用克尔磁光效应对(Sm、Gd、Er)Co5磁畴结构的研究

本文介绍了利用克尔磁光效应观察(Sm Gd Er)Co,的磁畴结构,研究了两个内禀矫顽力相差较大的样品在分级磁化和退磁过程中磁畴结构的变化。结果表明,该材料的矫顽力主要受成核机制的控制。因此,为了提高磁体的性能,就应当抑制早期反磁化核的生成,为此,就要求保持成份精确、均匀,提高磁体的致密度,减少杂质、孔洞等缺陷,使磁畴取向尽可能一致。     

工艺因素对NdFeB粘结磁体磁性能的影响

研究了用快淬钕铁硼制备粘结磁体的工艺以及工艺因素对粘结磁体性能的影响。结果表明,不同尺寸的颗粒按一定比例混合可以适当提高磁性能;粘结剂的含量对磁体的性能有影响,其含量应在一个合适的范围;随成型压力的增大,剩余磁化强度和磁能积增大;为防止氧化,各个过程应采用惰性气氛保护,氧化后磁体出现α-Fe相。最优粘结磁体性能如下:密度ρ=6.38 g/cm3,剩磁Br=7.14×10–1T,内禀矫顽力Hcj=721kA/m,最大磁能积(BH)max=86kJ/m3。     

晶界添加MgO对（PrNd）30 Gd3 Al0.8 B1.03 Fe余磁体磁性能影响

为研究晶界添加MgO对磁体（PrNd）30Gd3Al0.8B1.03Fe余磁性能的影响,通过球磨混粉方式将其引入到烧结Nd-Fe-B晶界,利用扫描电镜分析磁体的显微组织.观察发现适量地添加MgO可以优化磁体显微结构,提高剩磁,矫顽力和最大磁能积,在当前实验条件下,加入0.2％的MgO磁体的磁性能最佳.     

温压压力对钕铁硼磁性能和抗压强度的影响

为了制备高性能的粘结磁体,改善有机粘结剂粘结磁体的不足,采用粘结的方法使用金属Sn作为粘结钕铁硼磁体的粘结剂,通过温压设备进行双向模压成型制备磁体,讨论了温压压力对粘结钕铁硼磁体的磁性能和抗压强度的影响规律。研究表明,当温压压力达到1 400 MPa时,磁体具有较佳性能:磁体密度ρ为6.492 g/cm3,剩磁Br为0.789 T,内禀矫顽力Hcj为719 kA/m,最大磁能积(BH)m为110.9 kJ/m3,抗压强度fc为81.5 MPa。     

FeCoSiB薄膜在应力调控下的微磁模拟

从微磁学理论出发,利用微磁学软件OOMMF,从理论上研究不同大小、方向的应力对FeCoSiB非晶磁弹性薄膜图形化单元磁畴、剩磁、矫顽力等磁性特性的影响.结果表明,磁滞回线明显取决于所施加的应力;且剩磁和矫顽力对应力的大小、方向的敏感度都很高.剩磁随应力以0.09/400MPa的梯度线性变化;矫顽力随应力以2mT/50MPa的梯度线性变化.     

μ相的平移畴与旋转畴

用JEM200CX电镜研究了GH128合金的析出物—μ相的畴结构,提出了畴界的原子结构模型。图1是沿[110]方向观察的μ相晶体的结构象及计算模拟象。在适当的成象条件下结构象的白点分布构成3~3 4~2网格,与μ相的五角反棱锥体有一一对应关系。图2是在μ相晶体里视察到的平移畴及旋转畴。图中箭头及字母P表示平移畴界,R表示旋转畴。有些平移畴内还出现MgCu_2畴(U处)及孪晶。(1)平移畴:平移畴界有(111)和(221)两种图3a是畴界为(111)的μ相平移畴的结构象。具有相同取向的μ相畴并列连接在一起构成(111)畴界两个平移畴之间的匹配是完整的,无畸变,在畴界形成两侧μ相畴之间的过渡结构。(111)畴界可以看成为与两侧μ相畴连接的4片(Co,Si)_(?) V_2类结构片(图3b)。(221)平移畴界有两种。第一种(221)畴界可以看成为旋转     

Nd—Fe—B永磁体的发展

烧结Nd—Fe—B系磁体的开发动向Nd—n—B系各向异性烧结磁体当前已成为最重要的实用永磁体材料,其最大磁能积已接近于Nd2Fe34B基可能实现的理论值的85％,进一步的研究开发余地已不多。但近年来混合型汽车获得显著发展,并正在发展燃料电池汽车（电力汽车）。作为这类汽车电动机中使用的永磁体,使用温度要上升到200℃左右,为了避免磁体的热减磁急待开发在室温,下具有2dOOkA／m（30kOe）左右矫顽力的磁体。     

掺Co和Cr的Fe3B／Pr2Fe14B型纳米复合磁体的磁性能与微观结构

有关Fe3B／Pr2Fe14B型纳米复合磁体的磁性能和微观结构的研究已有报导。增加Pr元素，增强了Pr4＋xFe78-xB18和Pr4＋xFe76-xCr2B18（X=0，0．5，1）合金的矫顽力和磁能积，而添加Co和Cr更进一步完善了其硬磁性能。样品Pr4Fe71Co5Cr2B8合金：Mr（～1．31T），He（-265kA／m），（BH）max（-115．41kJ／m^3）和Pr5Fe10Co5Cr2B18合金：Mr（-0．97T），He（-385kA／m），（a11）max（-86．21kJ/m^3）分别在628℃和658℃的高温下煅烧10分钟即可获得最佳磁性能。用Tb代替部分Pr完善了Pr4Tb1Fe70Co5Cr2B18合金的整体磁性能，达到Mr（-1．14T），He（-439kA／m），（BH）max（-119．4kj/m^3），同时也将最佳煅烧温度降至628℃。三维原子探头（3DAP）分析显示Cr在Fe3B的软磁相被隔离，而Co在Pr2F314B的硬磁相具有更高的含量。     

Nd—Fe—B烧结磁体的晶闸相Nd—Fe—O及其对矫顽力的影响

用扫描电子显微镜，分析透射电子显微镜，扫描俄歇多探针，热磁分析，磁性测量处理等方法系统研究了富Ｎｄ的ＮｄｘＦｅ９３－ｘＢ７烧结磁体的晶间微结构和矫顽力。发现在磁体的晶间区域存在一种铁磁性的Ｎｄ－Ｆｅ－Ｏ稳定新相，组成为ＮｄＦｅ２Ｏｘ，居里温度为１４５℃。新相的形成是由于在磁体制备过程中引进相当量的氧以及氧在磁体晶间区域的偏集。     

超细Co/Cu纳米多层膜磁性研究

利用磁控溅射方法制备了纳米Co/Cu多层膜。利用扫描探针显微镜(SPM)观测了其表面形貌和磁畴结构,并通过振动样品磁强计(VSM)测量了磁性。结果表明,薄膜的微结构和磁性随非磁性层厚度的变化有着非常显著的变化。超细Co颗粒构造的多层膜样品,颗粒尺寸逐渐增大,磁畴尺寸先减小后增大,最后发生明显的聚集。磁性金属和非磁性金属的比例对多层膜之间的交换耦合相互作用有显著影响。平行膜面方向上的饱和场明显小于垂直膜面方向。当体积比约为1∶80时,平行膜面方向饱和场为95.9 kA/m,垂直方向饱和场为328.1 kA/m。此时两个方向上的饱和场、剩磁、矫顽力和磁滞损耗均为最小值。     

AlNiCo十次准晶中不同变体结构的HAADF研究

利用HAADF-STEM（高角环形暗场扫描透射电子显微术）对AlNiCo合金中热力学稳定的十次准晶（DQC）中的5种不同变体（b-Ni,b-Co、TypeⅠ、TypeⅡ、SI）以及具有五次对称的变体5f的结构进行了研究。     

Graphical aids to determine the external axial field of AlNiCo 5 cylinder magnets

A graph is presented for the determination of the external axial field distribution of AlNiCo 5 cylinder magnets.     

箔条和箔片的性能特性及其应用和趋势

从箔条和箔片用于干扰雷达测和扰乱、迷惑、转移或者引诱进攻出发,详细论述箔条、箔条云及箔片、箔片云的雷达散射截面、带度、平移速度、下降速度及转动等情况,空间和时间我、水平和垂直极化性能、多普勒频移效应以及频谱展宽特性等,通过箔条和箔片有效成火控雷达实例,提出对抗火控雷达的三个重要因素及其采取的对策。     

Engineering education and industrial research and development-thepromise and the reality

The author observes that the social fabric of engineering, the support infrastructure of the profession, and the political and economic systems of the world are undergoing shifts that affect what engineering is, how it is accomplished, and what it should do. He asks what these changes mean in terms of the educational system and explores a few of these issues that lie between academia and the industrial environment beyond. He discusses the engineering curriculum as seen from industry, the role of continuing education, research in academia     

业务识别与控制技术及其测试评估

在传统Intemet网络逐步向多业务网络演进的过程中,监管者、运营商以及最终用户都对网络的可管可控能力提出了差异化的要求,业务识别与控制技术应运而生.作为IP领域的一项热点技术,该技术得到了广泛的关注并取得了迅猛的发展.在考虑来自不同主体需求的基础上,介绍了业务识别与控制技术.此外,还结合技术发展以及网络部署等要求,着重分析了该技术的测试评估方法及测试内容.     

"电路原理"与"信号与系统"课程的整合与优化

科学技术迅速发展,新兴学料不断增加,知识总量不断增长,迫使本科教育不断向着基础化方向发展,基础课程教学在本科教育中的地位愈来愈高。计算机技术的广泛应用,离散信号与系统的基础知识已是电气类各专业的必要的教学内容。因此基础课程要从根本上整体优化课程结构。本文提出了电气类专业“电路原理”与“信号与系统”课程教学改革方案,将两门课程教学内容进行整合与优化,并在实际教学过程中进行了教学试验,缩短了教学时间,提高了教学质量。     

Thin film deposition and microelectronic and optoelectronic devicefabrication and characterization in monocrystalline alpha and betasilicon carbide

The deposition of silicon carbide thin films and the associated technologies of impurity incorporation, etching, surface chemistry, and electrical contacts for fabrication of solid-state devices capable of operation at temperatures to 925 K are addressed. The results of several research programs in the United States, Japan and the Soviet Union, and the remaining challenges related to the development of silicon carbide for microelectronics are presented and discussed. It is concluded that the combination of α-SiC on α-SiC appears especially viable for device fabrication. In addition, considerable progress in the understanding of the surface science, ohmic and Schottky contacts, and dry etching have recently been made. The combination of these advances has allowed continual improvement in Schottky diode p-n junction, MESFET, MOSFET, HBT, and LED devices     

Issues and trends in RF and mixed signal integration and partitioning

Over the last 40 years in the semiconductor industry, one of the most reliable truths has been that "thepath forward is through integration." Moore's law and its various derivatives and cousins have illustrated how greater integration has provided tremendous benefits in cost, power, size, and performance. While shrinking process lithography has been a critical enabler of this trend, we should remember that tremendous innovation in device technology, circuits, system architecture, computer aided design (CAD), packaging, and many other areas have been necessary as well. The exponential integration phenomenon has not been limited to memory and microprocessors: mixed signal and radio functions have also seen striking advances in integration over the last 20 years, from cell phones to wireless LANs, integrated "systemon-a-chip" (SOC) transceivers have become prevalent in the circuits conferences, journals, and - in some applications - have even made it into commercial mainstream products.     

日本广播电视天线及其相关技术的发展与探讨

在日本电视广播的发展过程中,电视信号技术、电视节目转播技术、发射机技术以及天线技术等发挥了不可替代的作用。这些技术在长达60多年的模拟电视广播中被大量的开发、使用,尤其是射频相关技术为日后地面数字电视广播的发展提供了重要参考。主要介绍了日本电视广播中该相关技术的发展,并进行了讨论。