光刻系统的分辨率、套刻精度和视场

本文描述了紫外、x射线电子束及离子束光刻中分辨率、套刻精度及视场的限制。在讨论中得出如下结论:1)对1μm宽的线条,光学投影的对比度比电子束的对比度可能更高;2)采用反射式光学系统及远紫外可生产接近0.5μm的线条;3)为比较电子束和光学系统的分辨率,可将最小线宽定义为曝光系统的对比度降至30％时的线宽的两倍;4)线宽在0.1μm以上时,x射线光刻能提供最大的抗蚀剂厚宽比和最高的对比度,而对0.1μm以下的图形最大的厚宽比是用电子束曝光得到的;5)用电子束在基体试样中曝光,只要抗蚀剂层很薄,对50nm的线宽和1μm的线宽来说,对比度是相同的。较高的加速电压使校正邻近效应和保持原抗蚀剂的分辨率更容易;6)最后,正如光电子的射程限制了x射线光刻的分辨率一样,二次电子的射程限制了电子束光刻的分辨率。在以上两种情况下,致密图形中的最小线宽和间隔约为20nm,用离子束光刻时,分辨率也可能相同,因为离子的相互作用范围与电子是类似的。     

用可见光成功进行50nm宽的光刻

日本理化学研究所尖端研究系统激励子工程研究小组的科研人员利用436nm波长的可见光，将50nm宽的微细图形成功地复制到感光树脂上，并利用准分子激光光源的光蚀刻法形成半导体集成电路的图形。然而，该方法有一定的物理局限性、图形尺寸不能小于波长的一半，因此更微细的光蚀刻则需要更短波长的光源，而且要求光学系统或抗蚀剂适应短波长。     

用10比1缩小投影光刻机制造最小线宽1微米的MOS器件

目前用紫外线光刻机已能制作最小线宽1微米的 LSI 器件。比如,用10∶1缩小投影光刻机,光刻胶用正性 AZ1450,用平行平板电极干式腐蚀装置进行蚀刻。线宽控制性能在20～20%以内。     

用248nm光刻机制作150nm GaAs PHEMT器件性能及可靠性评估

介绍了基于光刻机的150 nm T型栅Ga As PHEMT工艺,其中重点介绍了使用的shrink关键工艺步骤。利用新工艺在某100 mm Ga As工艺线上进行流片,并通过直流测试、loadpull测试、微波小信号测试以及环境试验、极限电压测试、高温步进试验,获得新工艺下制作的Ga As PHEMT的各项性能指标及可靠性。最后制作得到的器件在性能和通过直接光刻得到的PHEMT在性能和可靠性上基本在一个水平上,但是想要通过shrink工艺得到线宽更细的栅长需要进一步努力。     

ASML推出创新光刻平台TWINSCAN NXT套刻精度及生产能力显著提高

<正>光刻巨头ASML Holding NV(ASML)公司日期推出了创新光刻平台TWINSCAN NXT,套刻精度(overlay)及生产能力(productivity)显著提高,将有力推动半导体制程蓝图的前进。另外,ASML Research Review称,TWINSCAN NXT平台也适用于双图形曝光(double patterning)技术。TWINSCAN NXT平台具有创新的晶圆载物台设计,     

制作亚50nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术

极紫外光刻技术 (EUVL ,λ =1 3.4nm)是为小于 70nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术 (NGL)。在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外光刻系统中 ,极紫外光源是由电子存储环中的波动器产生 ,为极紫外干涉光刻 (EUV -IL)提供了瞬间空间相干光源。其成像系统采用了一个洛埃镜干涉仪。用EUV -IL制作的高分辨力图形进行极紫外光刻的抗蚀剂特性研究。验证了用EUV光源的干涉光刻技术制作 1 9nm线 /间 (L/S)条纹图形 ,同时报告了采用EUV -IL技术开发亚 50nm密集线 /间图形的进展 ,并开始向制作 1 2 0nm多晶硅栅图形过渡     

用极紫外曝光制作具有150nm线宽光栅图形的微标签

作为防伪标识,使用最尖端的曝光技术制作了反射型微标签(CGH)。用最新的极紫外光源在10×缩小投影曝光装置上曝光制作了150nm L—S(线条—间隔)图形。整个标签尺寸为86μm×120μm(12×12单元,相位型)和56μm×80μm(8×8单元,相位和振幅)两种。读出波长是442 nm,介绍了包括光源在内的简单光学系统。