片式无源温度补偿衰减器——原理、设计、制作、应用及发展趋势

无源温度补偿衰减器主要用于稳定射频微波放大器的增益随温度的变化。本文对该类器件的原理、设计、制作、应用及发展趋势等各方面做了系统的介绍。相对于其他补偿方案,使用此类器件具有设计简单、成本低、性能优异等特点。无源温补衰减器的核心设计在于选取正温度系数(PTC)和负温度系数(NTC)热敏电阻的阻值及其温度系数,以使衰减量随温度接近线性变化而保持特征阻抗基本不变。目前,此类器件主要采用厚膜工艺制作,其关键材料为系列化的热敏电阻浆料。薄膜化是器件未来发展的重要方向,而其中NTC热敏电阻的薄膜化仍面临重大的技术挑战,需要解决材料性能及其系列化等难题。     

激光烧结厚膜正温度系数热敏电阻浆料的研究

采用激光烧结厚膜电子浆料技术,在三氧化二铝陶瓷基板上制备厚膜正温度系数(PTC)热敏电阻.研究了激光工艺参数以及后续热处理温度对PTC热敏电阻线宽、形貌和性能的影响规律.激光烧结制得的厚膜PTC热敏电阻最小线宽为40 μm,电阻温度系数(TCR)可达2965×10-6/℃,其性能与传统的炉中烧结相当.激光功率密度和后续热处理温度对PTC热敏电阻方阻和电阻温度系数影响较大,并都存在一个最佳值.     

广泛应用的负温度系数热敏电阻

你是否想过：婴儿取暖器、自动空调系统、光 纤路由器、自动调温浴盆等有什么相同之处？答案是它们都有一种关键部件：负温度系数热敏电阻。 热敏电阻是一种电阻值对温度敏感的电阻器件，在温度变化时，它的电阻值会按照预期的规律来变化。一般来说，它的电阻会随着温度的上升而减少。在某些用热敏电阻作为电路保护元件的应用中，会使用正温度系数的热敏电阻，但在温度控制、温度补偿等应用中，则是广泛地使用负温度系数热敏电阻。 负温度热敏电阻的特性 负温度系数热敏电阻的基础材料一般都是金属氧化物的混合物。热敏电阻的稳定性、电阻特…     

硅正电阻温度系数热敏电阻器

为获得一种在常温下具有正温特性的热敏电阻,采用硅单晶材料,利用其迁移率随温度变化的规律设计并制成了硅正电阻温度系数热敏电阻器。测量表明,其电阻值随温度升高而增大。温度系数为(0.6％～0.8％)℃~(-1),在-50～+100℃温度范围内具有准线性。硅正电阻温度系数热敏电阻器特别适合于各种半导体器件和传感器的温度补偿。     

电子百科

热敏电阻 热敏电阻是开发早、种类多、发展较成熟的敏感元器件,热敏电阻由半导体陶瓷材料组成,利用的原理是温度引起电阻变化。 热敏电阻包括正温度系数（PTC）和负温度系数（NTC）热敏电阻,以及I临界温度热敏电阻（CTR）。     

Mg和V2O5共溅射制备+4价钒的氧化物薄膜

在常温、高真空条件下,采用高纯金属镁靶和V₂O₅靶进行共溅射,利用镁原子的还原性,将+5价的钒还原为+4价,在硅衬底上制备钒的氧化物薄膜。当Mg和V的原子比为1:2时,XPS测试表明薄膜中有V4+和V2+存在。X射线衍射结果显示,制备的薄膜主要成分是MgV₂O₅,且结晶状况良好。温度-电阻率测试结果显示,薄膜在20℃附近有相变行为,电阻温度系数高达－8.6%/K,回线弛豫温度约为0.3℃,负温度系数热敏电阻材料常数高达6700。这一发现为制备非制冷焦平面探测用的热敏薄膜材料提供了新的思路。     

负温度系数热敏电阻浆料

将半导体金属氧化物与导电相、玻璃黏合剂混合，制成负温度系数热敏电阻浆料。试验证明，浆料中金属氧化物的组分、合成温度、导电相及玻璃相的组成会影响热敏电阻浆料的性能。     

“一种高B值负温度系数热敏电阻材料的制备方法”获发明专利

正由中科院新疆理化所技术研究所科研人员完成的"一种高B值负温度系数热敏电阻材料的制备方法"获国家发明专利授权(专利号:ZL 201210250492.0)。负温度系数热敏电阻是一种电阻值随温度的升高而减小的电子元件,热敏电阻具有灵敏度高、互换性好、受磁场影响小、可靠性高、响应时间短等优点,已被广泛应用在温度测量、温度控制和补偿等方面。     

CuO掺杂BFS基厚膜热敏电阻的研制

以固相法制备的BaFe1–xSnxO3(BFS)材料为功能相、BaBiO3为粘结相、CuO为掺杂剂,制备了新型BFS基厚膜热敏电阻浆料,并用此浆料制备了BFS基厚膜热敏电阻。借助SEM和ρ-t特性测试仪,研究了CuO掺杂量对所制电阻显微结构及电性能的影响。结果表明:随着CuO掺杂量的增加,BFS基厚膜热敏电阻的方阻逐渐降低,其B25/85值则先缓慢上升,接着迅速降低,而后又逐渐增加。当CuO质量分数为14%时,所得电阻样品性能较好且具有明显的NTC特性,其方阻、B25/85值及电阻温度系数αR分别为:2.8×105?·□–1,3285K和3.69×10–2℃–1。     

温度系数连续可调的带隙基准源电路设计

为了对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片的驱动电压进行温度补偿以改善TFT-LCD的性能,本文基于标准CMOS(3.3V)的chrt35rf 0.35$m工艺,设计了一款温度系数可连续调节的带隙基准电压源,其中包括核心电路、运算放大器电路和启动电路3个子模块。该电路使用MOS晶体管作为可变电阻,通过调节MOS栅极电压控制MOS漏源等效电阻的连续可变,进而改变电路中的电阻比值,实现带隙基准源的温度系数连续可调。使用Cadence的Spectre仿真器进行仿真,结果表明,在-25~125℃的工作温度范围内,带隙基准源电路的输出电压的正温度系数可连续调节范围为156.6~2 545.0ppm/℃,输出电压的负温度系数的连续变化范围为156.6~1 337.7ppm/℃,输出基准电压变化为0.95~2.67V,低频时基准电压的电源抑制比达到73.13dB。该电路实现了基准电压从负温度系数向正温度系数的连续可调节,且调节范围较大。