2种除三氯氢硅中硼、磷工艺的比较

介绍2种除三氯氢硅中硼、磷的方法,比较2种工艺的实际运行效果,树脂吸附法具有工艺流程短,操作简单,除硼、磷效果稳定等优势。     

高纯三氯氢硅生产中磷硼杂质的去除

根据生产实践,总结分析了磷、硼杂质在三氯氢硅中的存在形式以及磷硼元素对多晶硅品质的影响。磷系化合物主要是以高沸物存在,少量以低沸物存在,通过加大各塔塔底的排放可以除去;硼系化合物80%左右是以高沸形式存在,15%左右是以低沸形式存在,还有5%左右的杂质沸点是同一工况下高于三氯氢硅,但低于四氯化硅的沸点。除硼成了三氯氢硅提纯的关键因素,合理控制各塔的排高排低除去硼杂质,降低精馏塔单位产品能耗,提高精馏塔的生产能力。     

高效除三氯氢硅中痕量硼、磷工艺研究进展

改良西门子法是生产多晶硅的主流工艺。简述了多晶硅行业的生产背景和现状,介绍了多晶硅行业现今所面临的困境和多晶硅生产中原料三氯氢硅中痕量硼、磷杂质的高效分离方法,并讨论了多晶硅生产中原料三氯氢硅中硼、磷杂质的存在形式和分离难点,概述了多晶硅生产中原料三氯氢硅中痕量硼、磷杂质的多种高效分离方法,主要包括部分水解法、络合法、吸附法等。通过对各种分离方法进行综合性的分类和分析讨论,指出了现存方法的优缺点,提出了三氯氢硅中痕量硼、磷杂质分离技术在工业化时的关键难题,并对各种分离方法的应用前景进行了展望。     

高稳定性化学镀镍磷合金工艺

采用正交试验法筛选络合剂，确定了以柠檬酸，琥珀酸和苹果酸复配作为络合剂的化学镀镍磷工艺，该工艺具有高稳定性，高装载量等优点，易在工业生产中应用。     

挠性印制板的络合废水处理研究及应用

挠性印制电路板生产过程中产生的电镀混合废水是多种络合剂与铜、钯、铅、锡、氟等共存的络合废水,其形成的络合物很难除去。采用还原—凝聚共沉法对电镀混合废水进行处理,结果表明该方法处理多种络合剂共存的含铜、钯、铅、锡、氟等的电镀混合废水是切实可行的,取得了良好稳定的除铜及其他重金属的效果。     

化学镀镍与络合物

本文探讨了络合剂在化学镀镍溶液中的作用及其机理、选择络合剂应考虑的因素以及络合剂合理选择及复合络合剂的采用。通过腐蚀试验对比,显示了复合络合剂的优越性。     

三氯氢硅合成中湿法除尘工艺的探讨及优化

本文主要介绍了湿法除尘的原理及效果、三氯氢硅合成工艺中湿法除尘的除尘效果。并结合实际运行情况介绍三氯氢硅合成工艺中的湿法除尘的运行情况;探讨并分析湿法除尘在三氯氢硅合成中存在的缺陷及问题;提出改进三氯氢硅合成工艺中湿法除尘的一些意见和措施。     

化学镀镍磷合金工艺研究

化学镀镍磷合金由于其优良的性能在工业上得到了广泛应用。为改进传统工艺所存在的不足,采用乳酸－柠檬酸混合络合剂体系研究了络合剂、温度、ＰＨ值及稳定剂地沉积速度的影响。优选了一种最佳工艺。该工艺稳定、沉积速度高、成本低,所得镀层平整、光亮、孔隙率低、硬度高,具有很好的应用价值。     

城市污泥重金属去除的探究

利用热水解氧化法处理城市活性污泥过程中,加入金属络合剂可有效提高污泥中的重金属的去除率。本研究复配了两种金属络合剂,考察了污泥中重金属的去除效果,优化了反应条件,并探讨了脱除重金属的含量上限。实验结果表明:络合剂E最佳条件为反应温度200℃、反应时间60 min、固液比(城市污泥与去离子水的质量比)20:5、络合剂E浓度0.05 mol/l。在此条件下,Cu与Zn的去除率分别可达到76.24%和66.08%,重金属的去除上限为标准的2.5倍。络合剂P-2最佳反应条件为反应温度180℃、反应时间60 min、固液比20:5、络合剂P-2质量浓度4.09 g/kg。此条件下,Cu与Zn的去除率分别可达到75.24%与76.80%,重金属的去除上限为标准的2.5倍。金属络合剂E和络合剂P2的去除效果相近。考虑到污泥处理工艺,水中重金属的脱除,络合剂P-2更有优势。     

三氯氢硅生产现存问题及发展前景

分析国内三氯氢硅生产中须解决的问题——副产物四氯化硅出路,尾气回收治理,精品三氯氢硅中含硼、磷,探讨了三氯氢硅的市场前景。