量子效应和小型化对隧穿晶体管特性的影响

基于二维器件仿真工具,研究了量子效应和小型化对双栅隧穿场效应晶体管的特性和可靠性的影响.隧穿晶体管中的量子效应除了带间隧穿,还包括量子统计效应和垂直沟道方向的量子限制效应.研究表明,量子统计效应和量子限制效应对隧穿晶体管的电流电压特性,特别是正偏压温度不稳定性(PBTI)是非常重要的.另外,随着沟道长度和体硅厚度的缩小,隧穿晶体管的电流电压特性和可靠性都得到了改善,但在保持相同等效氧化层厚度的情况下,使用高介电常数的栅介质不会改善器件的电流电压特性及可靠性.     

量子计算机与量子互联网

计算机由电子管计算机发展到晶体管计算机,再由晶体管计算机走向更高层次的量子计算机;互联网由电联网发展到光联网,再由光联网走向更高层次的量子联网。文章通过量子力学原理和量子“缠结”理论描述了量子计算机与量子互联网的概念,并介绍了量子计算机与量子互联网的研究情况。     

用分子束外延生长高质量p-Ge/N-GaAs异质结

<正>Ge具有较高的空穴迁移率和较小的禁带宽度,并能进行重掺杂,且Ge与GaAs之间有非常好的晶格匹配.这些优点可应用于空穴调制掺杂结构、GaAs-Ge量子限制结构、光晶体管和异质结双极晶体管.     

具有高跨导和高峰值饱和漏电流的FET

<正> 据报导,美国桑迪亚国立实验室已研制成一种新的多应变量子阱场效应晶体管。这种晶体管是具有两个平行的10nm量子阱的GaAs/In_(0.2)Ga_(0.8)As结构,用Be从顶部和底部进行调制掺杂。晶体管的栅为1×150μm~2Ti/Au、     

纳米结构的制备及其应用

介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线、量子点的工艺方法;采用这种工 艺在P型SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功地制造出一种单电子晶体管.     

HPT型Ge量子点红外探测器

异质结光敏晶体管(HPT)是一种具有内部电流增益的光电探测器,且与异质结双极晶体管(HBT)的制作工艺完全兼容.利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)方法在HBT晶体管的基区和集电区间加入多层Ge量子点材料作为光吸收区.TEM和DCXRD测试结果表明,生长的多层Ge量子点材料具有良好的晶体质量.为了提高HPT的发射...     

量子限制器件

叙述了量子阱、量子点、调谐隧穿二极管、单极隧穿晶体管和双极隧穿晶体管的结构框图、电学原理和工艺途径。     

量子限制器件

叙述了量子阱，量子点，调谐隧穿二极管，单极隧穿晶体管和双极隧穿晶体管的结构框图，电学原理和工艺途径。     

采用量子效应晶体管的单片集成电路

<正>据日本《日经电子学》杂志1990年第491期报道,日本富士通公司已研制成采用量子效应晶体管的单片集成电路.与现在的IC相比,实现同一功能,可减少所需的晶体管数目.富士通现试制闩电路,并已能够工作.工作温度约为77K,动态特性未测量.试制电路采用5个     

谐振隧道热电子晶体管(RHET)

<正> 日本富士通公司采用超晶格技术研制成谐振隧道热电子晶体管(Resonant Tunneling Hot Electron Transistor)。谐振隧道热电子晶体管是根据AlGaAs和GaAs超晶格构成的量子阱能起热电子晶体管发射极势垒效应的特点而制成的。这种晶体管是由分子束外延技术制成,由18层50     

量子干涉晶体管

量子干涉晶体管据《学会志》１９９３年第３期报道，日本ＮＴＴ公司已制成可控制的电子波动量子干涉晶体管。其特点是：有一层突起电子通道的Ｔ形电子渡越层，在栅电极上加电压，突起部分控制返回电子形成量子干涉工作晶体管，具有开、关性能。在－２７３℃的低温实验中，...     

量子器件与量子信息技术

从信息社会的发展分析提出了量子器件及量子信息技术产生和发展的必然性,介绍了谐振隧穿器件、单电子器件、电子波导晶体管等纳米电子器件及其特点,对量子激光器和量子信息技术及其性能作了简要介绍,并给出了应用前景.     

纳米电子科技的新亮点——量子点器件简介

<正> 纳米电子科技的新亮点——量子点电子器件,是集成电路(IC)技术发展的必然结果。 1.量子点器件产生的背景 近30年来,IC技术飞速发展的基础来自电路功能器件——金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)特征尺寸(栅长或沟道长度)的不断缩小。通过特征尺     

GaAs基单电子晶体管低温探测THz光子的研究

低温条件下具有肖特基围栅结构的GaAs基单电子晶体管可重复探测到THz光子的光电流响应.实验表明,2.54THz的CH3OH气体激光垂直入射到单电子晶体管的量子点上,在随栅压变化的源漏共振电流峰附近,产生附加电流峰.通过这两个峰位的栅压间距可以估算出THz光子的能量.这表明附加电流峰是由THz光子辅助电子隧穿产生的.实验和理论都表明,单电子晶体管量子点尺寸的减小有利于THz光电流信号的增强.     

GaAs基单电子晶体管低温探测THz光子的研究

低温条件下具有肖特基围栅结构的GaAs基单电子晶体管可重复探测到THz光子的光电流响应.实验表明,2.54THz的CH3OH气体激光垂直入射到单电子晶体管的量子点上,在随栅压变化的源漏共振电流峰附近,产生附加电流峰.通过这两个峰位的栅压间距可以估算出THz光子的能量.这表明附加电流峰是由THz光子辅助电子隧穿产生的.实验和理论都表明,单电子晶体管量子点尺寸的减小有利于THz光电流信号的增强.     

量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管 有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题

<正>据美国物理学家组织网3月27日(北京时间)报道,美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示,他们借用量子隧穿效应,研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管(TFET)。最新     

世界固体电子新闻

世界固体电子新闻第二代量子效应晶体管据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９４年第４期报道，日本富士通公司制成具有逻辑、记忆功能的第二代量子效应晶体管，多发射极一共振热电子晶体管（ＭＥ－ＲＨＥＴ）（如附图）。ＲＨＥＴ是１９８５年由该公司研制成...     

半导体量子器件

概述了半导体量子微结构中的量子效应，并介绍了谐振隧道器件。评述了新的量子微结构，如单电子隧道器件，电子波衍射晶体管和量子线量子箱激光器的开发，还了量子微结构的尺寸要求和研究课题。     

基于量子流体动力学模型的半导体器件模拟

基于量子流体动力学模型,自主编制程序开发了半导体器件仿真软件.其中包括快速、准确数值离散方法和准确的物理模型.基于对同一个si双极晶体管的模拟,与商用软件有近似的仿真结果.表明量子流体动力学模型具有可行性,同时也表明数值算法和物理模型的正确性.     

半导体量子器件

概述了半导体量子微结构中的量子效应，并介绍了谐振隧道器件，评述了新的量子微结构，如单电子隧道器件，电子波衍射晶体管和量子线量子箱激光器的开发，还讨论了量子微结构的尺寸要求和研究课题。