Ba膜氧化过程中电子发射特性的研究

本文研究了Ba在Ni表面沉膜,测量Ba膜氧化过程中电子发射的I-V特性和不同膜厚对逸出功的影响。用Gauss分布求逸出功,在氧量适当时,出现逸出功最低值,此时电子发射为最大。可用氧的一分为二作用来解释,初步支持了动态表面发射中心的观点。     

两种高逸出功复合膜材料的AES研究

一、引言:现代大功率微波管已普遍采用无截获栅控电子枪。由于阴影栅一般采取紧贴阴极面的结构,而控制栅与阴极的距离又很近,阴极工作时活性物质极易蒸发和迁移到栅极表面使栅发射,栅截获大量增加,严重影响管子的正常工作。为了解决这一问题,我们利用磁控溅射技术,在栅极上溅射上一层或多层高逸出功材料,用以抑制栅发射。本文介绍了在 Mo 栅极上涂敷 Ta—zr、Fe—Zr 两种     

关于钼栅极四种不同涂复材料的表面分析

利用俄歇电子能谱分析技术对四种不同涂复材料的钼栅极在受阴极活性蒸发物污染过程中的表面成份及化学状态进行了测试分析,并结合栅极发射做了对比试验。实验结果表明:利用离子溅射钽的方法,使钼栅极上获得一层钽膜,这层钽膜与钼基底结合较牢固,在整个实验过程中既没发现涂复钽的剥落,也没发现钼基底的显露,而且在受阴极活性物质污染的过程中,栅极发射小而稳定。与气相沉积的碳膜、碳化钛膜及均匀锆膜相比,溅射钽膜是一种很有前途的降低栅放的涂敷材料。     

铜布线工艺中阻挡层钽膜的研究

从钽膜质量的角度研究了用溅射方法在硅衬底上得到的 60 nm钽膜对铜硅互扩散的阻挡效果 ,钽膜的质量通过对硅衬底的表面处理以及钽膜的淀积速率来控制。研究发现 ,适当的硅衬底表面处理对钽膜是否能产生良好的防扩散能力起着关键的作用。本研究还得到了能有效阻挡铜硅接触的钽膜的淀积速率。     

离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射的研究

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜，采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能。测量结果表明，镀碳钼栅的电微量显著减少，依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果，初步探讨了离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射的机制。     

全晶质金刚石振动膜及扬声器

在普及以数字源为代表的小型磁盘的同时,要求播放声音的扬声器有更好的音质,为满足此要求,其办法之一,是优于以往的各种振动膜材料的开发和产品化。扬声器用振动膜的最好材料,金属系有铍,陶瓷系有氧化铝、碳化硼、碳化硅,碳系有陶瓷石墨,树脂系有液晶聚合物、合成石墨等。     

离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果 ,初步探讨了离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射的机制     

高介电性纳米复合氧化膜的研究

首次在溴的丙酮溶液中,以钽作阳极,多孔型氧化铝为阴极,通过直流电沉积方法制备Ta/Al2O3复合氧化膜。结果表明:阳极钽在阴极氧化铝的表面和多孔结构内部均有沉积,并以纳米结构与多孔氧化铝结合生成复合氧化膜。     

碳膜印刷电路断线的修复方法

遥控器内部的电路板,除常见的铜箔印刷电路外,还有一种是碳膜印刷电路。铜箔印刷电路发生断路故障时,可以用焊锡、铜丝补焊修复。但对碳膜电路的修复就有讲究了,本文介绍其修复步骤如下。1.在待修复处,贴上双面不干胶纸;2.取5号锌锰干电池内的黑色物质(为二氧化锰、石墨混合物,导电良好)少许,     

钽阳极氧化膜的半导体性研究

用电容测量技术和电化学阻抗技术研究了高纯钽丝在稀磷酸(质量分数为0.01%,0.10%和1.00%)、氨水(pH=11)和饱和CO2水溶液(pH=4)中阳极氧化形成的氧化钽膜在酸性缓冲液(pH=2)中的半导体性和阻抗特性.实验结果表明,来自非磷酸系的阳极氧化钽膜呈现出双极性(p-n)半导体结构特征,而来自磷酸系的则表现...     

碳膜保护对高温激活SiC表面形貌的影响

采用碳膜覆盖于SiC晶片表面,作为SiC离子注入后高温激活退火的保护层,1650℃20 min高温退火后,有碳膜保护的SiC晶片表面粗糙度RMS只有0.6 nm,无明显形貌退化。AZ5214光刻胶在不同温度条件Ar气氛围下碳化40 min,光刻胶均转变为纳米晶体石墨化碳膜。进行Raman测试表明,碳膜D峰和G峰的比值随碳化温度升高而增大,800℃高温碳化形成的碳膜ID:IG达到3.57,对高温激活退火SiC表面保护效果最佳,经过Ar气氛围下1 650℃20 min激活退火后,有碳膜保护和无碳膜保护的SiC表面粗糙度RMS分别为0.6 nm和3.6 nm。     

关于无截获栅电子枪栅网形状的研究

本文叙述了采用三种不同形状栅网(方孔栅、六角孔栅、环形栅)的导流系数为1.4p的无截获栅栅控电子枪,在电子注分析器上进行实验的详细情况。文中扼要地介绍了无截获栅栅控枪使用三种不同栅网的设计方法,并给出了所用实验系统的结构。三种栅网的荧光屏显示和小孔扫描测试的结果表明,环形栅的电子光学性能最佳。从概念上定性地分析并讨论了环形栅优于其它栅的原因。这为今后设计无截获栅枪指出了方向。通过对多把无截获栅枪的实验研究和计算机计算,纠正了过去有关栅控枪和基础无栅枪性能上的一些概念上的错误结论。     

新的光学薄膜——类金刚石碳膜

众所周知,金刚石非常有用,但在某些工业领域里,比如半导体工业或光学工业中,需要金刚石薄膜。到目前为止,虽很少制得真正的金刚石薄膜,却也获得了很大的进展。采用等离子体淀积技术或离子束工艺已制备出了类金刚石的碳膜,这种碳膜也可称它为菱形碳膜或无定形碳膜。其电阻率可达10~(12)Ω·cm,折射率为1.9～2.0,在2～20μm间没有严重的吸收带,莫氏硬度达8级。用它作锗的增透膜,锗片厚度为1mm,在10.6μm处透射率可达93～95％。一、制备类金刚石碳膜的几种方法热分解淀积在低压下热分解烃气使碳沉     

复合发光碳膜

分析研究复合碳膜的制备及场发射效果。在陶瓷衬底上磁控溅射一层金属钛,对金属钛层进行仔细研磨,放入微波等离子体化学气相沉积腔中,在镀钛陶瓷衬底上制备出碳膜。利用扫描电镜、x射线衍射、拉曼光谱分析复合碳膜的微观结构和微观表面形态,表明此碳膜是含有碳纳米管、非晶碳和球状微米金刚石颗粒的复合碳膜。用二极管型结构测试了复合碳膜的场致发射电子的性能。首次发光的电场为0.75V/μm,稳定发光2.56V/μm的电场下,复合碳膜阴极发射电流密度为7.25mA/cm2。并对其复合碳膜制备成因及发射机理进行了研究。     

纳米非晶碳膜表面氢吸附对其场致电子发射特性的影响

采用微波等离子体化学气相沉积系统在陶瓷衬底上制备了具有sp^2键价结构的纳米非晶碳膜。用Raman谱、XPS谱、SEM和XRD等手段分析了薄膜结构。样品经过多次场发射测试后I—U曲线趋于稳定，然后用氢等离子体处理使碳膜表面重新吸附氢。可以发现氢吸附后场发射电流增加，相应的F—N直线的斜率减小。根据F—N理论，F—N直线的斜率正比于Ф^（3/2）β，其中Ф是表面功函数，β是取决于形貌的场增强因子，由SEM观察可知氢吸附后样品的形貌没有变化，F—N直线的斜率减小意味着功函数的降低，即氢吸附可降低sp^2碳膜表面的功函数从而提高了场发射电流。为了验证以上推论，采用密度泛函理论计算了氢原子和氢离子吸附对sp^2碳表面功函数的影响。作为近似，用石墨（0001）面来代表sp^2非晶碳，计算了氢原子和氢离子在石墨（0001）表面不同的位置以1／2覆盖度化学吸附后石墨（0001）表面的真空能级、费米能级和表面功函数。计算结果显示氢原子和氢离子吸附后石墨（0001）表面的功函数可降低0．6和2．5eV左右。这和从实验中得到的结论基本一致。     

碲化铷薄膜的光电性质

本文叙述:通过改变组份比例,测量碲化铷光电阴极在230—260毫微米波长范围内的光电子发射能谱,以确定其电子亲和势和光电子逸出功。对具有高量子输出(在250毫微米时达5.5％)的钽基底上面形成的碲化铷薄膜,测得电子亲和势为0.4±0.1电子伏和光电子逸出功为0.2电子伏。     

钼基和铪基上溅射碳膜的某些特性

微波管电极表面涂复碳膜能改善管子性能。本文介绍了采用高频溅射热解石墨的方法在Mo基和Hf基上形成碳膜的一些研究情况。包括碳膜的制造、成分分析,次级发射性能和热辐射特性以及在真空系统中随温度上升释放气体的质谱分析等。主要结果有:(1)复碳钼有明显的吸氧效应;(2)钼、铪上复碳后次级发射系数降为max 0.7;(3)高温时(930℃)钼基上的碳膜会很快消失,但铪基上的碳膜到1050℃仍无明显变化;(4)复碳钼在高温时有一定量的CH4形成。     

固体钽电解电容器成型工艺的改革

<正> 一、引言 固体钽电解电容器无论是电气性能还是可靠性都较液体钽电容器为佳。但就目前来说,如何进一步改善和提高固体钽电解电容器的电性能及降低其成本,仍然是有待继续研究的课题。 固体钽电解电容器的生产工序繁多,产品的制成往往需要经过称粉、压制成型、真空烧结、赋能、被膜、浸石墨,喷金和装配     

碳膜电位器端头用铜银导电浆料的研究

碳膜电位器端头一般用银导电浆料,以微细片状银粉作导电相。本文的研究工作试图以铜代替部分银,并根据碳膜电位器端头导电性及表面光泽度的要求,适当调整铜扣银含量的比例,通过大量的实验,给出了最佳条件。     

热阴极发射特性的微机化测量和分析

本文介绍了一套微机化热阴极发射特性测量系统。用它能快速自动地获取伏安特性数据,精度为0.05％(满标量程),一条曲线所需时间少于5s,用它还能获取Schottky外延零场发射、拐点发射、转折点发射、平均有效逸出功、Richardson逸出功、工作温度下阴极表面的逸出功分布等反映阴极特性的重要信息。 对四种阴极的研究结果表明,本系统特别适合于用来研究阴极激活、老炼、中毒和寿命过程中活性的变化。通过对一种栅控行波管的测量,证明本系统可用来监测整管中阴极的活性。