TiO2纳米薄膜的制备及应用进展

TiO2纳米薄膜在光催化、传感、环境工程等领域具有广阔的应用前景，本文根据国内外的研究报道及作者对TiO2纳米薄膜的研究，简单地介绍了它的制备方法和应用。     

TiO2纳米棒的制备与结构表征

纳米TiO2是一种性能优异的半导体材料，对400～800nm范围内的可见光具有较强的反射能力，对紫外线的吸收能力也较强。所以，纳米TiO2在精细陶瓷、紫外线屏蔽材料、半导体材料、光催化材料等方面有着广泛的用途。制备TiO2纳米棒的方法很多，其中水热法制备出的粉体具有晶粒发育完整。     

纳米TiO2光催化杀灭大肠杆菌的超微结构研究

在近紫外光的照射下，纳米TiO2具有较强的光催化灭茵效果。用透射电子显微镜较完整地研究纳米TiO2光催化杀灭大肠杆菌的超微结构变化。结果表明，纳米TiO2可直接或间接作用于大肠杆菌；光催化过程中产生的氢氧自由基等活性氧类物质可导致大肠杆菌的外壁和质膜严重破损、断裂；胞浆流出；细胞质凝聚；类核区解体和丝状染色质消失。本研究为探讨纳米TiO2光催化灭茵机理提供了直观的证据。     

氮掺杂TiO2可见光响应的机理

TiO2是一种良好的光催化剂,具有稳定性好、光效率高和不产生二次污染等特点.但TiO2是宽禁带半导体,只有在紫外光下才具有活性,N掺杂能够明显延长TiO2的吸收光谱至可见光区,但其机理仍有争议.本文介绍了N掺杂TiO2具有可见光活性的几种有争议的机理,包括杂化能带减小理论、杂质能级理论和氧空缺理论,并指出了今后N掺杂TiO2机理的研究方向.     

氮掺杂TiO2可见光响应的机理

TiO2是一种良好的光催化剂,具有稳定性好、光效率高和不产生二次污染等特点.但TiO2是宽禁带半导体,只有在紫外光下才具有活性,N掺杂能够明显延长TiO2的吸收光谱至可见光区,但其机理仍有争议.本文介绍了N掺杂TiO2具有可见光活性的几种有争议的机理,包括杂化能带减小理论、杂质能级理论和氧空缺理论,并指出了今后N掺杂TiO2机理的研究方向.     

新型MOS氧化层TiO2薄膜

采用低压MOCVD法在(111)取向硅基上制备了TiO2薄膜代替通常MOS结构的SiO2，并测量了TiO2薄膜的介电常数、表面固定电荷密度和电阻率．与SiO2作比较，结果表明：TiO2的MOS结构比SiO2具有更优良的性质．更适应于超大规模集成电路制造。     

用SEM和TEM研究TiO2的表面结构

TiO2是典型的过渡金属氧化物。它广泛地应用于涂料、化妆品、塑料加工及催化剂制备等行业。在V2O5/TiO2系催化剂中，TiO2担载的钒催化剂对邻二甲苯选择氧化制邻苯二甲酸酐和氮氧化物的催化选择还原等重要反应均有优良的催化性能。TiO2可以催生V2O5选择氧化所需要的晶格氧。     

腈纶纤维中二氧化钛分散状态分析

二氧化钛折射率高于一般普通白色颜料，比腈纶纤维折射率高二倍，具有较好消光作用。在腈纶纤维中加入少量TiO2可使其达到消光效果，但是对加入TiO2粒子有严格的要求。国外有关生产技术资料报道，对加入的消光剂TiO2粒径控制在0．2～0．3μm以下，要求粒子细微、没有粗颗粒、粒度分布     

TiO_2基压敏陶瓷的研究进展

TiO2基压敏陶瓷的非线性伏安特性和介电性能优良,具有吸收高频噪声和过电压保护的功能。综述了此陶瓷的制备工艺、烧结制度、施主、受主掺杂和烧结助剂等对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响之研究现状,并阐述了TiO2基压敏陶瓷未来的研究方向。     

铁氮共掺杂制备TiO_2及其蓝光下的光催化性能

用硝酸铁和盐酸羟胺分别作Fe源和N源,在TiO2溶胶中同时引入Fe和N,一步合成得到Fe、N共掺杂的纳米TiO2粉末。用XRD等技术研究了焙烧温度和N源量对其晶相结构的影响,并用低功率蓝光LED作光源测试其光催化性能。结果表明,400℃焙烧的Fe、N共掺杂TiO2粉末具有最好的催化性能,2h内对若丹明B的降解率达68.0%。增加N源量,有利于Fe在TiO2晶格中扩散,减小晶粒度;Fe、N共掺杂对TiO2的催化性能具有协同作用,其催化能力明显优于单掺杂样品;降解机理可能与紫外光源有所不同。