矿井感应通信机车插入损耗及专用线理论研究

给出了在矿井中利用电机车架空线进行感应通信时，架空线负载（即电机车）引起的手稿损耗的定义，计算了插入损耗和无负载时的电磁波传输损耗并对比了这两种损耗，可知插入损耗是非常大的，这说明了使用专用感应线的必要性，架设专用感应线后，矿井隧道中将存在一个插入损耗和传输损耗都比较小的波模，利用该波模进行感应通信是可行的。     

测量微波元件低插入损耗的一种方法

介绍了适用于量微波元件低插入损耗的一种较为简单的方法，即通过测量反射损耗进而得出被测件的插入损耗，并给出了微波工程中应用实例，定量地估算了测量误差。     

双通道光环形器结构的设计及理论分析

提出了一种双通道式多功能光环形器，在结构设计中插入了双尾纤及透镜对，实现了器件功能复用，降低了制造成本与占空比。在理论上用琼斯矩阵对光环形器的插入损耗及隔离度等性能参数进行分析，探讨了影响该双通道光环形器隔离度、插入损耗特性的因素，结果表明，双通道多功能光环形器在器件镀增透膜的基础上具有与传统单通道光隔离器相同低插入损耗和高隔离度等特性。     

AWG插入损耗性能的分析和改善

阵列波导光栅(AWG)是实现密集波分复用(DWDM)光网络的理想器件，插入损耗是它的一个重要性能指标．文章在综述了多种减小AWG器件插入损耗方法的基础上，分析了如何使用楔形波导结构来降低模式失配所导致的耦合损耗．这种方法可以在不增加器件制作难度的同时大大降低AWG的插入损耗，并且适用于各种材料和结构的AWG器件设计。     

采用非对称弯曲实现的低插入损耗光纤识别器

叙述了适用于L带波长通信的具有低插入损耗的光纤识别器。日本NTT接入网业务系统实验室的技术人员采用弯曲光纤研究了可产生光纤识别所需发射光的弯曲机的形状。这些研究证明，非对称弯曲对于降低插入损耗而不降低检测灵敏度很有效。对于光纤带来说．采用非对称弯曲机的光纤识别器的插入损耗在1．625μm波长下小于1dB，大约比采用普通对称弯曲机的插入损耗小1dB。此外还证实，可以采用结构简单的非对称弯曲机来检测信号传输方向。     

具有二次曲面型端面的光纤连接问题

本文应用于Ｊｏｎｅｓ矩阵和光学设计方法，导出光纤活动连接中二次曲在型端面的插入损耗，反射损耗的解析表达式，对分析和改进端面结构以及设计二次曲面型端面光纤连接器，光纤器件提供依据，并给出了对称二次曲面型端面的曲率半径与透射，反射以及插入损耗，反射损耗的计算曲线。     

EMI电源滤波器的插入损耗分析

在一般EMI滤波器的共模和差模等效电路的基础上,分析了源阻抗和负载阻抗对滤波器插入损耗的影响.提出了共模插入损耗和差模插入损耗的计算方法,推导了滤波器插入损耗与阻抗关系的表达式,并且对这一关系作了仿真分析,仿真结果验证了理论计算和分析的正确性.     

Ku波段0.9m动中通天线罩插入损耗的均匀性测量

插入损耗是天线罩的重要性能指标之一。简述了Ku波段0.9 m动中通天线罩的基本特性。介绍了远场法测量天线罩插入损耗的原理方法。提出了转动天线罩方位,抬高座架以改变天线夹板角,实现天线罩插入损耗均匀性测量。最后给出了Ku波段0.9 m动中通天线罩插入损耗测量结果,测量结果同理论预算基本吻合。     

EMI滤波器插入损耗自动测试系统设计

分析了EMI滤波器插入损耗原理,介绍了插入损耗人工测试方法及其优缺点,最终提出一种基于虚拟仪器技术实现EMI电源滤波器插入损耗的自动测试系统。文中所建立的测试软件在VB语言的基础上利用LabVIEW完善的可视化编程实现了EMI电源滤波器插入损耗的测试。它与以往的测试相比,不仅结构简单、操作方便,还实现了测试的自动化。     

采用FBAR技术的高性能高可靠度Band 8 WCDMA多工器产品

安华高科技推出一款高性能Band 8 WCDMA双工器产品。采用具备业内最佳Q值的薄膜腔声谐振（FBAR，Film Bulk Acoustic Resonator）技术，Avago的ACMD-7605成功达成在各种工作温度下典型1．3dB发送插入损耗（IL，Insertion Loss）和最高3．5dB插入损耗的卓越表现，大幅降低功耗并改善通话时间。由于具备高带宽并且发送和接收频带非常接近．因此要在Band8上取得良好的插入损耗表现特别困难，ACMD-7605同时也分别在发送和接收频带上取得最低51 dB以及48dB的卓越隔离效能，搭配Avago同级最佳的插入损耗表现，能够将温度过高情况下所造成的灵敏度劣化问题降到最低。Avago是为通信、工业和消费类等应用领域提供模拟接口零组件的领导厂商。     

基于多孔硅的共平面波导制备及传输特性研究

多孔硅被认为是RF应用领域中较有潜力的衬底材料。文章利用多孔硅作衬底，制备了微型微波共平面波导，采用多线方法计算出该波导在多孔硅上的插入损耗和有效介电常数；提出了通过多孔硅的相对介电常数来确定多孔度的方法。实验测试结果表明，在20μm多孔硅上的波导，其插入损耗在1-30GHz范围内为1—40dB/cm；而在70μm多孔硅上制备的波导，其插入损耗在整个测试频段内不超过7dB/cm。通过有效介电常数的计算，推算出实验制备的70μm多孔硅材料的多孔度约为65％。     

高速PCB差分插入损耗影响因素研究

随着信号速率的提升,板级插入损耗得管控变得越来越重要,我们不能只满足插入损耗越小越好,同时需关注插入损耗的均一性要求;本文主要基于PLTS的测量方法,测试不同PCB结构设计的差分插入损耗变化情况,通过对PCB生产过程中的棕化条件、铜箔类型、阻焊油墨类型、孔径、线宽、线距、背钻残桩、介质厚度、铜厚等关键因子进行研究,为板级插入损耗的有效管控提供了基本的参考。     

基于正交设计的硅通孔信号完整性分析

针对硅通孔(Through Silicon Via;TSV)高度、直径和绝缘层厚度三个结构参数建立了25种不同水平组合的HFSS仿真模型,获取了这25种TSV的回波损耗和插入损耗并进行了方差分析。结果表明:随信号频率升高,TSV最大表面电场强度和插入损耗减小而回波损耗增大;在置信度为99%时,TSV高度是影响回波损耗和插入损耗的显著性因素;TSV直径和绝缘层厚度对回波损耗和插入损耗影响均不显著;TSV高度对回波损耗和插入损耗影响最大,其次是TSV直径,最后是绝缘层厚度。     

钒酸钇晶体楔型光隔离器

介绍了用钒酸钇晶体的与偏振无关的Ｗｅｄｇｅ型光隔离器的基本原理，用琼斯矢量法得到了插入损耗和隔离度的数学表达式，并介绍了隔离器的结构设计．制作的隔离器光纤到光纤的插入损耗为１．０４ｄＢ，隔离度为４２ｄＢ，回程损耗为４４．３ｄＢ，偏振灵敏度≤０．２ｄＢ，带宽大于４０ｎｍ，体积为１０×１０×４０ｍｍ３．     

基于MEMS技术的射频移相器

微波与毫米波移相器是通讯和雷达应用上相控阵天线的基本单元，MEMS技术的引入提供了一个在移相器设计中用最小损耗的开关来大量减少移相器插入损耗的方法，该方法可以降低器件的功耗，改善插入损耗、隔离度、频带宽度等性能。相比于GaAs移相器，基于MEMS开关的射频移相器，无论是开关线型、分布式或是反射型，都有很好的RF性能。     

开关电源电磁干扰滤波器插入损耗的研究

研究了电磁干扰(EMI)滤波器的共模和差模插入损耗(IL)，并进行理论分析和测量；分析了影响IL的各种原因及改进方法。最后，测量了EMI滤波器插入损耗，为了检验EMI滤波器对开关电源的电流(电压)谐波的抑制效果，测量了开关电源的电流(电压)谐波分量，列出了测量数据，并对测量结果进行分析，总结出开关电源传导干扰的特点。测量结果验证了理论计算和分析的正确性。     

用于光WDM网中的高反射损耗可调F-P腔的设计

设计了具有高反射损耗特性的光解复用器，它具有插入损耗小，反射损耗大，并且可以进行电压调谐的特点。     

EMI滤波器特性分析

文中给出了一般EMI滤波器的拓扑结构,分别指出其共模和差模等效电路,并对共模和差模等效电路进行化简。且分别对共模和差模电路中电容大小与插损的关系以及共模,差模电路两端输入输出阻抗与插损的关系作了仿真分析。结果表明,共模电容越大,插入损耗越大;共模滤波器两端的阻抗越小,插入损耗越大;差模电容越大,插入损耗越大;差模滤波器两端阻抗越大,插入损耗越大。     

特定相位高功率开关的研制

为满足相控阵天线的特定相位、小型化及高功率的要求,研制了一种S波段SP4T开关,阐述了开关的设计仿真方法,详细分析了开关的相位和大功率设计.用矢量网络分析仪测得结果为插入损耗IL＜0.6 dB,隔离大于40 dB,传输相位和反射相位小于5°,输入输出驻波比小于1.3.结果表明,微带线的尺寸不仅影响开关的传输相位和反射相位,还影响开关的插入损耗,微带线的调整在改善相位的同时,也有可能会使开关的插入损耗变差,反射相位的改变会同时影响传输相位和插入损耗的大小.揭示了开关传输反射相位、插入损耗和微带线尺寸之间的相互联系,通过测量比较,研究了接插件对相位带来的影响,讨论了开关的大功率设计方法.     

跳频源用低损耗声表面波滤波器

介绍了几种用于跳频源的低损耗声表面波滤波器的制作结果，其插入损耗为４ｄＢ，阻带抑制优于４５ｄＢ。