Spiro发光双层结构有机电致发光器件

为了研究简单结构有机电致发光器件的发光性能,采用PEDOT∶PSS作为空穴输运层,Spiro作为电子输运层和发光层,以金属Ba覆盖以金属Al作阴极,制备双层结构有机电致发光器件,得到性能稳定的蓝色发光。测量器件的电流密度-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱,计算了器件的外量子效率。结果表明,器件电流以陷阱电荷限制电流为主,最大发光亮度为3544cd/m2,最大外量子效率达2.40%。     

Spiro发光双层结构有机电致发光器件

为了研究简单结构有机电致发光器件的发光性能,采用PEDOT：PSS作为空穴输运层,Spire作为电子输运层和发光层,以金属Ba覆盖以金属AI作阴极,制备双层结构有机电致发光器件,得到性能稳定的蓝色发光。测量器件的电流密度-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱,计算了器件的外量子效率。结果表明,器件电流以陷阱电荷限制电流为主,最大发光亮度为3544cd/m2,最大外量子效率达2．40％。     

高效率的白光有机电致发光器件

为了提高白光有机电致发光器件的发光效率和光谱稳定性,采用染料掺杂的方法,制备了多层结构白光有机电致发光器件。通过参数优化实现了非常好的白光发射,并表现出良好的光谱稳定性。器件的开启电压为5.1V,发光亮度达到10800cd／m^2,最大电流效率和功率效率分别是10.4cd／A和3.5lm／W。     

ITO/NPB/Alq_3/LiF/Al电致发光器件光电特性

针对有机电致发光器件发光效率低、稳定性差的问题,设计制备了ITO/NPB/Alq3/LiF/Al多层有机电致发光器件.测试了器件的电流电压特性、器件的亮度电压特性、器件的电致发光光谱.结果表明,当外加电压为16V时,器件的电流达到最大值21.70mA,器件的亮度达到了11 700cd/m2;当外加电压为14 V时,电致发光光谱波峰位于528 nm处,归一化强度最大值为0.522 1a.u.制备的器件电子注入能力、电流和亮度均得到了增强.     

基于MCzHQZn的有机电致发光器件

通过结构为ITO/2T-NATA(20nm/NPBx(20nm)/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(20nm/MCzHQZn(30nm)/NPBx(16nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED),证明了MCzHQZn既具有空穴传输特性,又具有较好的发光特性。MCzHQZn在器件1中作发光层,器件最大亮度在电压16V时达到3692cd/m2,电压13V时的最大效率为0.90cd/A,发光的峰值波长为564nm;MCzHQZn在器件2中既作发光层又作空穴传输层,器件最大亮度在电压为13V时达到1929cd/m2,电压12V时的最大效率为0.57cd/A,发光的峰值波长也为564nm;MCzHQZn在器件3中作空穴传输层,由NPBx作发光层,器件最大亮度在电压为14V时达到3556cd/m2,电压9V时的最大效率为1.08cd/A,...     

利用混合母体结构改善有机发光器件性能

研究了母体中磷光客体材料的浓度对红色有机发光器件内载流子传输性能的影响。采用(1-Phenylisoquinoline)iridium(III)为客体材料,使母、客体能级匹配,载流子同时通过母体和客体进行传输,从而制备了具有混合母体结构的红色磷光器件。当客体掺杂质量分数为4%,色度坐标为(0.67,0.33),亮度为100cd/cm2时,功率效率为9.3lm/W,外量子效率为14.3%。     

稀土铽三元有机配合物的合成与发光性能的研究

以2-氨基-4-氯苯甲酸(2-A-4-CBA)作为第一配体,1,10-邻菲罗啉(phen)作为第二配体,采用溶剂热法合成稀土铽离子(Tb~(3+))的三元有机配合物.通过元素分析、红外光谱及热重分析确定了配合物的化学结构,结果表明:配合物可表示为[Tb(2-A-4-CBA)phen(H_2O)4·H_2O],2-氨基-4-氯苯甲酸和1,10-邻菲罗啉均参与配位且配合物具有较高的热稳定性;通过紫外光谱、荧光光谱、色坐标研究配合物的发光性能,配合物发出较强的Tb3+的特征荧光,在369.6 nm激发下其最强发射峰在545.2 nm处,其色坐标落在黄绿光区域.     

使用AlQ的高效率红色有机电致发光器件

以8-羟基喹林铝(AlQ)为主体材料,通过4(Dicyanomethylen)-2-methyl-6-(P-dimethylaminostyryl)-4H-pyran (DCM)红色发光材料的掺杂,制备了AlQ:Rubrene:DCM体系的高效率、高亮度的红色电致发光器件。器件结构为ITO/N,N'-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N'-diphenyl]-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine (NPB)/AlQ:Rubrene (3%):DCM (3%)/AlQ/Mg:Ag/Al,亮度为4 330 cd/m2,色坐标为(0.51,0.44),最大流明效率为6.77 lm/W。     

具有双发光层双主体结构的高效稳定WOLED

采用双发光层双主体结构,制备了高效稳定的白光有机电致发光器件(WOLED)。其中蓝光层是TBADN:3 wt%DSA-Ph,红光层是[TBADN:Alq3]:1 wt%DCJTB,通过改变红光层中Alq3和TBADN的掺杂比来调节器件的发光效率和颜色。当[TBADN:Alq3]为75∶25时获得了效率最高、色度好和性能稳定的白光,在20 mA/cm2时器件的发光效率为6.27 cd/A,CIE色坐标为(0.364,0.348)。当电流密度为200 mA/cm2时,发光效率仍能保持在6.15 cd/A,色度坐标为(0.344,0.344)。由于在[TBADN:Alq3]双主体结构中,TBADN具有双极性,从而改善了器件中载流子的平衡及其在发光层中的分布,进而提高的器件的性能。     

基于R-4B掺杂的黄色OLED器件的制备及性能优化

通过引入新型红光材料R-4B和绿光材料Ir(ppy)2acac混合来实现黄光显示.器件结构为ITO/MoO3(40nm)/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:R-4B(x):Ir(ppy)2acac(8%)(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),其中x=1%、2%、3%,通过讨论掺杂浓度对器件性能的影响,得到如下结论:随着红光掺杂比例的增加,红光光强增加,发光颜色由绿色逐渐转变为黄色,但是器件整体的效率、亮度下降.当x=3%时,红光光强不再增加.综合考虑器件性能,发现当红光掺杂比例为2%时,黄色磷光OLED的性能相对最好,色坐标为(0.43 0.53),发光亮度可达4 000cd/m2,在电压为5V时,效率可达32cd/A.     

利用Ir(ppy)_3敏化CzHQZn提高OLED的性能

用CzHQZn作为受主,利用磷光敏化的方法制备了有机电致黄光和白光器件。黄光器件采用Ir(ppy)3掺杂4,4-N,N′-=咔唑基联苯(CBP),敏化新的黄光材料CzHQZn作为发光层,当发光层厚度为18nm时器件性能最好,最大发光效率为3.26cd/A(at10V),最大发光亮度为17560cd/m2(at10V);白光器件采用多发光层结构,结合ADN的蓝光复合发光,同时加入了电子阻挡层(NPBX)和空穴阻挡层(BCP),获得的白光器件最大发光效率为2.94cd/A(at8V),最大亮度为11089cd/m2(at13V)。     

基于TADF共掺杂的蓝光OLED器件性能研究

为提升蓝光OLED的发光性能,采用DPEPO和DMAC-DPS两种热活化延迟荧光(TADF)材料构成的主客体掺杂结构作为蓝光OLED器件的发光层,研究器件结构、客体掺杂浓度等因素对器件性能的影响。实验结果表明:采用MoO3薄膜作为空穴注入层有助于增强空穴注入和传输能力,进而提升器件性能。当DMAC-DPS掺杂浓度为30%时,器件性能是最优的,最大亮度为5650cd/m2,最大外量子效率(EQE)为8.63%。掺杂浓度进一步增大会导致器件性能的衰退,可能是因为高浓度导致的激子淬灭导致的。TADF有助于提升蓝光OLED器件的性能并有望应用于商业化的蓝光OLED器件中。     

含长链β-二酮环金属铂配合物的微波合成 及其电致发光器件性能

采用微波辐射法合成了一组含有长链β-二酮的环金属铂配合物,这类配合物结构式为Pt(C^N)(O^O),C^N表示环金属配体二苯基吡啶,O^O表示不同链长的辅助配体β-二酮。实验表明,与一般的合成方法比较,微波辐射法大大缩短了反应时间,将合成时间从32 h缩短到不足30 min。同时,将合成的化合物掺杂到PFO和PBD主体材料中做成了电致发光器件(OLEDs),研究了器件在不同掺杂浓度下的光电特征,研究表明当掺杂浓度为8%时,由化合物3制备的OLEDs的最大外量子效率达到1%。     

阴极材料对聚合物发光二极管特性的影响

报道了基于聚(9,9 二辛基芴 4,7 二噻基苯并二唑)(PDOF DBT,m(DOF):m(DBT)=85:15)的双层聚合物发光二极管(PLEDs)在使用碱金属、碱土金属和绝缘材料为阴极时表现的各种特性.当以厚度为3nm左右的Ba作为阴极时,器件表现出较好的性能:外量子效率为1.6%,最大的发光亮度接近4000cd m2.结果表明PDOF DBT与这种阴极的交界面具有较好的能级匹配以及电荷注入平衡.     

两种双(8-羟基喹啉)基配位聚合物的合成、单晶结构和荧光性能

合成一种双(8-羟基喹啉)类有机配体H2L,利用¹H-NMR、¹³C-NMR和ESI-MS对其结构进行表征;配体H₂L分别与Cd(Ⅱ)和Zn(Ⅱ)发生离子反应,得到两种金属配合物[Cd₄L3I2]·4DMF (1)和[Zn₂LI₂]·2DMSO (2);利用单晶X射线衍射(SXRD)、粉末X射线衍射(PXRD)和荧光光谱对两种金属配合物的精确结构和发光性能进行研究。结果表明：金属配合物1和2是链状配位聚合物,两种配合物具有不同的双核构建单元和链状排列结构,且皆有较好的晶相纯度;选择380 nm作为激发波长时,配合物1和2分别在580,568 nm处出现最大发射峰,与配体H2L相比,其发射峰发生明显的红移。     

锌金属配合物BFHQZn的白色有机电致发光器件

利用新型荧光染料2-溴-4-氟苯乙烯-8-羟基喹啉锌(BFHQZn,(E)-2-(2-bromo-4-fluorostyryl)quinolato-Zinc)的电致发光(EL)特性,制备了非掺杂型的有机电致白光器件(WOLED)。器件的结构为ITO/CuPc(10nm)/NPBX(25 nm)/BFHQZn(18 nm)/NPBX(xnm)/BCP(10 nm)/Alq3((47-x)nm)/LiF(0.5 nm)/Al,当x为12时,得到了色度最好和效率最大的WOLED,最大电流效率为1.11 cd/A(at 10 V),最大的亮度为817 cd/m2(at 15 V),当驱动电压从7 V(启亮)升高到15 V(最高亮度)时,器件色坐标由(0.32,038)改变为(0.30,0.28)。     

反转结构有机发光二极管的电子注入层研究

将薄层金属Al和含磷氧基团的有机材料DPSF依次蒸镀在ITO阴极上作为电子注入层,成功制备了具有反转结构的底发光有机发光二极管（IBOLED）。结果表明,Al/DPSF作为电子注入层可以有效降低ITO与发光层Alq3之间的注入势垒,大大降低了器件的工作电压,显著提高了器件的发光效率。反转器件的最大电流效率达到了4.9 cd A^-1,最大亮度为17000 cd m^-2,与正置器件的发光性能相当。     

ADN掺杂的高效率红光有机电致发光器件的制备

针对目前红光有机电致发光器件普遍存在效率低的缺点,以9,10-di-beta-naphthylanthracene(AND)为主体材料,利用真空蒸镀双掺杂的方法,制备了基于ADN的结构为ITO/N,N'-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N'-diphenyl]-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamineNPB/ADN:AIQ(20%):DCJTB(2%)/AlQ/Mg:Ag/Al的红光掺杂器件.测试结果表明该器件亮度可以达到3000cd/m2,EL光谱的峰值为598nm,色纯度CIE坐标为(0.59,0.41),最大流明效率为2.541m/W,比AIQ为单一主体材料的红光掺杂器件性能有很大的提高.     

有机电致发光器件的阴极研究

介绍了用Al/LiF双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED),研究了绝缘层LiF对电子注入所起的作用。实验发现,LiF的引入对电子注入起到了显著的促进作用,当LiF层取最佳厚度1nm时,器件发光亮度和效率得到了明显提高,达到了14700cd·m-2和3.117cd·A-1。此外还研究了不同厚度Al阴极对OLED器件性能的影响,实验表明,随着厚度的增加,外部量子效率和亮度先增加后减少,存在一个约为100nm的最佳厚度。     

一种新型8-羟基喹啉类镉配合物的合成和表征

以8-羟基喹哪啶为原料,通过三步反应设计合成双(8-羟基喹啉)类柔性配体H_2L,将柔性配体H_2L与Cd(Ⅱ)离子反应得到镉配合物[Cd_2(L)(NO_3)_4]。利用~1H-NMR、质谱、X射线单晶衍射和X射线粉末衍射表征配体和镉配合物的结构,利用LS 50B荧光光谱仪表征配体和镉配合物的荧光性能。结果表明:镉配合物是一种双核的分子型配合物,分子与分子之间存在丰富的超分子作用力,如π—π堆积作用和C—H…O氢键作用力;当激发波长为340 nm时,柔性配体H2L和镉配合物的最大发射波长分别为548,449 nm。