航空航天领域中有广泛应用前景的铁电薄膜

本文回顾了铁电薄膜材料及当前的几种主要制备技术。介绍了这种薄膜材料在非挥发性存储器 、表面波器件、显微定位及驱动器等方面的应用。特别指出了在军用飞机、导弹、卫星等飞行器上装载的计算系统，若应用铁电非挥发性存储器将显著提高计算系统的性能。     

铁电薄膜材料的性能,应用和发展前景

阐述了铁电薄膜材料的铁电、压电、热释电三个重要性质，和它们在微电子学和光电子学的应用，并展望了铁电薄膜未来发展前景。     

铁电薄膜的制备及应用技术研究

研究出具有特色的制备铁电薄膜的 sol-gel技术;制备出高质量、高可靠的 PLT、PZT、PYZT、BST”l、PbTiO3、BaTiO3、Bi4Ti3O12多晶铁电薄膜,PLT、PZT和伽里O3异质外延生长铁电薄膜;研制出铁电薄膜热释电单元红外传感器,8元、9元、1O元线列和8X8元阵列;研制出热释电火情探测器和热释电非接触式温度测试仪。     

铁电薄膜存储器在智能卡中的应用

描述铁电薄膜存储器在智能卡中的应用，并与半导体存储器比较。     

铁电薄膜材料及其相关问题研究进展

铁电薄膜材料是目前国际上研究的热点之一.综述了铁电薄膜及其制备技术研究的新进展,介绍铁电薄膜材料的性能及应用,并重点分析了铁电薄膜不同制备技术的优缺点,指出了目前关于铁电薄膜研究中的一些重要问题.     

多离子束反应共溅射技术及铁电薄膜制备与应用

随着现代信息科学与技术的迅速发展,多组元功能薄膜如高温超导薄膜、铁电薄膜、磁性薄膜等在微电子、光电子、光通讯、 信息存储等方面已经取得了应用,商业价值十分巨大。铁电薄膜具有优良的铁电、压电、电光、热释电、光折变及非线性光学等特性,可广泛用于微电子学、光电子学及其他高新技术领域。 考虑到制备多组元金属氧化物薄膜需精确控制各组元成分及离子束溅射成膜的特点,我们在国际上最先提出了发展多离     

铁电薄膜与集成铁电学

评述了铁电薄膜制备技术的发展现状及存在的问题，简介了铁电存储器、铁电薄膜红外探测器、光波导、微驱动器等集成铁电学器件的研制及对材料、工艺的要求，提出了集成铁电学发展中有待研究的一些问题。     

铁电薄膜应用研究进展

简要综述了铁电薄膜在铁电存储器、MEMS系统、微波器件、光电器件等几个方面的典型应用,并对国内铁电薄膜的研究及发展作了概述.     

铁电薄膜,一个十分活跃的研究领域

概述了重要的铁电薄膜材料及其应用,指示了不同应用中需要解决的关键技术,评价了新近发展起来的制备方法与后处理技术。     

铁电薄膜及铁电存储器的研究进展

铁电薄膜是具有铁电性且厚度尺寸为数纳米到数微米的薄膜材料,因其在非挥发性铁电随机存储器方面的潜在应用而受到广泛关注.综述了新型无铅、无疲劳Bi4Ti3O12(BIT)基铁电薄膜材料的制备和改性及性能表征方法,阐述了铁电薄膜的3种失效机制及铁电薄膜存储器的研究现状,最后提出了铁电薄膜及存储器今后可能的研究方向.     

铁电薄膜研究中的几个重要问题

近十多年来，铁电薄膜及集成铁电器件一直是材料科学工作者和电介质物理工作者关注和研究的热点之一。要使集成铁电器件得到更广泛的应用，还应针对铁电薄膜本身和铁电薄膜异质结构开展更深入的研究。本文针对铁电薄膜的疲劳、老化和电压漂移、电阻等特性退变，以及薄膜异质结构的表面和界面等问题，结合作者的研究工作。进行比较概括的分析，并提出一些解决问题的方法。     

大面积铁电薄膜的MOCVD制备及铁电存储器的研制

铁电薄膜材料具有优良的铁电、压电、热释电、电光及非线性光学等特性,特别与大规模集成电路相集成,研制各种集成铁电学器件,使得铁电薄膜材料越来越引人注目。已研制的器件有铁电存储器、热释电探测器、光波导、光调制器和微驱动器等,可广泛应用于微电子学、光电子学、集成光学、微机械学等领域。其中铁电存储器最具产业化前景。铁电存贮器具有下列突出的优点:(1)不挥发,断电后永久保存信息;(2)数据存取速度快,比EEPROM快4～5个数量级;(3)可重写次数达10~(10),比EEPROM     

铁电钛酸锶钡薄膜的最新研究进展

铁电钛酸锶钡(BaxSrl-xTiO3)是一种拥有十分优越铁电／介电性能的材料，在可调谐微波器件及动态存储器件方面具有很好的应用前景．本文概括介绍了BaxSr1-x-TiO3薄膜的研究意义、基本结构、制备方法、各种性能特征及其表征方法与应用展望，并对当前BaxSr1-xTiO3薄膜研究中的几个重要前沿问题进行了详细讨论．     

铁电薄膜及其在存储器件中的应用研究现状

概述了铁电薄膜在非易失存储器中的应用研究现状,将铁电存储器与其他类型存储器进行了比较,针对铁电薄膜在存储器中的应用,探讨了铁电薄膜制备工艺与半导体工艺兼容性、极化疲劳、尺寸效应等几方面的问题,指出了当前研究的重点.     

微弧氧化生成钛酸盐系铁电薄膜研究

为开发新的铁电薄膜制备工艺,需将Ti板微弧氧化.采用Ba(OH)2、Ba(CH3COO)2、BaCl2、Ba(OH)2+Ba(NO3)2及Pb(CH3COO)2对Ti板进行微弧氧化试验,并对生成的薄膜进行物相组成和显微形貌的分析.结果表明:Ti板在BaCl2、Pb(CH3COO)2及Ba(OH)2+Ba(NO3)2中不...     

原子层沉积技术及其在铁电薄膜制备中的应用

讲述原子层沉积技术原理与特点的同时,进一步论述了它在沉积机理和实验真空度这两方面与传统薄膜沉积工艺的异同;综述了此技术在铁电薄膜制备研究方面的最新进展,前驱体的制备与选择、薄膜缺陷的控制以及表面化学反应动力学依然是当前原子层制备铁电薄膜研究的重点;最后展望了原子层沉积技术制备铁电薄膜的发展方向.     

微弧氧化法及其在铁电薄膜制备中的应用

介绍了微弧氧化法的基本原理和工艺过程;综述了微弧氧化法制备铁电薄膜的发展历程及最新研究进展;讨论了目前微弧氧化制备铁电薄膜过程中存在的主要问题;提出了合理选择溶液体系和溶液浓度,研究工艺参数对薄膜表面形貌和铁电、介电性能的影响,提高薄膜表面质量是促进微弧氧化制备铁电薄膜技术发展的关键。     

铁电薄膜研究的一些新动向

从Ｙ１铁电薄膜材料、外延铁电薄膜、介电超晶格、铁电薄膜的制备工艺及原位检测几个方面介绍了铁电薄膜研究的一些新动向。     

纳米半导体薄膜制备技术

采用分类综述的方法，介绍了纳米半导体薄膜制备技术的研究进展，并对各种制备技术的特点进行了评价。     

喷雾热分解法制备MgO薄膜的研究

用简单的压缩空报喷雾热分法以醋酸镁为原料在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备了（１００）取向的ＭｇＯ薄膜。结果表明,为获得（１００）取向的ＭｇＯ薄膜,衬底温度和喷雾速率是关键因素。控制实验条件,在６００℃得到了（１００）取向的ＭｇＯ薄膜。同时,用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、原子力显微镜（ＡＦＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）对薄膜的微观结构进行了分析。