GaAs近红外吸收特性和主要深电子陷阱浓度的测量

本文研究液封直拉(LEC)未掺杂半绝缘GaAs室温和低温近红外吸收特性,对主要深电子陷阱(EL2)引起红外吸收的机理进行了探讨。利用低温高分辩率技术,发现样品中EL2内部跃迁特征谱及由零声子线和五个声子耦合峰组成的精细结构。零声子线与近红外吸收带具有相同的光淬灭效应,其强度与EL2浓度具有良好的线性关系,由此阐述了一种测定EL2浓度的新方法。     

马氏体相变的微观理论——Laser模型——Ⅲ.量子理论——2.软模理论

按照前面论文发展的“Laser模型”研究路线,本文对发生马氏体相变的晶体作了动力学稳定性分析。这可提供一个框架,在此中我们可理解预马氏体相变软模的微观起源。可用一伪简谐哈密顿量来说明此软模的原子机理。此哈密顿量的电子-声子相互作用是采取一点阵散射模型处理的,并导出一新的重整化频率式。此式说明在两个温度区域存在着两种软模:1、T>T_0,一般软模;2,T相似文献   

同质位错缺陷二维声子晶体带隙结构及传导模的研究

为了研究声子晶体因缺陷而产生的声波导问题,提出了同质位错缺陷模型.以二维铝圆柱/空气体系正方格子声子晶体为研究对象,采用平面波法结合超元胞的方法研究了声子晶体同质位错结的传导模.结果表明,横向位错效应与线缺陷相似,它可以使处于禁带频率范围内的声波沿位错通道进行传播,形成声波导;纵向位错效应由于其对称性而类似于点缺陷,界面两边3个最接近的"格子"形成腔,因而能够产生局域模.横向位错距离和纵向位错距离的大小将影响传导模的位置和数量.     

马氏体相变的相干声子模型

本文提出了一个新的激发马氏体相变的声子模型。马氏体相变被看作是有序化声子气—相干声子气所激发的。本文强调了马氏体相变与激光阈行为的类似;推导出了相干声子的发射率公式,并解释了先于马氏体相变的软模现象。     

s-d交换相互作用对电子-声子耦合常数的影响

本文讨论了在具有ｆ电子的磁性金属中，ｓ－ｄ交换相互作用对电子－声子耦合的影响，并具体计算了ｓ－ｄ交换相互作用对声子频率，电子自能及电子－声子耦合常数的贡献、利用Ｆｅｙｎｍａｎ图得出了较满意的解析式△＿ｑ（ｓ－ｄ），Σ（ｓ－ｄ）及λ＿（ｓ－ｄ）。     

二维声子晶体点缺陷间的耦合特性

以二维铝圆柱/空气正方格子声子晶体为研究对象,采用平面波法结合超元胞的方法研究了点缺陷问的耦合特性.结果表明,在(1 0)或(0 1)方向,两点缺陷因耦合将造成缺陷模的分离,分离宽度随两点缺陷距离的增加而减小,同时缺陷附近模场的分布也发生变化;在(1 1)方向因局域声子声场的迅速衰减而使局域声子间的耦合非常弱,即使缺陷间的距离非常小.局域声子的这些耦合特性在声方向滤波器、窄带声波导方面将有很大的应用价值.     

金属中f电子局域磁矩及其退局域化的一个新模型（Ⅰ）

本文提出了一个新模型，其中ｆ电子束缚在费米面附近的一个窄带内，Ｓ－Ｐ－ｄ电子是自由的，考虑了它们之间的杂化和４ｆ电子──声子相互作用以及４ｆ电子和传导电子之间的库仑相互作用。数值计算的结果表明，Ｔ＝ＯＫ时，ｆ电子──声子相互作用对ｆ电子形成局域磁矩具有建设性效应，而传导电子和ｆ电子之间的库仑作用对局域磁矩具有破坏性效应。     

在S—D混合效应中低温杂质电阻对传导电子虚声子交换的影响

本文基于ＡｎｄｅｒｓｏｎＨａｍｉｌｔｏｎｉａｎ考虑电子一声子耦合效应，研究了传导电子之间虚声子交换所引起的电子间有效相互作用对低温杂质电阻的影响。     

在磁场作用下量子阱中类氢杂质束缚能的计算

采用了Lee T D,et al变分法和Jiang H X强微扰理论计算在磁场作用下量子阱中类氢杂质的束缚能,考虑了电子与纵光学声子LO和面光学声子SO之间的互相作用,得到类氢杂质束缚能随磁场根方增加,随阱宽增加而减小,电子自能不受磁场影响。     

量子阱中杂质原子的有效哈密顿量的计算

考虑电子与纵光学声子LO和面光学声子SO之间的相互作用,讨论在磁场作用下超晶格量子阱中的杂质原子的哈密顿量,并利用 Lcc.et al变分法计算其有效哈密顿量.     

磷化物多元混晶中光学声子的性质

在长波近似条件下，计算分析磷化铝镓铟多元混晶中光学声子的能量和振动强度对混晶的化学组分关系．结果表明，AlxIn（1-x）P和AlxGa（1-x）P三元混晶中光学声子模有2支，GaxIn（1-x）P有1支；AlxGayIn（1-x-y）P四元混晶中光学声子的模式有3支，但其中频率最低的一支声子的振动强度远低于其他2支．当铝原子的组分在0～0．1间变化时，AlxIn（1-x）P、AlxGa（1-x）P和AlxGayIn（1-x-y）P中的光学声子的能量会出现急剧变化．     

三维晶体位移相变的大振幅晶格动力学模型

本文提出了一种处理金属中位移相变形核机制的理论方法.认为晶体中声子可分为普通声子和大振幅声子两类,其中大振幅声子存在失稳机制可能带来晶格失稳导致相变.相变位移波的传播只限于有限几个特殊方向.切变方向也只有有限个,与波矢相对应.据此,给出了位移波矢及切变方向应满足的方程.     

纤锌矿氮化物三元混晶中的光学声子

在长波近似条件下,采用修正的无轨离子位移模型研究纤锌矿氮化物三元混晶中的光学声子模。并对纤锌矿三元混晶体AlxGa1-xN中的光学声子进行计算,结果表明光学声子的频率、振子强度、介电常数随组份菇出现明显的线性变化,但当组分增加到一定程度又呈现明显的非线性变化。计算结果与紫外共振喇曼散射观测到A1（LO）,A1（TO）一阶声子散射峰符合的较好。     

BaFBr∶Eu发光材料的~（151）Eu穆斯堡尔谱及X射线光电子能谱研究

首次报道了ＢａＦＢｒ：Ｅｕ发光材料的（１５１）Ｅｕ穆斯堡尔谱。结果表明ｆ（Ｅｕ２＋）＜ｆ（Ｅｕ（３＋）），即＜Ｘ２＞Ｅｕ（２＋）＞＜ｘ２＞Ｅｕ（３＋），说明声子与Ｅｕ（２＋）的作用比声子对Ｅｕ（３＋）的作用大。实验结果也证明当温度降低时，ｆ（Ｅｕ（２＋））的增长比ｆ（Ｅｕ（３＋））的增长快，并且发现当温度降低时，Ｅｕ（２＋）的相对含量减少，而Ｅｕ（３＋）的含量增加．变温实验提供的证据表明Ｅｕ（２＋）与Ｅｕ（３＋）之间有电子的“跳动”。穆斯堡尔谱的实验结果还与ＸＰＳ及发光的结果进行了对比和讨论。     

应变Si1-xGex（100）电子散射几率

基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制,研究了应变Si1-xGex/(100)Si材料电子散射几率与应力及能量的关系.结果表明:在应力的作用下,应变Si1-xGex/(100)Si材料声学声子及f2、f3型谷间声子散射几率显著降低.Si基应变材料电子迁移率增强与其散射几率密切相关.     

传导电子与声子的相互作用对局域磁矩的影响

本文在Anderson提出的S—d混合模型中,考虑了传导电子与声子的相互作用(简写成EPI)和传导电子与d电子之间的库仑相互作用.主要讨论了EPI对局域磁矩的存在和大小的影响。     

耦合部分有电阻时介观电容耦合电路中的量子涨落

从电阻产生的物理机制即电子与声子的相互作用出发,对耦合部分有电阻的电容耦合电路进行了量子化. 分析了耦合部分的电阻对量子涨落的影响,同时考虑了温度效应. 结果表明,耦合电容会减小分回路及耦合部分电荷的量子涨落.     

Effect of coherent-light phase on tunneling process

The coherent-light-driven tunneling in double quantum wells has been studied. The electrons are coupled to a system of phonons and subjected to the two beams of coherently optical waves. By adopting a gauge to both the external field and the phonon field, the phonon field operators in the Schrodinger equations are eliminated. In this way, an expression of the tunneling current is conveniently derived considering the relaxation effect. It is shown that under the intense laser field, the tunneling current oscillates rapidly with time at low temperature. The duration of the oscillations is related to the temperature. By adjusting the phase difference of the two light-beams, the oscillation frequency can be modulated.     

Sanderson′s电负性均衡原理与库柏对电子

库柏电子对是超导电性机制理论中电声子理论的基础。在超导电性理论的研究中占有非常重要的地位。超导材料的种类非常广泛,有单质金属、合金材料、有机化合物、非金属单质、金属与非金属掺杂材料、金属氧化物。因此对不同材料中库柏对电子起源,状态特征的认识,对于全面认识超导电性的特征具有十分重要的意义。在本文中,以电声子机制超导电性理论为基础,用电负性均衡原理研究了元素之间键的形成对超导电性影响的特征,得出了在超导材料中由于元素之间键的形成,库柏对的电子特征具有特殊的性质,库柏对电子的来源取决于承担超导电性的元素之间键的性质特征。这对于全面理解电声子超导理论具有重要意义。对于进一步研究高Tc铜氧化物超导体的超导电性机理具有重要的指导性意义。