衬底温度和氧分压对ZAO薄膜结构 及光学性能的影响

采用直流磁控溅射技术,以氧化锌铝陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上制备了ZnO∶Al(ZAO)薄膜,研究了不同工艺参数对薄膜晶体结构及光学性质的影响.实验结果表明:ZAO薄膜具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长,衬底温度和氧分压对薄膜的结构和光学性能有重大影响.在衬底温度为200 ℃、氧氩分压比为1%时,薄膜结晶性能最好,平均透射率可达86.5%.     

退火温度对TiO2及Nb掺杂TiO2薄膜的影响

采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备了均匀透明的TiO2薄膜和掺Nb的TiO2薄膜,利用XRD,UV-VIS等手段,研究了退火温度对薄膜的结构、紫外-可见光区透射率、光学禁带宽度等性质的影响,并分析了掺杂Nb对TiO2薄膜晶体结构和光学性能的影响。实验结果表明:退火温度越高,薄膜生长取向越好,晶粒尺寸越大,光透过率越低;掺杂Nb后,能明显改善其结晶与生长,并降低其晶粒尺寸,透射率光谱吸收边缘产生蓝移现象。     

不同掺Al3+浓度的ZnO:Al薄膜性能研究

采用溶胶-凝胶法制备ZnO:Al (ZAO)薄膜,得到了不同掺Al3+浓度的ZAO薄膜;利用X射线衍射仪分析、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计及四探针法等仪器与方法对其性能进行了测试。通过分析比较,得出所制备的ZAO薄膜为多晶纤锌矿结构,薄膜表面平整、晶粒致密均匀;Al3+掺杂能提高其导电性能:低掺杂时,薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过80%,并伴有蓝移现象产生;高掺杂时,其透过率无明显增加,但蓝移现象加剧,最大蓝移量达340 nm。     

掺杂与热处理对VO_2膜的微观结构及可见光透过率的影响

采用溶胶凝胶法制备了钨掺杂和不掺杂的二氧化钒薄膜,研究了不同退火温度、退火时间对薄膜微观结构的影响,以及不同掺杂量的钨离子对薄膜可见光透过率的影响。XRD结果表明:薄膜样品为VO_2(M)相结构;SEM结果分析表明:薄膜晶粒尺寸大小和间距随退火温度的升高、退火时间的增加而变大;UV-vis测试结果表明:与未掺杂氧化钒薄膜相比,W离子掺杂有利于提高VO_2薄膜可见光的透过率,在400nm处透过率从47%增加到67%,在VO_2薄膜表面涂覆SiO_2膜,该涂层可以提高可见光的透过率(在600 nm附近提高3%)。     

退火工艺对Nd掺杂Ca0．4Sr0．6Bi4Ti4O15薄膜的性能影响

利用Sol-Gel法、快速退火工艺在Pt(100)/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了Nd掺杂的Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15(C0.4S0.6NT)铁电薄膜.分别研究了退火工艺中热解温度、退火温度对C0.4S0.6NT薄膜取向及铁电性能的影响,并探讨了C0.4S0.6NT薄膜取向生长的微观机制.XRD衍射分析表明:350℃热分解温度得到的薄膜I(200)/I(119)达到最大;退火温度达到700℃,薄膜中的Bi2Ti2O7相全部转化成铋层状钙钛矿相;P-E电学性能测试显示:退火温度高有助于提高薄膜的剩余极化(Pr);350℃热分解温度,750℃退火温度得到高(200)取向的薄膜,铁电性能较好,Pr 和Ec分别为14.2μC/cm2和84.5kV/cm.     

RF反应溅射制备SnO2膜及退火效应影响

采用射频反应溅射技术 ,分别在Si单晶及 70 5 9玻璃基片上沉积SnO2 薄膜。X射线衍射测量结果表明 ,主要结构为非晶态。对样品进行了退火处理 ,发现随着退火温度的升高 ,各衍射变高变锐 ,结晶度提高 ,薄膜逐步过渡到多晶态的结构 ,高于一定的退火温度时薄膜呈现四方金红石结构 ,并具备 (10 1)方向的取向特征。研究了退火条件与薄膜结构的关系 ,初步讨论了薄膜择优取向的机制     

铝模板诱导玻璃的光学及润湿性能

为了提高玻璃的透过率,减小其接触角,采用铝诱导方法,用磁控溅射仪在玻璃表面制备铝膜,铝膜经不同温度退火成为铝颗粒,铝颗粒与玻璃反应,脱除氧化铝和残余铝后制得陷光结构.借助SEM、紫外-可见分光光度计、接触角仪等,研究了铝薄膜退火温度对玻璃表面陷光结构、光学性能、润湿性能的影响.结果表明:通过调整铝薄膜的退火温度,制备了不同的陷光结构,150℃退火样品在480~680 nm波长内透过率达到94%,200℃退火样品的表面接触角减小为8.6°.     

ZnO薄膜的制备及其Al掺杂工艺的初步探讨

采用MF-PECVD法制备ZnO和高透射率的ZAO薄膜,分析了影响ZnO和ZAO薄膜质量的因素。研究了透射率与衬底温度、沉积时间、锌源浓度以及A l杂质含量之间的关系,讨论了工艺参数对薄膜透射率、颜色、均匀度、附着力、成膜速率及其晶型的影响,给出了制备ZnO和ZAO薄膜的优化条件。     

透明导电薄膜氧化锌铝的研究进展

综述透明导电薄膜氧化锌铝（ZAO）的晶体结构及其光学、电学性质与其结构的关系。总结近年来对柔性衬底材料处理的方法。介绍ZAO薄膜在各种领域中的应用前景,并提出了研究中需要解决的问题。     

金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究

采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜，然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火，成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法，研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程实验结果表明，铝膜厚度较厚的样品在500℃下退火1h晶化为较好的多晶硅薄膜，而铝膜较薄的样品热处理后仍为非晶硅薄膜。     

Al掺杂对ZnO薄膜结构和光学性能的影响

研究了Al掺杂对采用直流磁控溅射方法制备的ZnO薄膜结构及光学性能的影响。X射线衍射结果揭示薄膜具有良好的C轴择优取向生长特性,同时,衬底温度对它们的透射谱和荧光谱有着明显影响,所有薄膜都有大于86%的可见光透过率和陡峭的本征吸收边,但ZAO薄膜的光学透过率略低。Al掺杂导致了更宽的光学带隙,光致发光光谱显示ZnO具有较强的近带本征吸收峰和深能级发射峰,但Al掺杂使得深能级发射峰降低。随着衬底温度的升高,近带边吸收峰蓝移,与光学带隙Eg变化趋势一致。     

氧气分压对磁控溅射法制备ZAO膜的影响

利用直流磁控溅射技术在无机玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜。研究了溅射过程中氧气分压对ZAO薄膜的结构和光电特性的影响，结果表明：当氧气分压为0Pa时，薄膜结晶度良好，具有最小电阻率和较高的可见光透过率。     

退火条件对ZnO薄膜结构和光学性能的影响

采用溶胶-凝胶法在单晶硅Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,研究了退火温度对ZnO结构和光学性能的影响。实验发现,退火可以明显地改善ZnO薄膜的结构和光学性能。随着退火温度的升高,ZnO薄膜的晶粒增大,同时在室温下观察到明显的紫外发光现象,其紫外PL谱峰值变强,并有红移现象。     

Preparation of ZAO film by low-temperature hydrothermal approach and its electrical property

Al-doped ZnO (ZAO) films were successfully deposited on the surface of common glasses by using low-temperature hydrothermal approach. In the reaction solution, the molar ratio of Al3+ to Zn2+ was 1∶100, the annealing temperature and time were 200 ℃ and 2-6 h, respectively. The structure of the thin films was identified by X-ray diffraction (XRD), the surface morphology and thickness of the thin films were observed by scanning electron microscopy (SEM), and the electrical performance of the thin films was measured by four-point probes. It was shown that the films with an average particle size of 27.53 nm had a preferential orientation along (002), Al3+ had replaced the position of Zn2+ in the lattice without forming the Al2O3 phase and its thickness was 20-25 μm. With the increased annealing time, the intensity of diffraction peaks was decreased, the film exhibited irregular surface morphology gradually, and the resistivity of ZAO films was increased. The lowest resistivity obtained in this study was 3.45×10-5Ω·cm.     

甩胶法制备ITO薄膜及性能研究

采用溶胶凝胶并通过甩胶制备薄膜方法制备了ITO薄膜。以转速、甩胶时间、干燥温度和退火温度为参数进行正交试验,确定了甩胶法制备ITO薄膜的最优化条件,并对最优化条件下制备的薄膜进行了电学性能、光学性能和形貌分析。结果表明:该透明导电薄膜具有良好的导电性能及透光性能,其表面方阻为13Ω/□,可见光透过率达到了96%。     

ZnO：Al透明导电膜制备工艺及其性能的研究

采用溶胶-凝胶法在载波片上制备了Al^3＋掺杂型ZnO薄膜．所用溶胶以乙二醇甲醚为溶剂,醋酸锌为前躯物,乙二醇胺为稳定剂经反应制得;用甩膜法在基片上甩膜,经热处理后在玻璃基片制备出掺铝ZnO薄膜;利用X射线分析仪、分光光度计、四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究．     

液位沉降法制备ITO薄膜及其光电性能研究

采用自制的液位沉降制备薄膜装置在普通玻璃衬底上沉积了ITO薄膜,并对实验条件进行正交设计以考察制备ITO薄膜的最优条件。结果表明,采用液位沉降法成功地制备出ITO薄膜。该装置结构简单、操作方便。影响ITO薄膜光电性能的主要因素是镀膜层数,在进行的实验中,制备ITO薄膜的优化条件为:注射回抽速度为2.5cm/min,膜层数为20层,装置倾斜角度为30°,在300℃下预处理5min,500℃下退火处理2h,得到的薄膜的透光率为88.3%,方块电阻为970Ω/□。     

Fabrication and properties of ZAO powder, sputtering target materials and the related films

Aluminum-doped zinc oxide （ZnO：Al）, abbreviated as ZAO, is a novel and widely used transparent conductive material. The ZAO powder was synthesized by chemical coprecipitation. The ZAO ceramic sputtering target materials were fabricated by sintering in air, and ZAO transparent conductive films were prepared by RF magnetron sputtering on glass substrates. XRD proved that such films had an orientation of （002） crystal panel paralleled to the surface of the glass substrate. The average transmittance of the films in the visible region exceeded 80%.