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介绍了高质量β-BaB_2O_4单晶的生长,着重于直拉生长法,以及这种晶体的特性。另外,还说明了起始材料的制备方法和生长条件对获得β相单晶的影响。 相似文献
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大尺寸Bi12SiO20单晶生长的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了BSO单晶的若干主要性能。报导了用电阻加热提拉法,从φ80×60mm铂金坩埚中生长出φ40×60mm重达800克左右的优质BSO大单晶。研究并确定了生长大尺寸BSO晶体的工艺条件,并对晶体中若干主要缺陷进行了观察分析,讨论了它们与生长工艺条件的关系,以及提高晶体质量的主要途径。 相似文献
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提出并生长了晶格匹配的HgSe/ZnTe超晶格系统,红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围,将Zhu的关于ZnSe MBE生长模型加以推广,讨论了生长温度和束流条件对HgSe MBE生长的影响,并用分子束外延方法在160~180℃下生长了HgSe单晶薄膜。 相似文献
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用且熔剂法生长出(YbTbBi)3Fe5O12块状单晶,测量了该单晶在1.0~1.7μm范围的Faraday旋转谱及透射谱,当温度为10~80℃,λ=1.55μm时,测得该单晶的Farady旋转温度系数为2.0×10^-2(°).mm^-1.K^-1,所得结果表明:(YbTbBi)3Fe5O12单晶既有较大的Faraday旋转角,又有很小的温度系数。 相似文献
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(YbTbBi)_3Fe_5O_(12)块状单晶生长及其磁光性能 总被引:2,自引:2,他引:0
用助熔剂法生长出(YbTbBi)3Fe5O12块状单晶,测量了该单晶在1.0~1.7μm范围的Faraday旋转谱及透射谱.当温度为10~80℃,λ=1.55μm时,测得该单晶的Faraday旋转温度系数为2.0×10-2.(°)·mm-1·K-1.所得结果表明:(YbTbBi)3Fe5O12单晶既有较大的Faraday旋转角,又有很小的温度系数 相似文献
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用AFM在室温和大气下对高温超导体Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi2212)单晶解理面的形貌和结构进行了系统的研究。观测到解理面绝大部分是原子级平滑的晶面。在晶面的边缘观测到高度为结构单元(c/2)整倍数的台阶,这与该晶体是以层状模式生长的机制相一致的。进而证明了解理位置和解理分布。在解理面的局部区域,观测到高度为1.25nm,面积约为0.05μm2的平台。X-射线微区分析证明这些小平台正是在Bi2212单晶生长中常存在的少量Bi2201相。我们的研究表明AFM不但在研究高温超导体单晶的形貌特征方面有重要用途,而且在对晶体的质量进行分析和结构特征研究中也有重要应用。 相似文献
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本文报道了用助熔剂成功地生长大尺寸掺铟BiCaVIG晶体的方法以及实验结果,介绍了该单晶在远红外区的磁光器件中的重要应用。 相似文献
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本文报道了用助熔剂成功地生长大尺寸掺铟BiCaVIG晶体的方法以及实验结果,介绍了该单晶在远红外区的磁光器件中的重要应用。 相似文献
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以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模(EFG)法生长了2英寸(1英寸=2.54 cm)未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶.研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga2O3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了测试和表征.结果表明,CO2保护气氛能够极大地抑制Ga2O3材料的高温分解,当CO2生长气压为1.5×105 Pa时,Ga2O3的平均分解速率低于1 g/h.(100)面β-Ga2O3单晶的X射线衍射(XRD)摇摆曲线测试结果表明,其半高宽低至29 arcsec,表明晶体具有较高的质量;对晶体(100)面进行了位错腐蚀,结果显示其位错密度较低,约为4.9×104 cm-2;傅里叶变换红外光谱仪测试结果显示,β-Ga2O3单晶在紫外、可见光透过率达到80%以上. 相似文献
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Ⅱ-Ⅵ族宽禁带蓝绿色发光器材料的MBE研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文报道ZnSe基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、p型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ZnSe材料的生长。实验证明国产MBE设备能够自洽生长优质ZnSe单晶薄膜;用自制的等离子体活性氮源作受主掺杂剂,获得了pZnSe单晶薄膜,经CV测量发现,[Na][Nd]高达~5×1017·cm-3;用国产粉末状ZnCl2源作施主掺杂剂,获得了nZnSe单晶薄膜,Hal测量表明[n]高达~23×1019·cm-3。生长速度均控制在~05μm/h。 相似文献
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张荣康 《激光与光电子学进展》1987,24(9):47
日本茨城县的阿斯卡罗公司制成并正式出售能生长大型优质单晶的新型单晶引上装置。这种装置是在充满晶体原料熔液的白金坩埚中装入用同样白金制成的隔板,移动隔板即可生长出组分均匀的单晶,晶体 的杂质浓度波动可控制在0.05%以下。除了能生长YAG以及其它激光单晶外,还能生长具有全功能的光学晶体,看来具有很大潜力。 相似文献
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本研究采用电子通道技术(ECP)对单晶和双晶外延生长的YBa_2Cu_3O_7(YBCO)超导薄膜的结构、取向和表面完好性作检测,并证实对衬底的预处理可改善外延超导薄膜的质量;还对YBCO/CeO_2/MgO/SrTiO3的双外延薄膜作研究。 相似文献
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通过温度压力改变,使整个LEC-GaAs单晶生长过程As损失最小。获得了化学配比较好的SI-GaAs单晶。单昌表面离和,特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了LE-CSI-GaAs单晶生长过程As的挥发和生长环境压力对生长的单昌位错密度的影响。 相似文献
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