PIC16C5X系列单片机原理,应用及开发（3）

PIC16CSX单片机的电路系统很简单,除了两个时钟振荡引脚和RTCC及MCLR输入脚外,其它就是I/O的引脚,这些引脚,不但具有CMOS高输出电平(V_(OH)=V_(cc)-0.7,V_(OL)=0.6V)的特性,而且还有大电流输出L_(OL)=12mA,I_(OH)=-5mA),可以很容易和外接元件配合.RTCC脚可根据需要接外面的时钟信号,供内部     

对《金星牌整流/充电器的改进》一文的意见

《电子制作》96年第10期关于《金星牌整流/交电器的改进》中,有一段话为:“该电路工作时,发光二极管发光,取下电池发光二极管熄灭”。我认为只要接通电源,无论电池是否取下,发光二极管LED都不会熄灭。按其改后图2可看出,R1(2k)一方面为三极管9013提供基极电流,使其导通;另一方面为发光二极管LED限流供电。若仍用原12V变压器,R1(2k)限流后,流过LED处电流I=U/R,即I_(LED)=12V/2k=6mA,电压:U=IR_(LED)=6×0.4=2.4V(算出R_(LED)≈0.4k),完全可以不受任何影响而正常发光。所以原文这段话是不正确的。     

本期考考你题目

问题一放大电路工作点测量有共射放大电路如图所示,工作点已调好为1mA。用指针式(如500型)三用表低量程档测量其基极、发射极对地电压得V_e=0.2V、V_b=0.56V。这时其V_(be)=V_b-V_e=0.36V,对硅三极管(9013)而言应处于截止状态(导通状态V_(be)起码应大于0.5V);但量出V_e=0.2V又说明有1mA工作点电流流过R4、证明晶体     

铃流信号简易不得

贵刊96年第9期刊出的《简易维修电话用电源》一文中用36V、50Hz的交流信号代替交换机输出90V_(P-P)、25Hz的铃流信号,我认为欠妥。36V交流信号,峰—峰值为2~(1/2)×36≈51V_(P-P)加在正常电话二端确有振铃声,但在维修实践中常因电话内部绝缘性能差引起故障,表现为铃流到来时振铃只响一声或来不及振铃就被击穿(如HA868(Ⅲ)P/TD电话进线端电路板或免提开关SW1绝缘性能差等)。本人曾使用电话检修仪检修此类故障,发现用检修仪测试振铃正常,但一接到市话线上就出现故障。用示波器观察检修仪的铃流电压仅65V_(P-P),可见     

一体化红外接收头简介

现在的红外接收器都采用一体化红外接收头。它将红外接收管(光电二极管)、放大器、滤波器及解调器集成在个硅片上,不仅尺寸小、无需外部元件,并且具有抗光电干扰性能好(无需外加磁屏蔽及滤光片)、并有接收角度宽等特点。目前市售的一体化红外接收头有两种封装,其引脚排列不同,SFH506-38红外接收头如图1所示。有圆弧面的受光面,工作电压V_(CC)为5V,接收角度△Q=±55。静态电流I_(CC)=0.5mA,工作频率f_o=38kHz。     

Sidac双向触发器件可用作延长白炽灯寿命

当施加到Sidac两端的电压低于关断电压V_(DRM)时,几乎没有电流通过。当外加电压增加到其击穿电压V_(BO)后,器件则呈现负阻特性,进入低阻开通状态。一旦Sidac导通,两端电压降V_(TM)很小,一般不大于3V,有的仅约1V。只要通过Sidac的电流降低到其维特电流I_(H)(一般为50mA)以下,器件则由导通跃变到阻断状态。根据Sidac伏安特性,人们在许多电路中利用Sidac作为触发和开关元件,例如高压钠灯和金属卤化物灯启动器、氙灯闪光器电路、可控硅控制极触发电路、高压稳     

(0,mf-m+1)图的正交(0,f)因子分解

设G是一个图,f是定义在V(G)上的整数值函数,且对坌x∈V(G),有2k≤f(x),设H1,H2,…,Hk是G的k个顶点不相交的子图,且|E(Hi)|=m,1≤i≤k,证明了每个(0,mf-m+1)图有一个(0,f)因子分解正交于Hi(i=1,2,…,k)。     

2001年第1期问题解答

该电路为射极耦合互补多谐振荡器(可参见《电子制作》2000年第7期《互补管振荡器原理与应用》),能在一节电池供电时,使发光二极管点亮并闪烁。其工作原理如下: 刚通电时,C两端无电压(其电压不能突变),VT1的e极电压为R4、R5的分压,即V_(E1)=V_(CC)R4/(R4 R5)=0.75V。而VT1的基极电压是R1、R2的分压:V_(B1)=V_(CC)R2/(R1 R2)=1V,可得VT1发射     

一种新型的交流源铃流发生器

<正> 邮电系统一直采用频率为25Hz,电压在(70～90)V之间的交流电源作为振铃讯号源。过去常采用逆变器的方法来解决振铃讯号源问题,即将直流电源通过复杂的振荡电路转变为频率为25Hz的交流电源来满足铃流源的需要。现介绍一种直接用220V交流电源,     

简易逻辑笔

在检修微机、仪器仪表的数字电路时,常需判断其逻辑状态。常用的CMOS电路,它的低电平近似等于Vss(电源电压负端),高电平近似等于V_(DD)(电源电压正端),一般不超过18V。根据上述参数,设计了该逻辑笔,其原理如附图。元件选择 R1为100k;R2、3为510Ω;LED为红绿发光二极管;CD4011为数字集成电路。工作电路当供电电压为5V,输入为低电平,Usr≤3.8V(实测)时,经C、A二次反相为低电平,D输出高电平,则绿LED发光。当输入     

本质非线性系统的线性化自适应滤波方法

1 引言我们知道,针对线性离散模型:X_(k-1)=φ_(k+1),_kX_k+Γ_(k+1),_kU_k+W_k Z_k=H_kX_k+V_k如作下列假设:E[W_k]=q_k,E[W_kW_i~T]=Q_k δ_(k,i),Q_k≥0E[V_k)=γ_k,E[V_kV~T_i]=R_k δ_(k,i),R_k>0{V_k}、{W_k}、{X_0}互不相关δ_(k,i)为 Kroneker δ-函数,满足下列关系:     

由钟表集成电路组成的秒信号发生器

<正> 为石英钟设计的集成电路5G5544和IC7071,可获得高精确度的秒信号。这两种集成电路都采用低压CMOS工艺,由1.5V干电池供电,功耗极微,电池能用一年以上。其输出端可驱动石英钟的步进电机。输出的秒信号幅度较低,约1.5V,若与CMOS数字电路匹配,应加一级电平转换器(即电压放大器)。 1.5G5544时钟集成电路上无元件五厂生产的5G5544,电源电压范围是1.2～2V,典型值为1.5V。工作电流I_(DD)=2.0μA(典型值),频率稳定度高达0.5ppm(即千万分之五),连续计时的年误差一般不超过30秒/年。实用电路如图1所示。只需外接一个32768Hz石英晶体和一只微调电容即可。     

低功耗带隙基准电压源电路设计

文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18μm的标准CMOS工艺,华大九天Aether软件验证平台进行仿真。仿真结果表明,在tt工艺角下电路的启动时间为6.64μs,稳定输出的基准电压V_(ref)为567 m V;当温度在-40℃~125℃范围内时,tt工艺角下基准电压V_(ref)的温度系数TC为18.8 ppm/℃;电源电压在1.2 V~1.8 V范围内时,tt工艺角下基准电压V_(ref)的线性度为2 620 ppm/V;在10 Hz~1 k Hz带宽范围内,tt工艺角下基准电压V_(ref)的电源抑制比(PSRR)为51 d B;版图核心面积为0.001 95 mm~2。     

用光耦制作双掷开关

许多家庭的浴室安装了热水器,如电热式、煤气式等。如果热水器到浴室的距离较远,管路较长,那么如何即时知道冷热水混合后的温度是否合乎自己的要求呢?本文介绍的水温告知器可以解决这一问题。该水温告知器具有工作稳定,结构简单,应用面广等特点,特别适合青少年朋友及初学者制作。一、电路的工作原理水温告知器的整机电路如图所示。当RP的阻值与R1相等时,由于R1、R2、VD1组成的并串联电路与RP、VD2、R3组成的并串联电路的分压作用,VT1的基极b电压约为3.2V,e极电压约为3.8V,三极管VT1截止,发光二极管VD3不亮(因为发光二极管的压降为1.8V)。此时VT2的b极电     

小巧实用的调频立体声发射MEC001

本文介绍的调频立体声发射模块MEC001具有体积小巧,功能完善等特点。其工作频率落在调频广播频段(88-108MHz),工作电压低(1-3V),耗电省,使用时只需外接极少的元件便可正常工作。该模块的最大工作电压Vcc= 3.6V。工作电压为 1.5V时发射功率约为 7.5mW(T_A=25℃),主要电参数如附表所示。外形尺寸及引脚排布如图1所示。附表 BA1404电参数(Vcc=1.25V,T_A=25℃)     

自制大功率闪烁指示灯

闪烁灯可广泛用于交通、工矿等领域的报警指示。笔者利用BTS系列闪烁二极管加上少量元器件构成实用的大功率闪烁指示电路,如图1,电路极其简单可靠,无需调试,指示灯闪烁频率为2-5Hz,并可在较宽的电压(100-250V)范围内使用。其电路原理为:220V电源经二极管VD整流,R1、R2分压,再通过电容C滤波,为BTS二极管提供工作电压。BTS二极管开始按2-5Hz频率闪烁,并触发单相可控硅SCR,使可控硅的导通、截止与BTS的闪烁同步,从而使串连在可控硅回路中的灯泡闪烁发光。电路制作中的二极管VD用1N4007,C为100μf/16V,R1为150K,R2为33K,R3为10K,R4为1K,均用1/8W电阻,SCR用1A/400V的单相可控硅,灯泡可用15-60W的,该电     

微封装功率MOSFET应用连载（七）——低电压直流固态继电器电路（下）

实验电路实验电路1(图5) Vcc=5V、V_(∞N)为高电平时约5V。负载电流I_L为0.9A(用5Ω/5W电阻作负载),用1kΩ串接LED作负载通断指示。根据Vcc及I_L的大小,光耦可选择4N25,功率MOSFET 选择单P管S9430。     

用Alter CPLD实现的虚拟相位差计设计

以 Alter CPL D FL EX10 K器件为虚似仪器核 ,在 Windows 95 /98下借助 Delphi 5 .0实现操作界面 ,对二个 5 0 m V～ 10 V、0 .2 Hz～ 13.8k Hz的正弦波、短形波等周期信号实现 4 7πf /10 7(f为待测信号频率 )分辨率相位差自动测量和分辨率显示的设计原理与实现方案     

解定态中子输运方程的S_N方法

<正> 一、一维球对称几何形状下中子输运方程第9群中子的中子输运方程为 [μ (?)/(?)r+1-μ~2/r (?)/(?)μ+sum from g to (tr)]φ_g(r,μ)=Q_g(r) (1)-1≤μ≤1,0≤r≤R,g=1,2……,G Q_g(r)=S_g(r)+x_9 sum from l=1 to G v_(gl) ∑_(gl)~F (r)(?)_(gl)(r)+sum from gl=1 to g ∑_(gl→g)~s (r)(?)_g~l(r) (2)Q_g(r)中的(?)_g(r)为:这里:S_g(r)是外加中子源 (3)X_y是相对的中子裂变谱,sum from g=1 to G X_9=1v_g~l 是每次裂变时所发射的中子数∑_(gl)~F 是中子宏观裂变截面∑_g~(tr) 是中子宏观迁移截面∑_(gl→g)~s 是中子由g~l群→g群的宏观散射截面(其中包括由g群→g群的散射)     

高速低功耗ECL电路

本文介绍高速低功耗ECL系列中的一组逻辑电路。 该电路系统,由于采用低压电源(—V_(EE)=—3.3伏)供电,明显地降低了电路功耗,由于适当地运用电路技巧,仅用较少的元件就能完成给定的逻辑功能。本电路采用低压恒压源作为恒流偏置,使电路具有较强的适应电源和温度变化的能力。恒压源温度系数小于0.1毫伏/度,电压稳定度典型值为5毫伏/伏。基本门电路输入、输出电平与ECL-10K兼容,其功耗为15毫瓦,平均传播延迟时间t_(pd)=1.5毫微秒。采用肖特基二极管与ECL相結合的半加器,t_(pd)=2.5毫微秒,功耗为16毫瓦。采用先行输出D型触发器,t_(pd)=2毫微秒,功耗为57毫瓦。 全部电路采用常规p-n结隔离工艺。