碳纳米墙场发射冷阴极电场性质研究

利用静电场理论求解拉普拉斯方程,给出了碳纳米墙冷阴极的电势分布。根据电势和场强的梯度关系得到场强分布,发现在碳纳米墙顶端附近场强相对背景场有较大增强;在与碳纳米墙垂直方向上,场强较迅速地恢复为背景场;纳米墙顶端至阳极方向上,场强随场点与碳纳米墙的顶端距离的增大而迅速减小至一个固定值;纳米墙越高,场增强因子越大,尖端效应越明显,所得结论为碳纳米墙或碳纳米管作场发射材料提供了理论参考。     

碳纳米管薄膜的场发射特性研究

碳纳米管薄膜是一种能应用于场发射平面显示器等器件中的新型冷阴极材料。该文用Ni作为催化剂,采用催化热解法在硅片上制备了多壁碳纳米管薄膜场发射阴极,反应气体为乙炔、氢气和氮气。用SEM和TEM分析了其结构,证明了碳纳米管的直径在50~70 nm间。进而采用二极管结构,在优于10-4Pa的真空度下,测试了它的场发射特性,理论分析表明碳纳米管薄膜的场发射实际上来源于突出于薄膜表面的部分碳纳米管顶端。该阴极的开启电场为8 V/mm;在11 V/mm时测试到了最大的发射电流密度2 mA/cm2,满足场发射平面显示器的要求。     

单壁碳纳米管场发射尖端电势模拟计算

以Maxwell电磁场理论为基础,对金属型单壁碳纳米管场发射阴极尖端附近的电势进行了模拟计算,发现在碳纳米管尖端附近,随着径向距离和轴向距离的增加,电势迅速增加;而离碳纳米管尖端较远的区域,随着径向距离和轴向距离的增加,电势增加缓慢直至为常数(即无碳纳米管时的背景场电势).说明了碳纳米管产生的激发 场为极强的小范围的局域场.该结果为单壁碳纳米管做场发射材料提供了有益的理论参考.     

工作气压对氮化硼薄膜场发射特性的影响

利用射频磁控溅射方法，在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜，并在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性．研究发现，沉积时工作气压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响，工作气压为2Pa时沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好，其阈值电场为6V/μm，场发射电流为320μA／cm^2．F—N曲线表明，在外加电场的作用下，电子是通过隧道效应穿透BN薄膜表面势垒发射到真空的．     

碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响

采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂,用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜,测试其场发射特性,并与未经处理的碳纳米管薄膜进行了比较,得到碳纳米管薄膜开启场强有所降低,为1~1.2 V/μm。对碳纳米管薄膜进行老炼处理,最大场发射电流由12.3 μA提高到34 μA。     

碳纳米管的制备与应用研究进展

简述了碳纳米管的结构与性能,详细介绍了碳纳米管常见的制备方法和原理,以及碳纳米管在各个领域的应用和研究进展.     

碳纳米管及其应用研究进展

介绍了碳纳米管的特性及制备技术 ,综述了碳纳米管在场效应发射器、超级电容器、储氢材料及催化剂载体、增强材料及其他方面的应用 ,并对碳纳米管材料未来的发展方向进行了展望     

碳纳米管的制备及形貌研究

借助于等离子体电弧方法，利用石墨材料做阴极和阳极，Fe／Co／Ni作催化剂，S为助长剂，H2／Ar和H2／He作为缓冲气体，制备了碳纳米管．经过透射电镜和扫描电镜检测得知，得到的碳纳米管其长度较长，且平行度良好，这为制备优质的碳纳米管奠定了良好的实验基础．     

单壁碳纳米管及应用现状

讨论了单壁碳纳米管独特的结构、性质和制备方法。由于单壁碳纳米管独特的结构，而导致其独特的电性质、吸附性和力学性能，对单壁碳纳米管目前在电子领域、储氢和复合材料方面的应用研究作了综合阐述。     

碳纳米管负载金属纳米粒子的研究进展

碳纳米管(carbon nanotubes, CNTs)具有优异的导电性能、导热性能和高的热稳定性。将具有独特催化性能、导电导热性能的金属纳米粒子(metal nanoparticles, M-NPs)负载至CNTs表面形成复合材料,可以广泛应用于催化和热管理领域。综述了国内外制备负载M-NPs的CNTs的研究现状,包括共价和非共价两种方式功能化CNTs再负载M-NPs和直接通过化学气相、物理和电化学沉积等方法将M-NPs负载至CNTs上。共价功能化的CNTs表面虽然可以将其他物质分子永久稳定地连接,但是sp~2到sp~3的杂化过程导致电子结构重组,改变了CNTs原有的电子离域,破坏了CNTs的热学、光学等本征特性,因此使用非共价改性的方法,不仅可以保持CNTs原有的结构和性能,而且不会破坏π共轭体系。M-NPs直接负载至CNTs表面的方法中绿色简便,可大规模推广制备的是混合加热法,不需要添加其他溶剂,也不需要任何精密仪器,就可以使金纳米粒子均匀密集高效地负载至CNTs表面生成复合材料。由此可见,更加绿色高效的M-NPs修饰的CNTs复合材料制备方法在能源、环境和热管理领域的应用前景越来越光明。     

MPCVD实验条件对碳氮纳米管薄膜场发射性能的影响

通过正交设计试验法研究了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)实验条件对碳氮纳米管薄某》⑸湫阅艿挠跋?结果表明,当微波功率为1 500W、反应气压为8.5kPa、甲烷、氮气和氢气的流量比为8:20:80时,制备的碳氮纳米管薄膜场发射特性最好,其开启电场强度为3.2 V/μm,电场强度为8.0V/μm时的电流密度为3.5 mA/cm2.     

碳纳米管表面化学镀Ni的研究

研究了在碳纳米管表面化学镀Ni的新方法．在一定条件下，不通过敏化活化处理，运用“诱发”反应活化法，在碳纳米管表面获得致密均匀的Ni镀层．     

纳米碳管的性质及应用技术

从纳米碳管的分子结构、性质以及潜在的应用 ,对这种新型纳米材料作了简要描述 ;对纳米碳管分子结构与性质之间的联系及纳米碳管在半导体、场电子发射器、复合材料增强等方面的应用研究情况进行了介绍。     

表面覆盖钛薄膜的纳米片状碳膜场发射特性(英文)

利用石英管型波等离子体化学气相沉积装置在Si衬底上沉积了纳米片状碳膜,然后采用电子束蒸镀方法在碳膜表面沉积了一层2 nm厚的Ti膜,并在高真空系统中测量了覆盖Ti膜前后的纳米片状碳膜的场发射特性.研究表明:覆盖Ti膜的纳米片状碳膜因表面生成碳化钛而改性,使得场发射特性得到改善;表面覆盖Ti膜后,阈值电场由2.6 V/μm下降到2.0 V/μm,当电场增加到9 V/μm时,场发射电流由12.4 mA/cm2增加到20.2 mA/cm2.     

新型金刚石薄膜场电子发射的特性

介绍了用微波CVD法制备的一种新型低阈值电压大电流密度金刚石薄膜场发射冷阴极,阈值电压低于1.09 V/μm,场发射电流密度高达418 mA/cm²,这是目前文献中报道的最好结果之一.文中还探讨了金刚石薄膜场电子发射机制.     

碳纳米管的场致发射研究进展

碳纳米管的研制和应用是一门新兴的科学技术。碳纳米管薄膜机械强度高，化学稳定性好，并且有很低的发射场强阀值，较高的发射电流密度。碳纳米管阵列薄膜的这些特显示出其在场致发射应用中的良好前景。介绍了碳纳米管的几种产生工艺、碳纳米管在场致发射方面的研究和应用场景新动态，比较了不同生产工艺的优缺点及场致发射的特性，分析了碳纳米管用于场致发射存在的不足和发展前景。     

一种类石墨材料的场发射性能

采用(CVD)法制备了一种类石墨材料,用场发射扫描电镜(FESEM)和Raman光谱对其形貌和结构进行分析,发现表面形貌为花瓣片状结构,边缘具有突出尖端。采用二极结构对其场发射性能进行测试。结果表明当外加电场1.7 V/μm时获得了μA级的发射电流;当电场为4 V/μm时,电流密度达到1.85 mA/cm2;开启电场为2.5 V/μm,最高工作电压为8×103 V到104 V。     

新型阴极粘贴技术制备三极CNT-FED的研究

利用催化剂高温分解在硅衬底上生长了碳纳米管薄膜阴极；采用丝网印刷工艺、高温烧结工艺以及低熔点玻璃封接技术，制作了三极结构的碳纳米管场致发射显示器器件．采用了新型的阴极粘贴技术来装配碳纳米管阴极。解决了硅片和封装玻璃之间热膨胀系数不一致的技术难题，实现了稳定可靠的整体器件高温封装，同时也避免了其他器件制作工艺对碳纳米管阴极的损伤，增强了阴极装配技术的适用性和灵活性．整体显示器具有良好的场致发射特性以及比较高的显示亮度．