件和激光泵浦脉宽有密切关系.提出了以激光四能级系统近似模拟准分子激光跃迁辐射系统,在其速率方程的基础上研究低增益脉冲准分子激光阈值和最佳透射率的条件,并给出了其在不同增益脉宽情况下的统一的激光阈值和最佳透射率条件,所取得的结论在相应的实验研究结果中得到证实。 相似文献
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本文讨论了在XeF受激准分子C-A跃迁上用光学激励反转行波放大激光器-激励器输出级中钕激光的二次谐波及其用于激光热核聚变的可能性。计算结果显示将输出能量放大至10^5J的现实可能性。 相似文献
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本文综述了准分子激光光刻的发展,着重讨论准分子激光光刻的优点及其在提高分辨率方面的进展,并讨论了今后的动向。 相似文献
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准分子激光对水松纸打标的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用适当能量密度的308纳米波长紫外激光对水松纸作用,获得了清晰可见的图案标记。分析了该打标过程的作用机理,通过实验得出了打标的能量阈值条件及优化条件。 相似文献
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一、引言随着大规模集成电路和集成光学的不断发展,对加工技术的要求越来越高,如目前提出图形的精细化,过程低温化,掺杂薄层化及可控性优化等,而准分子激光器则以它能量高、波长短(200~400nm)等优点为解决这些问题提供了有利条件。于是,八十年代开始形成了准分子微细加工新兴技术领域。准分子激光微细加工大体可分为激光曝光技术,激光CVD 相似文献
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193nmArF准分子激光光刻是21世纪提高超大规模集成电路(VLSI)集成度的一项关键技术,已成为高技术领域的研究热点。作者从193nm激光光刻的光学系统设计、光学材料、光源、光致抗蚀剂及器件应用等方面综述了深紫外激光光学光刻技术的近期发展及应用。 相似文献
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目前,科技工作者采用各种技术、方法试图合成晶态氮化碳(β-C3N4)材料,并在不同工艺条件下对氮化碳材料生长及表征进行了大量的研究.但由于对氮化碳薄膜生长过程缺乏系统的了解,对这种材料的生长规律的认识受到了限制.本工作对XeCI准分子激光溅射C靶并辅以氮气放电在不同工作气压和衬底温度下制备氮化碳薄膜过程进行了研究.采用拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜、X射线衍射等手段分析了材料的性质,采用光学多道分析仪(OMA皿)对等离子体发射谱进行了分析,讨论了实验条件对材料键合特性的影响.实验中,Xe… 相似文献