白光LED色度特性研究

为了解决白光发光二极管（LED）光衰问题,采用包膜技术对YAG：Ce^3＋荧光粉进行了实验。分别用Al2O3和La2O3对YAG：Ce^3＋荧光粉包覆,然后封装成白光LED。实验结果表明：La2O3较Al2O3包覆的YAG：Ce^3＋荧光粉初始光强强;包膜后的白光LED的光衰和光色变化都非常缓慢,表现出良好的光学稳定性。     

白光LED封装用Ce:YAG荧光微晶玻璃的研究

以CaO-Al2O3-SiO2-Y2O3玻璃作为基础玻璃(添加微量Ce),采用不同的热处理方法制备了白光LED荧光微晶玻璃。通过对比样品的测试数据,总结出了较为理想的热处理工艺。研究表明,采用整体析晶工艺,在1150℃、热处理1h,得到了主晶相为Ce:YAG的荧光微晶玻璃。其激发波长为462.2nm,发射波长为530.2nm,适合作为白光LED的封装材料。     

Sb~(3+)掺杂的YAG:Ce荧光粉的合成与发光性能研究

通过高温固相法制备了白光LED用Sb3+掺杂的Y1.94-yGdSbyAl5O12:0.06Ce荧光粉,使用荧光分光光度计研究了样品的发光性能,并采用紫外-可见-近红外光谱分析系统分析了所制荧光粉的封装性能。结果表明,Y1.94-yGdSbyAl5O12:0.06Ce荧光粉为立方晶系,其发射中心波长为550 nm,Sb3+掺杂有助于提高YAG:Ce的发光强度。将合成的Y1.92GdSb0.02Al5O12:0.06Ce(CL-Y-550)荧光粉封装成白光LED,其平均色温为5 376 K,属于冷白;平均显色指数为81.2,达到了基本的应用水平。     

近紫外芯片激发三基色荧光粉制作的白光LED

使用近紫外半导体芯片激发红绿蓝三基色荧光粉,制作了白光发光二极管（LED）,并研究了其光电特性。结果表明,采用发射峰值波长分别在613、495和451nm的红绿蓝荧光粉,在波长400nm左右半导体芯片激发下的白光LED,其显色指数Ra最大为82;使用YAG荧光粉代替绿色荧光粉后,Ra提高到93。测试结果还表明,当工作电...     

基于蓝光 LED 的白光器件:用于固体发光的小颗粒YAG:Ce 型荧光粉的合成

文章介绍了小颗粒 YAG:Ce 荧光粉的三种合成方法.这种荧光粉受到蓝光 LED 发出的光线的激发会发出黄光.在合成的 pcLEDs 里,蓝光和黄光混合形成了白光.本文解释了这种涂有 YAG:Ce 荧光粉的 pcLED 的色点的依赖性以及通过添加修复晶格点阵的催化剂以改变这种依赖型的方法.另外,文章还讨论了 Ce3 聚集中心的YAG:Ce 荧光粉的效率的测量、烧成温度、激发波长.     

基于YAG陶瓷封装的大功率车用LED的发光性能

不同掺杂量的Ce:YAG陶瓷与5 W蓝光芯片封装后得到发光二极管(LED)灯珠并表征了其发光性能。这种陶瓷灯珠的电致发光光谱结果表明,Ce:YAG陶瓷是一种更加紧凑高效的荧光材料,在较低的Ce~(3+)掺杂量和较小体积下可容纳更多的激活中心。采用Ce~(3+)掺杂量为x=0.03(Ce_x:Y_(3-x)Al_5O_(12)),厚度为0.4 mm的YAG陶瓷封装的LED灯珠发光效率可以达到88.2 lm/W,此种陶瓷灯珠在LED车大灯应用领域有很大潜力。     

双掺(Ce~(3+)、Nd~(3+)):YAG晶体对撞脉冲锁模的研究

一、引 言 新晶体双掺(Ce~(3+)、Nd~(3+)):YAG是一种具有高转换效率的激光增益介质~[1],它利用Ce~(3+)、Nd~(3+)的敏化途径提高激光效率。晶体中的Ce~(3+)离予通过辐射和非辐射二种方式向Nd~（3+）转     

用于白光LED的Ca2BO3Cl:Eu2+发光特性研究

采用高温固相法,制备了适于紫外-近紫外及蓝光激发,主峰位于573nm的Ca2BO3Cl:Eu2+黄色荧光粉。研究了Ce3+以及CaCl2和H3BO3用量对材料发光特性等的影响。结果表明,添加Ce3+,明显增强了Ca2BO3Cl:Eu2+材料在紫外-近紫外区的吸收,有效地提高了材料的发射强度;添加过量的CaCl2或H3BO3,均能提高Ca2BO3Cl:Eu2+材料的发射强度,最佳的CaCl2和H3BO3用量分别为过量5mol%和15mol%。将Ca2BO3Cl:Eu2+材料与460nm InGaN芯片组合,获得了白光发射,色坐标为(0.339,0.351)。     

可用于紫外激发白光LED的CeF_3基透明玻璃陶瓷

近年来,白光发光二极管(LED)由于其具有环保、节能、耐用等独特优势而引起人们的极大关注。商用白光LED是由GaN芯片和混入环     

LED用KZn_4(BO_3)_3∶Eu~(3+)荧光粉的合成与发光性能研究

荧光粉转化法是目前制备白光LED的主流技术。但是商业化的荧光粉由于缺少红色部分或红色不稳定,使得制备出的LED灯泡颜色偏冷,因此研制低成本、性能稳定的红色荧光粉具有重要的意义。本项目以化学性质稳定、合成工艺温和的硼酸盐KZn4(BO3)3为基质,掺杂稀土离子来研究荧光粉的发光性能。通过高温固相法合成了一系列不同掺杂浓度的KZn4(BO3)3∶Eu3+,并测试了XRD衍射图谱,发射和激发光谱。研究表明Eu3+离子倾向于占据Zn2+格位。同时,KZn4(BO3)3∶Eu3+的最佳激发波长(393nm)位于近紫外波段,适于用近紫外LED芯片激发来制备LED。KZn4(BO3)3∶Eu3+的最强发射峰位于590nm,属于5 D0-7F1跃迁。当发生浓度猝灭时,Eu3+-Eu3+离子间的临界距离为3nm。该荧光粉的色坐标为(0.629 7,0.369 9),色饱和较高。该物质是一种潜在的可被用于LED照明用的红色荧光粉。     

白光 LED 封装材料的光学特性对光通量的影响

封装材料的光学特性是影响白光 LED 光通量的主要因素之一,基于蒙特卡洛非序列光线追迹的方法,应用专业光学仿真软件 Lighttools 系统地研究了硅胶折射率、荧光粉颗粒粒径、反光杯表面反光类型及反光率几种光学特性条件下的白光 LED 光通量。研究结果表明：硅胶折射率存在最优值（n=1.48）使得白光 LED 光通量最大;在相同色温的前提下荧光粉颗粒粒径与光通量成反比关系;漫反射表面对于光通量的提高优于镜面反射,同时光通量均随着反光率的升高而升高,这些规律对于实际生产研究具有指导意义。     

Optical simulation of phosphor layer of white LEDs

A Matlab(2009a) program was developed to simulate the photons emitted by the LED chips.The photons’transmission,reflection,and refraction in phosphor layers with different shapes were calculated in this program.The CCT was calculated at different emergent angles with different layer profiles,such as planar layer, hemispherical layer(with different diameters),half ellipsoid layer and other irregular shapes.As a consequence of optimization of angular color uniformity,the trend of configuration of the phosphor layer was discussed and analyzed.     

粉浆法制备平面荧光粉涂层白光LED的技术改进

基于粉浆法制备白光LED能得到厚度可控的荧光粉层,改善了白光LED的均匀性.由于芯片长时间工作时表面的发热以及回流焊时的瞬间高温环境,聚乙烯醇(PVA)感光胶的颜色容易发生改变,影响了白光LED光效的稳定性.本文采用等离子体去胶,实验结果表明,通过该方法能有效去除感光胶,处理后的LED不会因为长时间工作荧光粉表面涂层的...     

掺铒玻璃样品的荧光谱测量

介绍了一种掺Er^3 玻璃样品的制作方法，测量掺Er^3 玻璃样品的透射光和反射光的荧光谱特性、样品在双向泵浦时的荧光谱特性及吸收谱特性。实验结果表明，透射光的荧光谱强度大于反射光的荧光谱强度；当反射光实验中掺Er^3 玻璃样品的背面贴有镀Al反射镜时，反射光荧光谱强度则大于透射光荧光谱强度，双向泵浦的荧光谱证明，荧光谱强度与泵浦激光器的输出波长有关。     

紫外可调谐激光晶体Ce^3＋：LiSrAlF6生长及其光谱特性

在国内首次用提拉法生长出Ｃｅ＾３＋：ＬｉＳｒＡｌＦ６晶体,晶体尺寸达φ２０ｍｍ×８０ｍｍ,测定了其在室温下的吸收及发射光谱,并计算了晶体的主吸收系数及残余吸收系数。     

YAG:Ce3 荧光粉对白光LED衰减的影响

对封装的蓝光和白光LED进行了光衰对比试验,结果表明,白光LED初期衰减明显比蓝光LED快.因此,又对自制的YAG:Ce3 荧光粉进行了光照、温度测试,结果发现,荧光粉在光照作用下,荧光强度出现先降后升然后稳定的现象,跟白光LED的衰减相吻合,结合色坐标的偏移,蓝光LED本身的衰减仍是白光LED衰减的主要原因.     

LiCaPO4:Eu3+材料制备白光LED及其发光特性

采用高温固相法制备了LiCaPO4:Eu3+红色发光材料,研究了Eu3+掺杂浓度、R+或Cl-等对材料发光性质的影响.结果显示,在399 nm近紫外光激发下,材料呈多峰发射,分别由Eu3+的5DO→7FJ(J=0,1,2,3,4)能级跃迁产生,主峰为612 nm;监测612 nm发射峰,所得激发光谱由O2-→Eu3+电...     

ZnMoO_4:Tb~(3+)绿色荧光粉的制备及发光特性研究

采用高温固相法制备了ZnMoO_4:Tb~(3+)绿色荧光粉,对样品进行了X射线衍射(XRD)和荧光光谱测定.XRD结果表明,样品在800℃时能得到单一ZnMoO_4相.激发光谱由1个宽带峰和若干个尖峰组成,宽带属于Mo~(6+)-O~(2-)电荷迁移吸收带(CT),并且发现宽带峰位随Tb~(3+)掺杂浓度增加而出现蓝移,尖峰属于Tb~(3+)的4f-4f跃迁,最强激发峰位于377 nm处.发射光谱由四组峰组成,最强发射峰在543 nm处,对应于Tb~(3+)的~5D_4-~7F_5跃迁,属于磁偶极跃迁.研究了ZnMoO_4:Tb~(3+)荧光粉在543 nm的主发射峰强度随Tb~(3+)掺杂浓度的变化情况.结果显示,随Tb~(3+)浓度的增加,发射峰强度先增大;当Tb~(3+)浓度x=0.15时,峰值强度最大;而后随Tb~(3+)浓度增加,峰值强度减小.荧光寿命测试得到Tb~(3+)的~5D_4-~7F_5跃迁发射的荧光寿命值为0.506 ms.光谱特性研究表明,ZnMoO_4:Tb~(3+)是一种可能应用在白光LED上的绿基色发光材料.     

Si~(4+)掺杂对BaZr(BO_3)_2:Eu荧光粉能量传递的影响

采用高温固相法合成了Si4+掺杂的BaZr(BO3)2:Eu红色发光荧光粉。激发光谱表明,不同Si4+掺杂浓度明显使电荷迁移态(CTS)向高能量的位置移动,且改善了样品的发光强度。分析认为,这是由于Si4+的电负性大于所取代的Zr4+,且Si4+的进入影响了Eu3+的配位数,提高了CTS向发光中心的能量传递几率。依据Judd-Ofelt理论计算的强度参数表明,随着Si4+掺杂浓度的增加,Eu3+所处格位的对称性明显降低,增大了Eu3+的跃迁几率,从而改善了发光强度。计算Eu3+间的能量传递几率发现,在掺杂浓度为5%时,Eu3+间的能量传递几率很小,其对荧光粉的发光影响不大。