行波管可靠性失效率模型的研究

本文以行波管现场使用数据和失效模式为基础，根据可靠性理论对真空电子器件失效率或平均寿命考核可靠性指标的方法，参照美国军标ＭＩＬ－ＨＤＢＫ－２１７Ｅ，Ｆ，结合我国具体实际，对行波管失效率的数学模型，采用数理统计回归分析后，定一得出我国行波管可靠性的水平，并用现场数据对失效模型进行验证，提出我国行波管总体可靠性水平与美国之间的差距。     

真空电子器件工作和非工作可靠性的探讨

论述了几个军用真空电子器件在不同应用条件下的工作和非工作的可靠性情况 ,提出器件在非工作贮存期内的预计失效率模型 ,并讨论在长期非工作贮存期内出现的失效机理及定性得出存放寿命与时间相关的结论。     

集成电路制程可靠性介绍(一)

集成电路制程可靠性是通过特殊设计的电子器件结构来研究集成电路制程工艺相关的可靠性失效模式的物理模型、寿命评估方法,并针对主要失效机理提出对策措施、消除制程开发和生产阶段中的可靠性问题,从而保证集成电路在特定使     

行波管可靠性失效率模型的研究

本文以行波管现场使用数据和失效模式为基础，根据可靠性理论对真空电子器件失效率或平均寿命考核可靠性指标的方法，参照美国军标ＭＩＬ－ＨＤＢＫ－２１７Ｅ，Ｆ，结合我国具体实际，对行波管失效率的数学模型，采用数理统计回归分析后，定量得出我国行波管可靠性的水平，并用现场数据对失效率模型进行验证，提出我国行波管总体可靠性水平与美国之间的差距。     

加速试验中失效机理一致性的判别方法

通过对电子器件加速试验失效模型--Arrhenius模型的研究,发现加速试验过程中,失效机理不发生改变时,电子器件失效敏感参数的退化速率与施加应力的负倒数遵从指数关系,从而提出了一种加速试验失效机理一致性的判定方法.对样品3DG130进行了150～310℃的序进应力加速试验,快速得到了失效机理一致的应力范围,验证了该方法的可行性.     

集成电路制程可靠性介绍（一）

集成电路制程可靠性是通过特殊设计的电子器件结构来研究集成电路制程工艺相关的可靠性失效模式的物理模型、寿命评估方法,并针对主要失效机理提出对策措施、消除制程开发和生产阶段中的可靠性问题,从而保证集成电路在特定使用年限内的可靠性。表1从可靠性观点的角度,列出了和关键模块相关的失效模式。本文将对这些失效模式的物理图像、模型及重要现象作一简单介绍。     

整机所开展电子器件现场失效分析的意义

本文论述了在我国目前现有器件水平条件下,整机研究所根据实际需要,利用现有设备对整机可靠性影响较大的重点器件进行一些力所能及的现场失效分析的重要意义,金相学在电子器件失效分析中的应用.通过对3DK7、3DD102D、YS1000A1.Cμs、GVF等器件现场失效分析实例说明,不仅能解决我所科研生产中的一些实际问题,而且把这些现场失效资料反馈回有关元器件厂后也有利于提高元器件的质量.     

宽带放大器可靠性问题浅析

叙述了国产高频宽带放大器的质量和可靠性现状，详细介绍了这类产品的质量一致性检验、可靠性摸底试验和现场使用过程中出现的可靠性问题，用统计的方法得出了可靠性特征量，通过对失效样品的失效分析，总结出宽带放大器主要的失效模式和失效机理，并提出了消除和减少失效、提高宽带放大器可靠性的措施和建议。     

基于MEMS工艺的微机械失效分析研究进展

随着微电子机械系统(MEMS)消费市场的不断增长,微器件的可靠性问题将是未来数年MEMS研究面临的新挑战.针对国内外近年来在微机械失效方面的主要研究内容,综述了基于MEMS工艺微机械的主要失效形式、失效机理和失效预防措施的最新研究成果和主要研究方法,着重总结了微机械的断裂、疲劳、磨损、黏附和蠕变等失效形式,并分析了这些失效形式对微器件的功能和性能的影响以及对这些失效的预防措施,通过结构优化、器件设计和加工质量控制等措施可降低失效的发生,提高可靠性.最后总结了微机械失效分析中存在的主要问题和以后的发展方向,提出建立通用的失效预测模型、标准的可靠性测试方法是未来微机械失效分析的研究重点.     

可恢复退化下半导体激光器的可靠性研究

半导体激光器自诞生至今在技术和应用方面取得了飞跃的发展,作为精密度要求极高的光电子器件,其可靠性研究具有十分重要的现实意义.针对目前激光器可靠性研究存在的一些问题,首先,在对激光器的性能退化因素和规律进行深入分析后,综合考虑了半导体激光器在工作时性能退化存在可恢复的情况,建立了基于竞争失效理论的半导体激光器的可恢复退化...     

微波真空电子器件磁控管的失效率模型

以磁控管现场使用数据和失效模式为基础,根据真空电子器件失效率或平均寿命等可靠性指标的考核方法,对新版（ＧＪＢ２９９Ｂ）电子设备可靠性预计手册中的失效率模型与旧版（ＧＪＢ２９９Ａ）进行了验证对比。结果表明,新版比旧版更接近实际,而且其预计精度也有明显提高,新版所建立的失效率数学模型可以满足工程的实际要求。     

电子产品可靠性评价与物理模型应用探讨

该文以电子产品的故障为出发点,从集成电路-封装、集成电路-芯片、电路板(或线路板)、电子元件、系统和多系统的角度论述了不同任务环境下电子器件的故障机理特点。系统论述了故障模式、影响及危害性分析(FMECA)和故障模式、机理与影响分析(FMMEA)两种故障机理分析方法,同时结合低周疲劳、高周疲劳、裂纹萌生、反应论模型、芯片失效等失效机理对故障物理元模型进行分类讨论,对电子产品可靠性评价与物理模型应用进行了系统的探讨,为电子产品可靠性评价及失效物理评估模型的选取提供了依据。     

电子元器件失效模式影响分析技术

在元器件中进行失效模式影响分析(FMEA)技术研究和应用的基础上,论述了适合元器件的失效模式、机理影响分析(FMMEA)技术,在国内首次将FMMEA技术应用到元器件的基础上,研制了FMMEA技术分析软件,为元器件的研制和使用中控制或消除相关的失效模式及机理,提高产品质量和可靠性提供了一个新的方法和思路。     

集成电路封装用绝缘胶漏电失效分析

在电子元器件封装领域中,塑封器件正逐步替代气密性封装器件。目前工业级塑封器件已不能满足器件的高可靠性要求,工业级塑封器件在严酷的环境应力试验中经常出现失效。研究了工业级塑封器件在可靠性筛选试验中出现失效的问题,通过X射线观察和芯片切面分析等方法,查明了造成器件失效的原因,并提出了优化改进措施。     

微波器件的可靠性及失效分析

微波器件的可靠性直接影响整机系统的可靠性,失效分析工作可以显著提高微波器件的质量与可靠性,从而提高整机系统的质量与可靠性。同时,失效分析工作会带来很高的经济效益,对元器件的生产方和使用方都具有重要意义。微波器件失效的主要原因有两个方面:固有缺陷和使用不当,固有缺陷由生产方引起,使用不当主要由用户引起。微波器件可以分为微波分立器件、微波单片电路以及微波组件三大类,文章分别对三类微波器件的主要失效模式和失效机理做了较为全面的分析和概括。     

IC长贮存寿命评价方法

高可靠长寿命产品在军事、航空航天、电子工业、通信等领域应用越来越广泛,如何保障其可靠性与预测其寿命是值得深入研究的重要问题。越来越多的单位,特别是航空航天系统的单位,对其选用的产品提出了具有32年贮存寿命要求的高可靠性指标。长寿命及超长寿命的电子元器件的贮存寿命评价是以加速试验为评价方法的。建立准确的失效机理及模型是评价正确与否的关键。文章通过收集大量高温贮存及常温贮存的实测数据,建立失效模型,推算出应力条件及相应的加速因子。文中实践证明,通过模型仿真出的贮存寿命具有高的可信度。     

Investigation for Arcing Phenomenon in High Power MW/MMW Tubes

The arcing phenomenon in high voltage is one of the main failure modes for high power microwave and millimeter wave (MW/MMW) tubes. According operating principle of vacuum electronic devices, the factors of leading the arcing are discussed and the approaches for eliminating the arcing phenomenon are given in this paper. The theoretical and designing foundation raising the reliability for MW/MMW tubes are provided.     

真空电子显示器件（CRT）可靠性评价方法的应用研究

本文首次采用真空电子显示器件（ＣＲＴ）在各个生产工艺及使用主要原材料的可靠性数据，根据这类器件的失效模式和可靠性理论，运用数理统计、多元回归的分析方法，得出评价此类器件固有可靠性的数学模型，找出影响ＣＲＴ基本失效率与排气、阴极、电子枪等三个关键变量之间关系的结论，并对表征ＣＲＴ可靠性水平的数学模型和模型验证进行讨论。这是目前对真空电子器件只能用常规寿命试验才能进行可靠性评价之外的另一途径的尝试和探     

降低半导体器件失效率的有效措施

要提高电子产品的可靠性水平,必须加强对元器件的质量管理。本文系统地介绍了采用优选生产厂家、高温贮存、功率老化、质量信息反馈、改善检测手段等方法来降低半导体器件的失效率,提高整机的可靠性。实践证明,这些措施简单有效。